【产品】功耗为1.6W的超薄型P沟道增强型MOSFET, 尺寸仅1.5mmx2mm×0.4mm
CENTRAL半导体公司推出的CTLDM8120-M621H是一款超薄型P沟道增强型MOSFET，采用热效率高的小型TLM表面贴装封装，整体外形尺寸仅1.5mmx2mm×0.4mm，是紧凑型设备的理想选择。该器件提供了高电流和很低的通态电阻，设计于负载/电源开关、电源转换器电路和电池供电的便携式设备等应用。
图1. CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的产品图
一般而言，MOSFET数据表中最为设计者关心的基本参数是rDS(ON)、BVDSS、Qgs和VGS，CTLDM8120-M621H增强型P沟道MOSFET的rDS(ON)最大值仅为0.24Ω(VGS=1.8V，ID=0.2A)，通态电阻极小，降低了导通损耗，并允许器件工作在较低的温度下；其BVDSS最小值20V(VGS=0V，ID=250μA)，击穿电压较大，降低了器件击穿损坏的概率；Qgs典型值为0.36nC(VDS=10V，VGS=4.5V，ID=1.0A),开关需要的栅极电荷少，开关时间缩短，开关功耗损失减少，这在高频开关应用中尤为重要；产品的VGS为最大值8.0V，栅源电压与温度有关，在较低的温度下VGS较小，且栅极氧化层寿命相对较高。
图2. CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的内部结构图
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的功耗为1.6W，且本产品的ID可达950mA，能够承受较高的最大连续电流，器件不容易损坏。工作和存储温度范围为-65至+150℃，采用无卤素设计，满足工业元件对温度和环保的要求。
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的产品特性：
• 超低rDS(ON) ，仅为0.24Ω
• 最小BVDSS为20V
• Qgs典型值为0.36nC
• VGS为最大值8.0V
• 功耗为1.6W
• 工作和存储温度范围为-65至+150℃
• 高电流（ID=950mA）
• 逻辑电平兼容
• 超小超薄型TLM表面贴装封装，尺寸：1.5x2.0x0.4mm
• 无卤素设计
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的应用领域：
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
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Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-11-11好器件 -
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小胖 Lv7. 资深专家 2018-11-08这么小体积已经很厉害了 -
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金咕咕 Lv5. 技术专家 2018-11-02学习 -
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耕者 Lv6. 高级专家 2018-10-26好器件值得分享！ -
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梅西 Lv6. 高级专家 2018-10-25好东西 -
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2020mice Lv7. 资深专家 2018-10-21学习 -
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魅族 Lv6. 高级专家 2018-10-21好东西，学习 -
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飞鹰456 Lv4. 资深工程师 2018-10-19好东西 -
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luose Lv8. 研究员 2018-08-12学习了！
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