【应用】国产高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR助力家用手持射频美容仪设计，传播延迟低，实现5M射频输出

时间： 2023-01-20 来源：世强

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射频从21世纪初就开始应用于面部年轻化领域，于2000年11月，获美国FDA批准单级射频可用于去皱纹的治疗，从此射频就开始在美容行业的应用。美容院中热门的热玛吉就是基于射频技术的，但是去一趟美容院不止费钱还费时间、费精力，所以家用射频美容仪诞生了。

某个客户要设计一款家用手持射频美容仪，想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率，预期最高能达到15W，正常工作时为5W左右。传统推挽的电路一般使用的普通SI MOS，但是为了提升射频的输出功率，客户选择使用CaN MOS搭建推挽电路，经推荐，客户选择使用了英洛赛科的INN650D150A，配合瞻芯电子的IVCR1801SR驱动芯片，能够实现5M以上的射频输出，大大提高射频美容仪的美容效果。

图一为新型射频美容仪的框图：

图一

IVCR1801是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器，可以高效安全地驱动MOSFET、GaN以及新兴的宽带隙功率器件。低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点，使得MOSFET的开关频率可以达到数百kHz。这款芯片非常适合用于服务器和通讯电源的同步整流驱动，在这种场合中同步管MOSFET的死区时间直接影响变换器的效率。

图二为典型应用框图：

图二

总结高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR的优势：

1，-40℃到125℃的工作温度范围，适用于高工作温度环境的产品。

2，IVCR1801驱动器提供单通道高速低侧栅极驱动，其分离式输出可用来单独调节输出的开通和关断速度。

3，-5V至24V的独立输入引脚电压范围能够有效地确在由于寄生电感引起过冲的情况下稳定工作。

4，4.5V至20V的宽范围VDD供电电压能够有效地驱动MOSFET或GaN功率器件。集成的UVLO保护功能可以确保在异常情况下使输出保持为低电平。

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