【应用】新洁能N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品用于OEM PC电源,击穿电压500至800V

2023-04-14 NCE官网
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电源如同PC的心脏,为各硬件供能。如今不断进步的技术使得PC中央处理器(CPU)的总功耗持续下降,然而随着GPU功耗的极快提升,PC整体功耗给电源带来了新的挑战。同时,OEM PC电源对更小体积和DIY市场的更佳性价比需求也是必不可少的。

       

新洁能的Super-Junction Gen.3系列产品具有更快的开关速度,更低的导通损耗、极低的栅极电荷(Qg),从而降低了器件的功率损耗,提高系统效率。同时,由于采用了自主创新技术,优化了器件的开关特性,器件在系统中具有更好的EMI表现。另外,多样的封装形式能满足您的不同需求。

图 1 线路图


推荐产品

PFC :

SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET

VDS=650V

Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ


双管正激:

SJ-III MOSFET & SJ-III TF MOSFET & SJ-IV MOSFET & SJ-IV NF MOSFET:

VDS=650V-700V

Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ    

  

LLC:

SJ-III TF MOSFET:

VDS=650V

Ron@10V(max)=41mΩ-200mΩ


新洁能提供击穿电压等级范围为500V至800V的N沟道SJ-III系列功率MOSFET产品,以良好的导通电阻,极低的栅极电荷,出色的开关速度,以及极具竞争力的性价比,成为开关电源应用中的理想选择。同时,新洁能SJ-III系列产品提供雪崩耐量(EAS)以及静电释放能力,提高了系统可靠性。此外,该系列产品采用新洁能自主创新技术,优化了产品开关特性,使其在系统应用时具有更好的EMI表现。广泛应用在家用电器驱动、计算机电源、UPS、电动汽车充电等领域。N沟道500-800V系列SJ-III MOSFET产品封装范围包括TO-220、TO-223、TO-263、TO-251、TO-252、TO-247等


特性

●导通电阻低

●栅极电荷低

●开关速度出色

●性价比极高

●系统可靠性提高



应用

●电视 

●5G电源 

●基站电源 

●PC电源 

●充电器 

●适配器 

●LED照明 

●扫地机器人 

●破壁机 

●抽油烟机 

●空气净化器 

●吸尘器

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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  • zwjiang Lv9. 科学家 2024-02-23
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型号- 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

选型指南  -  NCE  - 2022/12/12 PDF 英文 下载

NCE(新洁能)MOSFET 选型表

NCE(新洁能)为电路设计师们提供全面的产品选择,击穿电压覆盖-200V至300V,以及100mA至400A的电流选择范围,低开关损耗的系列产品(产品名称后加标C)其有效降低了栅极电荷(Qg),尤其是栅极漏极间的电荷(Qgd),从而在快速开关过程中降低开关功率损耗。应对于半桥/全桥、AC/DC电源的同步整流以及其它需要反向续流的应用终端,新洁能的MOSFET着重优化了Body Diode,在提高和加快反向续流能力的同时,降低反向恢复过程中的峰值电流(Irm)和电压(Vrm)。推出的TO-220H封装外形(产品名称后加标H),有效地增加了用户在电路板装配MOSFET的工作效率,并大大降低成本,可广泛应用于直流-直流转换,次级侧同步整流器,电机控制等领域。

产品型号
品类
封装/外壳/尺寸
车规级/工业级
Technology
Polarity
BVDSS(V)
ID(A)
VTH(V)
RDS(ON)@4.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@4.5VMax(mΩ)
RDS(ON)@2.5VTyp(mΩ)
RDS(ON)@2.5VMax(mΩ)
VGS(th)(V)
CISS(pF)
QG(nC)
PD(W)
NCE12P09S
P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
SOP-8
工业级
Trench
P
-12
-9
-0.7
11.5
18
14
22
±12
2700
35
2.5

选型表  -  NCE 立即选型

CAD模型库  -  NCE  - 2024/8/7 RAR 英文 下载

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功率MOSFET管检测:动静态参数/热特性/高低温性能/可靠性等参数测试

可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。

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