【产品】规格为650V/4.7A的N沟道超结MOSFET器件PJMF990N65EC，适用于LED电源

时间： 2022-07-23 来源：PANJIT

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强茂（PANJIT）推出一款采用ITO-220AB-F封装的N沟道超结MOSFET—PJMF990N65EC，在T_A=25℃条件下，其漏源电压为650V，连续漏极电流为4.7A（T_C=25℃），最大漏源导通电阻为990mΩ（V_GS=10V，I_D=2.0A）。该器件具有高速开关、低导通电阻、100%雪崩测试和100%Rg测试等特点，适用于LED电源、充电适配器。

产品外观和示意图

产品特点：

●漏源导通电阻R_DS(ON)最大值为990mΩ（V_GS=10V）

●易于使用和驱动

●高速开关，低导通电阻R_DS(ON)

●100%雪崩测试

●100%Rg测试

●无铅，符合欧盟RoHS 2.0标准

●绿色环保塑封，符合IEC 61249标准

机械数据：

●外壳：ITO-220AB-F 封装

●端子：可焊性符合MIL-STD-750标准（方法2026）

●重量约为：0.068 盎司，2 克

应用：

LED电源，充电适配器

最大额定参数(T_A=25℃，除非特别说明)：

热特性：

电气特性(T_A=25℃，除非特别说明)：

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