【产品】宽带功能高达8GHz的氮化镓高电子迁移率晶体管CHK9013-99F,兼容脉冲和CW操作模式


UMS(United Monolithic Semiconductors)是全球通信、雷达、电子晶圆、射频系统的MMIC供应商。UMS推出的CHK9013-99F是一款85W氮化镓高电子迁移率晶体管。晶体管的电路采用0.25μm栅长GaN HEMT技术在SiC衬底上制造,产品以裸芯片形式供应并需要外部匹配电路, 尺寸大小为0.9x4.27x0.1mm。CHK9013-99F的电路和外形图如图1所示,能够为各种射频功率应用提供比较全面的解决方案,可运用于雷达和通信领域。
图1CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管电路和外形图
CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管具有高达8GHz工作频率的高宽带能力,兼容脉冲和CW操作模式。该款晶体管符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范,是一款绿色环保产品。电气特性方面,当Tref=+25℃、脉冲模式、Freq=6GHz, VDS=30V, ID_Q=1.1A 的条件下, CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的小信号增益的典型值为18dB,可对微弱信号进行放大,实现大功率下的射频输出。CHK9013-99F的饱和输出功率的典型值高达88W,漏极饱和电流典型值20A,可满足高电流功率类应用需求。另外,其最大功率附加效率的典型值高达65%,可有效的抑制谐波失真。
CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的漏-源偏置电压最大额定值为55V,栅-源偏置电压最小额定值为-15,最大额定值为+2V。该款产品的栅极电流最大值为175mA,最小值为-11mA。 CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的存储温度范围为-55℃~150℃,最高结温230℃。较宽的工作温度范围可以保证在温度苛刻的工作环境下也可实现可靠的性能,具有更高的使用安全性。
图2 CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的典型工作特性图
CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的主要特点和优势:
•小信号增益的典型值为18dB(Tref=+25℃、脉冲模式、Freq=6GHz, VDS=30V, ID_Q=1.1A)
·存储温度范围为-55℃~150℃,最高结温230℃
·宽带能力高达8GHz
·脉冲和CW操作模式
·GaN技术:高Pout和高PAE
·推荐的工作漏-源电压最大值为30V
·芯片尺寸:0.9x4.27x0.1mm
·符合RoHS N°2011/65和REACh N°1907/2006规范
CHK9013-99F氮化镓高电子迁移率晶体管的应用领域:
•雷达和通信领域
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UMS 射频MMIC芯片选型指南
UMS has a comprehensive offer based on the supply of either ASIC or catalogue products, in the main based on the Company’s internal III-V technologies and through the provision of a comprehensive foundry service, allowing customers to directly create their own product solutions.
UMS - 混频器,6-18GHZ CHIPSET,S波段芯片组,ANALOG ATTENUATOR,MULTIPLIER,检波器,振荡器,核心芯片,射频前端,砷化镓晶体管,中功率放大器,GAN HEMT TRANSISTOR DIE,OSCILLATOR – VCO,TELECOMS,数码,DIGITAL VGA,RECEIVER,数字VGA,BUFFER,下变频器,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTOR,ANALOG,振荡器–VCO,GAAS TRANSISTOR,接收机,缓冲器,低噪音放大器,AMPLIFIER,GAN高电子迁移率晶体管裸片,GAN TRANSISTORS,MIXER,HPA,SWITCH,氮化镓晶体管,DIGITAL,IQ DOWN CONVERTER,IQ下变频器,电信,PHASE SHIFTER,模拟衰减器,GAN HEMT PACKAGED TRANSISTOR,射频数字衰减器,内匹配氮化镓功率晶体管,氮化镓高电子迁移率晶体管封装晶体管,ANALOG VGA,OSCILLATOR,KU-BAND CHIPSET,KA-BAND CHIPSET,GAN POWER TRANSISTOR,GAAS TRANSISTORS,模拟,INTERNALLY MATCHED GAN POWER TRANSISTORS,放大器,DOWN - CONVERTER,X-BAND CHIPSET,RF FRONT-END,6-18GHZ芯片组,C-BAND CHIPSET,IQ UP CONVERTER,倍增器,KA波段芯片组,氮化镓功率晶体管,S-BAND CHIPSET,衰减器,IQ上变频器,DETECTOR,CORE CHIP,DIGITAL ATTENUATOR,C波段芯片组,WILKINSON POWER DIVIDER,KU波段芯片组,内部匹配的氮化镓功率晶体管,模拟VGA,ATTENUATOR,移相器,X波段芯片组,威尔金森功率分配器,L波段芯片组,开关,L-BAND CHIPSET,LNA,MPA,CHA7618-99F,CHA2441-QAG,CHV2421-QDG,CHT4016-99F,CHA5618-99F,CHK9013-99F,PPH25,CHA6105-99F,CHA4105-99F,CHR3693-QDG,CHA4314-98F,CHX2095A99F,CHP3015-QDG,CHC2444-QBB,PH25,CHA5266-FAB,CHR3352-QEG,CHA3664-QAG,CHA7115-99F,CHA3514-99F,CHC6094-QKB,CHV3241-QDG,CHR2411-QDG,CHA5115-99F,CHS5104-QAG,CHA6652-98F,CHA8012-99F,CHA8362-99F,PH10,CHA6551-99F,CHA6652-QXG,CHA5005-QDG,CHP4014-98F,PH15,CHA4253AQQG,CHW4313-QAG,CHA3398-98F,CHA6095-QKB,CHA2494-98F,CHT3029-99F,CHT3091A99F,CHR3762-QDG,CHA7453-99F,CHP4014-QEG,CHT4690-QAG,CHR3364-QEG,CHA3395-98F,CHA2293-99F,CHX1191-QDG,CHV1203-FAB,CHP4010-99F,CHX2089-99F,CHA5266-99F,CHA4253-FAB,CHW4312-QKA,CHA2159-99F,CHE1260-QAG,PPH15X,CHA6005-99F,CHA3656-QAG,CHR3662-QDG,CHW4213-QAG,CHU3377-98F,CHR3693-FAB,CHA5014-99F,CHKA012A99F,CHZ180A-SEB,CHT4694-QAG,CHX2092A99F,BES,CHA7250-QAB,CHA2368-98F,CHR1080A98F,CHA7060-QAB,CHX2193-FAB,CHA2394-99F,CHT4690-FAB,HB20M,CHM2179B98F,CHA3092-99F,CHA7063-QCB,CHA3090-98F,CHA8252-99F,CHZ180AASEB,CHK015AAQIA,CHP3010A98F,CHA3511-99F,CHA2595-98F,CHX1162-QDG,CHR1080A99F,CHT4016-QEG,CHP1102-QGG,CHA4105-QDG,CHR3693-99F,CHA2069-QDG,CHW4212-QKA,CHA6682-98F,CHP1102-98F,CHA2090-99F,CHA1010-99F,CHU2277-99F,CHR3394-QEG,CHA4350-QDG,CHA3801-99F,CHR3663-QEG,CHX2193-99F,CHC1443-QRA,CHX1191-98F,CHA3666-99F,CHM1080-98F,CHR3763-QDG,CHS8618-99F,CHA7452-99F,CHA3409-98F,CHA2362-98F,GH25,CHA5266-QDG,CHR3764-QEG,CHT3029-QEG,CHA3024-QGG,CHA2098B99F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHR2294-99F,CHA3063-99F,CHA3395-QDG,CHK8015-99F,GH15,CHA6550-98F,CHA2494-QEG,CHA8611-99F,CHR2270-QRG,CHA8710-QDB,CHA2066-99F,CHM1291-99F,CHA3801-FAB,CHP4511-99F,CHA8710A99F,CHS5104-FAB,CHK5010-99F,CHP4012A98F,CHA3080-98F,CHA6550-QXG,CHA5659-98F,CHM1294-99F,CHK8101-SYC,CHX2090-QDG,CHA3512-99F,CHK8013-99F,CHA1008-99F,CHA8618-99F,CHA2190-99F,CHA5350-99F,CHS5100-99F,CHA3565-QAG,CHA6682-QKB,CHV1203A98F,CHA5659-QXG,CHP3010-QFG,CHT4660-QAG,CHA3688AQDG,CHA3024-99F,CHA4253A98F,CHA7062-QCB,CHA3801-QDG,CHR3664-QEG,CHA2110-QDG,CHX2192-99F,CHR3362-QEG,CHA2595-QDG,HP07,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA2069-99F,CHR2421-QEG,CHT4699-QDG,CHZ015AAQEG,CHS5104-99F,CHP1102-QDG,CHT4690-99F,CHR3861-QEG,CHP4012-QEG,CHA8100-99F,CHT3091AQAG,CHX3068-QDG,CHR3894-98F,CHZ8012-QJA,CHA2266-99F,CHS2411-QDG,CHV1206A98F,CHA8352-99F,CHA3218-99F,CHR2295-99F,CHA7455-99F,CHA2069-FAB,CHP6013-SRF,CHA1077A98F,CHX2091-99F,CHA2193-99F,CHA3666-FAB,CHA3024-FDB,CHM1290-99F,CHA8610-99F,CHT4694-99F,CHM2378A99F,CHA6710-FAB,CHA2157-99F,CHU2277A98F,CHS7012-99F,CHA8254-99F,CHA2110-98F,CHA3023-99F,CHKA011ASXA,CHA3656-FAB,CHC3014-99F,CHA6262-99F,CHA8262-99F,CHKA012BSYA,CHM1270A98F,CHT4012-QDG,CHA2411-QDG,CHA6094-QKB,CHP3015-99F,CHE1260-98F,CHA4107-QDG,CHA3513-99F,CHA5115-QDG,CHA2063A99F,CHK9014-99F,CHA7114-99F,CHK8201-SYA,CHA3397-QDG,CHA2080-98F,CHV2411AQDG,CHA3665-QAG,CHE1270-QAG,CHA2292-99F,CHT4660-FAB,CHV2240-99F,CHA8312-99F,CHA6710-99F,CHC2442-QPG,CHA3398-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7215-99F,CHA6354-QQA,CHK8101A99F,CHA4102-QEG,CHA4220-98F,CHC6054-QQA,CHR2291-99F,CHS5105-QAG,CHA6653-98F,CHA6362-QXG,CHA6005-QEG,CHA2066-QAG,CHT4012A98F,CHV2243A99F,CHA8054-99F,CHZ9012-QFA,CHA6282-QCB,CHX2090-99F,CHA3689-99F,CHE1270A99F,CHR3894-QEG,CHA6194-QXG,EC2612-99F,CHR2296-99F,CHE1270A98F,CHA6356-QXG,CHA8612-QDB,CHM1298-99F,CHA6357-QKB,CHA8212-99F,CHA4220-QGG,电信,汽车,仪表,AEROSPACE,航空航天,INSTRUMENTATION,TELECOMS,DEFENSE,AUTOMOTIVE,国防
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产品型号
|
品类
|
Glin(dB) @ Freq(GHz)
|
Operating Frequency(GHz)
|
Saturated Power(W)
|
PAE(%) @ Freq(GHz)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHKA011aSXA
|
氮化镓功率晶体管
|
23.5 @ 0.44
|
Up to 1.5
|
130
|
75 @ 0.44
|
640
|
50
|
Ceramic Metal Flange
|
选型表 - UMS 立即选型
L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段高性能微波单片集成电路
UMS SATCOM Products提供高性能MMICs,涵盖L、S、C、X、Ku、Ka和Q波段。产品包括低噪声放大器(LNA)、功率放大器(PA)和频率转换器,适用于卫星通信终端。UMS支持客户向更高频率和更宽频带迁移,并提供多种封装解决方案,满足传统GEO和新LEO上行链路和下行链路的需求。产品目录包括多种放大器、衰减器、下变频器和功率分配器等。
UMS - 功分器,衰减器,下变频器,RF & MM-WAVE LOW NOISE & POWER AMPLIFIERS,GAN HEMT POWER TRANSISTOR,POWER DIVIDER,低噪音放大器,ATTENUATOR,AMPLIFIER,氮化镓高电子迁移率晶体管,中功率放大器,HPA,放大器,DOWN - CONVERTER,射频和毫米波低噪声和功率放大器,LNA,MPA,CHT4690-FAB,CHK8101-SYC,CHA7063-QCB,CHA8252-99F,CHA8254-99F,CHT4660-QAG,CHR3693-QDG,CHA3688AQDG,CHA2595-98F,CHA8262-99F,CHA4253A98F,CHA4253-QQG,CHR3352-QEG,CHR3693-99F,CHW4212-QKA,CHA8012-99F,CHA2595-QDG,CHA4107-99F,CHA3396-QDG,CHA4107-QDG,CHA8362-99F,CHA5005-QDG,CHA3666-99F,CHW4313-QAG,CHA8312-99F,CHA2362-98F,CHR3762-QDG,CHA6653-QXG,CHA3666-QAG,CHA7453-99F,CHA6354-QQA,CHA3395-98F,CHA6653-98F,CHT3091-FAB,CHA2352-98F,CHA4253-FAB,CHA3395-QDG,CHW4312-QKA,CHA8352-99F,CHW4213-QAG,CHA6550-98F,CHR3693-FAB,CHA6282-QCB,CHA7455-99F,CHA8710-QDB,CHA3801-FAB,CHA2069-FAB,CHA2368-98F,CHA8612-QDB,CHA3666-FAB,CHA6357-QKB,CHA6550-QXG,卫星通信,ON-BOARD SATELLITE EQUIPMENT,SATELLITE COMMUNICATION,星载卫星设备
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UMS - 氮化镓高电子迁移率晶体管工艺,GAN HEMT PROCESS,GH15,PT TO PT RADIO,5G,宽带放大,SATCOM,雷达,RADAR,卫星通信,HI-REL PRODUCTS,HI-REL产品,点对点无线电,BROADBAND AMPLIFICATION
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可定制导热胶的导热系数1~6W、粘度范围3000~250000cps、固化方式可加热、仅室温、可UV;施胶方式:点胶机、手工、喷胶、转印;支持颜色、硬度、固化时间等参数的个性化定制。
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