【产品】功耗为1.6W的超薄型P沟道增强型MOSFET, 尺寸仅1.5mmx2mm×0.4mm
CENTRAL半导体公司推出的CTLDM8120-M621H是一款超薄型P沟道增强型MOSFET,采用热效率高的小型TLM表面贴装封装,整体外形尺寸仅1.5mmx2mm×0.4mm,是紧凑型设备的理想选择。该器件提供了高电流和很低的通态电阻,设计于负载/电源开关、电源转换器电路和电池供电的便携式设备等应用。
图1. CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的产品图
一般而言,MOSFET数据表中最为设计者关心的基本参数是rDS(ON)、BVDSS、Qgs和VGS,CTLDM8120-M621H增强型P沟道MOSFET的rDS(ON)最大值仅为0.24Ω(VGS=1.8V,ID=0.2A),通态电阻极小,降低了导通损耗,并允许器件工作在较低的温度下;其BVDSS最小值20V(VGS=0V,ID=250μA),击穿电压较大,降低了器件击穿损坏的概率;Qgs典型值为0.36nC(VDS=10V,VGS=4.5V,ID=1.0A),开关需要的栅极电荷少,开关时间缩短,开关功耗损失减少,这在高频开关应用中尤为重要;产品的VGS为最大值8.0V,栅源电压与温度有关,在较低的温度下VGS较小,且栅极氧化层寿命相对较高。
图2. CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的内部结构图
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的功耗为1.6W,且本产品的ID可达950mA,能够承受较高的最大连续电流,器件不容易损坏。工作和存储温度范围为-65至+150℃,采用无卤素设计,满足工业元件对温度和环保的要求。
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的产品特性:
• 超低rDS(ON) ,仅为0.24Ω
• 最小BVDSS为20V
• Qgs典型值为0.36nC
• VGS为最大值8.0V
• 功耗为1.6W
• 工作和存储温度范围为-65至+150℃
• 高电流(ID=950mA)
• 逻辑电平兼容
• 超小超薄型TLM表面贴装封装,尺寸:1.5x2.0x0.4mm
• 无卤素设计
CTLDM8120-M621H P沟道增强型MOSFET的应用领域:
• 负载/电源开关
• 电源转换器电路
• 电池供电的便携式设备
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Jackie0078 Lv8. 研究员 2018-11-11好器件
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小胖 Lv7. 资深专家 2018-11-08这么小体积已经很厉害了
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金咕咕 Lv5. 技术专家 2018-11-02学习
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耕者 Lv6. 高级专家 2018-10-26好器件值得分享!
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梅西 Lv6. 高级专家 2018-10-25好东西
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2020mice Lv7. 资深专家 2018-10-21学习
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魅族 Lv6. 高级专家 2018-10-21好东西,学习
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飞鹰456 Lv4. 资深工程师 2018-10-19好东西
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luose Lv8. 研究员 2018-08-12学习了!
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