【经验】EFM32系列32位MCU如何实现37uA/MHz低功耗,以便选择合适的电源设计

2019-02-26 世强
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SILICON LABS公司推出的EFM32系列32位单片机,是ARM内核单片机低功耗的领先者。在正常运行模式下,Cortex-M4内核运行功耗低至80uA/MHz;Cortex-M3内核运行功耗低至64uA/MHz;Cortex-M0内核运行功耗低至37uA/MHz。EFM32为了更好的降低功耗,提供EM0到EM4多种运行模式,在不同模式下,可以运行的外设不同,从而灵活的调节运行模式,降低功耗,达到更低功耗的目的。


在ARM内核的EFM32系列中,最新推出的EFM32TG11系列,采用Cortex-M0内核,最高运行速度48MHz,正常运行模式下,具有最低功耗的37 uA/MHz。根据手册查看电气特性,却有37 uA/MHz、44 uA/MHz不同的运行功耗,对用户造成疑惑。


其实不同的运行功耗是由于采用不同的电源供电设计造成的。Silicon Labs公司根据EFM32TG11的应用提供了三种供电电路:1.VDD直接供电;2.不使用内部DCDC供电;3.使用内部DCDC供电。不同的供电电路如图1到图3所示。


图1 VDD直接供电


图2 不使用内部DCDC供电


图3 使用内部DCDC供电


从图中可以看出,图1和图2类似,均不使用内部DCDC转换,内核供电电压和IO口供电电压相同。而图3使用内部DCDC功能,IO口供电电压为VDD,而内核运行电压由DCDC转换提供,可提供1.8V的低电压。


根据数据手册提供的测试条件VREGVDD = AVDD = IOVDD = 3.3 V, DVDD = 1.8 V,DC-DC output,采用内部48MHz高速晶振全速运行,功耗为37uA/MHz。所以,要得到更低的功耗,需要采用图3的电源设计方式设计,让内核在1.8V的低电压下工作。


也有人会有疑问,如果IOVDD和DVDD都采用1.8V供电呢,是否功耗会更低呢?答案是显而易见的,为了降低功耗,需要设计更低供电电压的芯片,比如DSP采用1V供电,甚至采用0.8V供电。EFM32TG11系列采用1.8V供电,同样可以获得低功耗。根据数据手册所示,VREGVDD = AVDD = DVDD = 1.8 V, DCDC关闭,采用内部48MHz高速晶振全速运行,功耗为44uA/MHz。44uA/MHz比37uA/MHz大,为什么说功耗更低呢?虽然电流略有增加,但电压只有1.8V,功耗P=VA,所以整体功耗更低。但是IO口电压为1.8V,目前大部分产品均采用3.3V供电,接口电平不匹配,会影响芯片之间互通。这种供电设计不常用。


从上面的设计可以看出,EFM32系列32位单片机,具有很好的功耗优势,随着物联网、可穿戴设备的发展,对低功耗的要求越来越高。EFM32系列MCU是低功耗设计的最佳选择。

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