【产品】专为PWM应用而设计的中压N沟道增强型场效应晶体管YJL05N06AL
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJL05N06AL，采用沟槽功率中压MOSFET技术，漏源电压60V，漏极电流5.0A（@TA=25°C、稳态），适合中压电路的相关应用。采用高密度单元设计，具有低RDS（ON）特点，其RDS（ON）最大值不超过44mΩ（@VGS= 10V, ID=5.0A），较低的导通电阻可有效降低开关损耗。结温和储存温度范围均为-55°C～+150°C，具有极强的环境适应性，可很好适应较宽温度范围的环境。总栅极电荷典型值仅为26.4nC（@VGS=10V,VDS=30V,ID=10A），可实现高开关速度。
图1 YJL05N06AL封装及电路图
YJL05N06AL非常适用于PWM应用和负荷开关等相关应用。
YJL05N06AL特点：
沟槽功率中压MOSFET技术
高密度单元设计，具有低RDS（ON）
YJL05N06AL应用：
PWM应用
负荷开关
YJL05N06AL订购信息：
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