【产品】采用氮化镓晶体管的差分模式开发板，可在15MHz频率下高效工作

时间： 2017-08-27 来源：EPC

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宜普电源转换公司（EPC）推出全新的高效、灵活及采用氮化镓晶体管的差分模式开发板EPC9083，帮助功率系统设计师容易并且快速地对E类放大器内、可在高达15 MHz频率工作的200 V氮化镓晶体管进行评估，包括无线充电应用的6.78 MHz频率。推出开发板的目的是帮助功率系统设计师以简易方法对氮化镓晶体管的性能进行评估，使得他们的产品可以快速量产。

这些开发板专为采用E类放大器拓扑的应用而设，例如无线充电应用，而且也可以支持采用低侧开关的其它应用，例如但不限于推挽式转换器、电流模式D类放大器、共源双向开关及高压短脉宽应用（例如激光雷达应用）。

EPC9083开发板内含200 V、25 mΩ eGaN FET（EPC2046）-它比前代的eGaN FET具备更低的开关损耗、更小型化而同时具有相同的漏极-源极阻抗。放大器预设工作在差分模式，也可以再配置为工作在单端模式，并包含栅极驱动器及逻辑电源稳压器。

随开发板一起提供的还有一份供用户参考和易于使用的速查指南，为客户提供详尽资料，包括设置步骤、电路图框及材料清单。更多详情请联系世强。

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2022-12-29 - 新产品代理服务技术支持采购服务

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2022-12-16 - 新产品代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普电源转换公司）是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC推出全球首款替代功率MOSFET器件的硅基增强型氮化镓（eGaN）场效应晶体管。GaN器件在速度，损耗，效率等性能上比硅材料的功率器件优越很多。

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2024/2/21 - 测试报告代理服务技术支持采购服务

【经验】驱动高性能激光雷达为何要选择氮化镓？

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2019-02-25 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

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2022-06-07 - 设计经验代理服务技术支持采购服务

氮化镓如何驱动机器人的运动、感官、大脑（二）——氮化镓在激光雷达系统中的应用

本文作者为EPC首席执行官兼联合创始人Alex Lidow，为“氮化镓驱动人形机器人”系列文章的第二篇，讲述氮化镓器件在激光雷达系统中的重要作用，以及如何为人形机器人带来更加优秀的视觉感知能力。

2024-10-24 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

【视频】EPC氮化镓产品在DCDC的应用，可减少损耗

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本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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2023/7/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓技术

本文介绍了增强型氮化镓（eGaN）技术及其在功率转换中的应用。文章强调了eGaN器件相比硅基器件的优势，包括更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的生产成本。此外，还提到了eGaN技术的可靠性和设计支持。

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October, 2022 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路具有高效率、小尺寸、快速开关速度等优点，适用于无线充电、射频放大器、LED照明等应用。资料详细比较了eGaN®技术与传统硅MOSFET的性能差异，并提供了设计支持、产品选择指南和演示板信息。

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2017年07月13日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

EPC将在PCIM Asia 2024展示先进的氮化镓电源解决方案

作为全球增强型氮化镓 (GaN) FET 和 IC 的领导者，EPC 很高兴宣布将参加 PCIM Asia 2024。该活动将于 8 月 28 日至 30 日在中国深圳举行。EPC 的 GaN 专家将在 PCIM Asia 期间展示最新一代的 GaN FET 和 IC，涵盖包括 AI 服务器、机器人等在内的各种实际应用，探索业内最全面的 GaN 电力转换解决方案组合。

2024-08-26 - 原厂动态代理服务技术支持采购服务

【应用】EPC氮化镓功率晶体管助力DTOF激光雷达设计，具有低温度系数，导通电阻低至50mΩ

在某家DTOF激光雷达的产品设计中，需要一款氮化镓用于激光驱动开关。本项目的激光雷达是用于扫地机器人上的，项目要求Vbus为30V，Ipeak为30A，Frequency为10MHz，本文推荐一款EPC的氮化镓晶体管EPC2019。

2022-12-10 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2022/2/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了氮化镓器件的低阻抗、低导通损耗、快速开关特性以及低成本优势。此外，还提供了多种基于eGaN FET技术的产品和应用案例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、马达驱动器、医疗应用和无线充电等领域。

EPC - 宽带隙器件,氮化镓晶体管,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9036,EPC9157,EPC7014,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC9153,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150

2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

EPC - 转换器,电力电子功率器件,放大器,电力电子功率模块,比较器,EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备

2017年07月13日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【选型】EPC氮化镓场效应晶体管用于多线激光雷达，具备小封装，开关频率可达100MHz

某用户想研制一款多线激光雷达，主要应用于交通领域，想找一款效应晶体管用来驱动激光器，经过评估我们推荐了EPC氮化镓场效应晶体管EPC2221，它具备小封装，尺寸仅为1.35x1.35mm，开关频率可达100MHz。

2023-02-14 - 器件选型代理服务技术支持采购服务

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EPC9083

品牌：EPC

品类：Development Board

价格：￥1,586.6895

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EPC2046

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode Power Transistor

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EPC2055

品牌：EPC

品类：Enhancement Mode Power Transistor

价格：￥6.0206

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EPC2108

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格：￥5.6384

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EPC2107

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half Bridge

价格：￥5.9251

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EPC21603ENGRT

品牌：EPC

品类：Laser Driver IC

价格：￥11.9457

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EPC2221

品牌：EPC

品类：Mode GaN Power Transistor

价格：￥7.3586

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EPC2111

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

价格：￥10.5122

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EPC2101

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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EPC2105

品牌：EPC

品类：Enhancement-Mode GaN Power Transistor Half-Bridge

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EPC21603ENGRT

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EPC2221

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EPC2111

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现货市场

INN100W14

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

价格：￥10.8000

现货：33,493

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INN100W08

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

价格：￥3.7500

现货：17,725

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INN650D02

品牌：英诺赛科

品类：GaN FET

价格：￥4.0080

现货：5,920

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INN650D260A

品牌：英诺赛科

品类：GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格：￥2.7480

现货：4,749

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INN650D150A

品牌：英诺赛科

品类：GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格：￥9.3000

现货：4,533

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INN650DA04

品牌：英诺赛科

品类：GaN Enhancement-mode Power Transistor

价格：￥2.5500

现货：2,305

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INN650DA260A

品牌：英诺赛科

品类：transistor

价格：￥5.5200

现货：2,270

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INN100W01

品牌：英诺赛科

品类：E-Mode GaN FET

价格：￥3.5595

现货：936

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INN40W01

品牌：英诺赛科

品类：E-Mode GaN FET

价格：￥3.5595

现货：730

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INN100W03

品牌：英诺赛科

品类：E-Mode GaN FET

价格：￥4.7460

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INN100W14

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INN100W08

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INN650D02

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INN650D260A

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INN650D150A

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INN650DA04

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INN650DA260A

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INN100W01

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INN40W01

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INN100W03

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服务

PD/QC快充测试

满足150W内适配器、PD快充、氮化镓快充等主流产品测试需要；并可查看被测开关电源支持协议，诱导多种充电协议输出，结合电子负载和示波器进行高精度测试。测试浪涌电流最大40A。支持到场/视频直播测试，资深专家全程指导。

实验室地址：深圳提交需求>

丙烯酸/光固化&双固化UV胶定制

可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。

最小起订量： 1支提交需求>

PD/QC快充测试

实验室地址：深圳提交需求>

丙烯酸/光固化&双固化UV胶定制

可定制UV胶的粘度范围：150~25000cps，粘接材料：金属，塑料PCB，玻璃，陶瓷等；固化方式：UV固化；双固化，产品通过ISO9001:2008及ISO14000等认证。

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授权代理品牌：集成电路

授权代理品牌：分立元件

授权代理品牌：接插件及结构件

授权代理品牌：部件、组件及配件

授权代理品牌：电源及模块

授权代理品牌：电子材料

授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件

授权代理品牌：电工工具及材料

授权代理品牌：机械电子元件

授权代理品牌：加工与定制

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