【应用】新洁能N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品用于OEM PC电源,击穿电压500至800V
电源如同PC的心脏,为各硬件供能。如今不断进步的技术使得PC中央处理器(CPU)的总功耗持续下降,然而随着GPU功耗的极快提升,PC整体功耗给电源带来了新的挑战。同时,OEM PC电源对更小体积和DIY市场的更佳性价比需求也是必不可少的。
新洁能的Super-Junction Gen.3系列产品具有更快的开关速度,更低的导通损耗、极低的栅极电荷(Qg),从而降低了器件的功率损耗,提高系统效率。同时,由于采用了自主创新技术,优化了器件的开关特性,器件在系统中具有更好的EMI表现。另外,多样的封装形式能满足您的不同需求。
图 1 线路图
推荐产品
PFC :
SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET:
VDS=650V
Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ
双管正激:
SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET:
VDS=650V-700V
Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ
LLC:
SJ-III TF MOSFET:
VDS=650V
Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ
新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以良好的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。同时,新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量(EAS)以及静电释放能力,提高了系统可靠性。此外,该系列产品采用新洁能自主创新技术,优化了产品开关特性,使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等。
特性
●导通电阻低
●栅极电荷低
●开关速度出色
●性价比极高
●系统可靠性提高
应用
●电视
●5G电源
●基站电源
●PC电源
●充电器
●适配器
●LED照明
●扫地机器人
●破壁机
●抽油烟机
●空气净化器
●吸尘器
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
NCE(新洁能)MOSFET 选型表
NCE(新洁能)为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C)其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。推出的TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并大大降低成本,可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。
产品型号
|
品类
|
封装/外壳/尺寸
|
车规级/工业级
|
Technology
|
Polarity
|
BVDSS(V)
|
ID(A)
|
VTH(V)
|
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
|
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
|
VGS(th)(V)
|
CISS(pF)
|
QG(nC)
|
PD(W)
|
NCE12P09S
|
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
|
SOP-8
|
工业级
|
Trench
|
P
|
-12
|
-9
|
-0.7
|
11.5
|
18
|
14
|
22
|
±12
|
2700
|
35
|
2.5
|
选型表 - NCE 立即选型
【选型】新洁能Super Trench MOSFET系列产品助力基站电源解决方案,全面提升器件的开关特性和导通特性
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电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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