【应用】国产MOSFET TPW65R040M助力3KW的5G通信电源PFC低损耗设计,导通电阻最大值仅40mΩ
图1是3KW的5G通信电源的主架构框图。其中主体是由整流+PFC+逆变+同步整流搭建而成。PFC主要是采用MOSFET(Q1)配合升压电感(L)和续流二极管(D1)作为功率因数校正并提供恒定的母线电压,然后作为逆变端的供电电源。
基于3KW的5G通信电源追求高功率密度需求特性。PFC选型时的Q1导通压降要求尽可能的低,这样才能降低系统损耗,或者同样的损耗条件下减小散热器的体积,故Q1的MOSFET在满足电流规格下的导通电阻是越小越好。无锡紫光微的TPW65R040M(用于图1的Q1位置),是650V/72A的MOSFET,RDS(on)标准值是35mΩ,最大值仅40mΩ,导通电阻非常低,在10A应用稳态电流下,相当于最大0.4W的功耗。故TPW65R040M在3KW的5G通信电源PFC应用上可实现低损耗设计。
图1:通信电源主架构框图
TPW65R040M应用在此处的优势:
1: 导通电阻低,实现低导通损耗。由Figure3的RDS(on)-ID关系曲线可以看出。在VGS=10V、Tj=25℃的条件下,导通电阻与电流是正比关系,当电流50A时,导通电阻依旧维持40mΩ的等级,且应用电流越小,导通电阻就越低,相应的导通损耗也就越低。
2:Qg低至160nC。Qg*RDS(on)是MOSFET产品品质的体现。另外根据Qg=I*t的关系式,同样的驱动电流I的情况下,Qg越低,代表整体开通的时间越短,开通的损耗也就越小。
3:dv/dt强至50V/ns。动态特性的dv/dt是MOSFET在应用时EMI影响的重要参数。实际应用时的实测dv/dt越大,相应的di/dt也就更大,MOSFET误导通的风险就越高,一旦实测的超过了规格50V/ns,会导致MOSFET损坏风险。所以MOSFET本身能承受的标称值dv/dt越大,产品的可靠性更高,MOSFET的开通频率和速率也可以做得更高。提升开关速率也可以进一步降低开关损耗。
TPW65R040M的主要参数和封装信息:
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目录- SJ MOSFET SJ-Multiepi MOSFET VD MOSFET Trench MOSFET DT MOSFET
型号- TPD60R1K0C,TMP11N60H,TMA28N50HS,TPA70R1K5M,TMD4N50H,TPV60R350C,TSB15N10A,TPU50R5K0D,TPW60R075C,TMA9N70H,TPR60R580C,TMA45N30H,TPW60R160M,TPB70R135MFD,TTB95N68A,TPU65R600M,TMP20N40H,TMP12N65H,TMJ2N50HF,TMU3N55LT,TMA8N90H,TMA45N50HS,TTD100N04AT,TMS05P35H,TPU65R600C,TPW90R350A,TMP30N25H,TPD65R4K3C,TMD5N30H,TMA12N50HF,TMA8N50HFE,TMP10N80H,TPP65R380C,TPA60R260MFD,TMW35N60H,TPW55R060D,TMA3N65H,TPV60R240M,TMA3N65L,TMA3N65M,TMA3N65N,TTD85N03AT,TPA70R600M,TPD50R5K4CT,TPW65R044MFD,TMU6N60H,TPD65R450CFD,TMP12N40H,TPA110R550A,TTU03P06ATS,TPU65R1K5M,TSP180N03A,TPY70R1K5C,TMA9N95H,TPA65R940C,TMA4N100H,TPA65R2K2C,TPA70R1K5C,TMU2N55CT,TMA8N50HF,TMA8N50HE,TTP90N03AT,TMA3N66H,TMU5N80H,TPP80R750C,TMA8N50HH,TPU73R400M,TMP12N43H,TMX05P35H,TMA13N65H,TTX2305A,TPB60R580C,TPU60R7K5C,TPD65R2K7C,TMA20N60H,TMP7N65HS,TTP115N08A,TMA08N60HS,TPV65R085CFD,TPA65R190MFD,TPU65R1K2C,TPP65R160C,TMW3N150H,TPB65R300MFD,TPW50R060DFD,TPP100R500A,TPU65R950M,TMP20N65H,TPD65R280D,TMA4N55LT,TPW100R800A,TMA12N60H,TPU70R700C,TMU8N65H,TPP70R260M,TMV25N55H,TPV70R190MFD,TPC80R1K2C,TPB65R750C,TPD65R2K6C,TPA60R170MFD,TPV70R090M,TMA3N55HT,TPA80R250A,TSG10N06A,TPU55R6K5C,TMA28N30H,TPA50R700C,TSJ10N06AT,TPA73R300M,TPU50R5K4C,TSU10N06A,TMP30N10HT,TTB65N10A,TTJ12N04AT,TPA65R170M,TSP12N06A,TPC60R150C,TMA8N70H,TPB50R400C,TTU05P03ATS,TMC6N70H,TMP15P20H,TPP60R260MFD,TMA8N65HS,TSD12N06AT,TMW9N90H,TPP60R600MFD,TMP13N40H,TPW70R120M,TMD7N53HE,TMP1N60C,TMP140N10A,TPP65R360M,TMR12N50H,TTD18P10AT,TPA65R280D,TPV73R300M,TMB160N10A,TMP110N06H,TPW65R100MFD,TTU01P10ATS,TPD55R2K1C,TMD3N50H,TMD2N70H,TSG10N06AT,TPU50R360D,TMP12N60H,TPD60R1K4M,TMU1N50LT,TPU60R360MFD,TMA12N65H,TMU7N65M,TMA10N80H,TTU08N02ATS,TPA70R950C,TPA70R950M,TMP9N90H,TPA60R330M,TMU7N65H,TPC80R1K5C,TMA11N60H,TMP2N60H,TMA20N50HS,TMA3N120H,TMU4N80H,TPD70R360M,TMP4N60HS,TTG130N03GT,TPU50R250C,TTP70N07A,TPV50R060C,TPY70R1K4C,TPP70R170M,TPC60R700C,TPB65R1K2C,TMU4N40HT,TPA70R1K4C,TMA4N55HT,TMV2N60HF,TPA50R2K3C,TMP12N60HS,TPD65R940C,TPG65R365MH,TMV9N90H,TMA13N68H,TPB65R090M,TMU03N60HT,TPD60R840C,TPD65R2K2C,TPU70R2K8C,TTU95N68A,TTP95N68A,TPP65R600M,TMU1N50HT,TMA4N60H,TPC65R380C,TPD70R1K5M,TMA40N20H,TPD60R1K8C,TMA3N80H,TPP65R070D,TTP100N04AT,TSG010N03AT,TPA100R500A,TTD120N03AT,TPP65R075DFD,TPP65R600C,TMU8N60H,TPC50R690C,TMA4N60N,TMA4N60L,TMA4N60M,TMD2N65HT,TPB80R300CFD,TPP65R950M,TMU08N50HT,TPW60R036M,TTD65N04AT,TPA120R800A,TMP162N04H,TPP60R2K5C,TPP70R700C,TPA60R600MFD,TPA80R300A,TMU1N50C,TPP80R1K2C,TPA80R300C,TPW80R300C,TPB65R400MFD,TMU1N50H,TMA5N65H,TMV8N120H,TMD2N50H,TPC70R260M,TMB120N08A,TPA65R520D,TMP120N08A,TPB100R800A,TPP60R700C,TPD70R950M,TMA12N45H,TMA2N50HF,TMU2N55L,TMA10N60N,TPD70R950C,TMD2N50CF,TPP65R700MFD,TMA10N60H,TMW6N90H,TMP50N06HT,TPD80R2K2C,TSG10N06ATC,TPP70R190C,TPP80R1K5C,TPW110R800A,TPP110R550A,TMA2N65H,TPA65R9K2C,TMP25N055H,TPP65R1K2C,TPD70R1K4C,TMD5N50NF,TTP120N02GT,TMP6N90H,TTG40P02ATC,TPD60R1K7C,TMA18N70H,TMA1N60H,TPU65R380C,TPD70R600M,TMP16N25H,TPU80R750C,TTU04N08ATS,TPW70R300MFD,TPA50R500C,TTD28P10AT,TMP8N50L,TMA11N65H,TPA60R1K0C,TMA4N60HF,TPD70R1K5C,TMP8N50H,TMA9N90H,TTP50P06AT,TPV100R500A,TMD8N60H,TMP20N60H,TPU55R2K9C,TPD65R400MFD,TMB140N10A,TPC65R360M,TMA3N60H,TMU9N20H,TPU50R1K8C,TPV80R300CFD,TMP38N30HF,TMA6N65HH,TPB70R120M,TPA60R530M,TMP5N100H,TMA5N20H,TPA73R190M,TPR70R120M,TPU60R600MFD,TPV73R190M,TPU60R2K2C,TPC50R250C,TMA25N50C,TTP118N08A,TMU7N60H,TMA4N65M,TMA4N65N,TMP3N100H,TMU7N60L,TMU1N50CT,TMY1N60H,TMA4N65H,TMP1N20H,TSB12N10A,TMA4N65D,TSU12N06A,TPD55R2K9C,TMA25N50H,TMA3N100HE,TPP60R360MFD,TMC10N65H,TMY1N60B,TPP50R500C,TPW70R044MFD,TPB70R400MFD,TMA10N40L,TTD135N68A,TMW9N95H,TPU50R1K6C,TPV65R080C,TTB80N04AT,TSP045N10A,TPU80R1K2C,TMA10N40H,TMD7N60HF,TPP60R190A,TMA85N08H,TMP15N40H,TTK8205,TPB90R350A,TPC60R350C,TMA12N50NF,TPA120R1K5A,TTG65N10A,TTP115N68A,TMA10N65N,TSP12N10AT,TPB70R450C,TMA6N65HS,TPP65R1K5M,TMA10N65H,TPU50R1K5C,TPC60R240M,TMA18N50H,TPD60R3K4C,TMA2N60H,TPB65R380C,TMD1N65H,TPR65R260M,TMU5N50CF,TPA80R1K2C,TPA65R400MFD,TMV28N55H,TPP80R270M,TMW57N10H,TMA16N60H,TPA65R280DFD,TMD8N55HE,TPP60R580C,TTP150N02GT,TMU3N50H,TSP15N06A,TPP120R800A,TMC10N60N,TPW50R065CFD,TPA70R190MFD,TMP6N40H,TTD120N02GT,TMC10N60H,TMU2N70H,TTP120N03AT,TMU6N60HF,TTJ05P04AT,TMP8N25H,TMU2N70L,TMU5N30HT,TPA70R450C,TMA9N20HT,TMP2N50HT,TMU2N70N,TPC65R940C,TPB65R100MFD,TMA18N20H,TPU60R3K4C,TMV10N90H,TMU02N15AT,TPA80R300CFD,TSU12N10AT,TPW60R260MFD,TPC70R1K5C,TMA25N55H,TMA4N90H,TPV60R190A,TMU1N55LT,TMW45N50HF,TPA55R2K1C,TPD50R500C,TPA60R3K4C,TPC70R950C,TMD8N50H,TMA3N50LT,TPA60R160M,TSG12N06AC,TTP60N10AT,TMA7N55H,TMP7N65M,TPA65R450CFD,TMA5N70H,TPR70R360M,TPA80R1K5C,TSP15N08A,TPU60R1K7C,TMA7N50LF,TPV60R080M,TMD9N20LT,TSG12N06AT,TPC70R1K4C,TMU4N55C,TPY70R1K5MB,TPW65R170M,TPW110R500A,TMA6N50H,TPU80R1K5C,TMU2N50HT,TMS1N40HT,TMP16N65H,TTP55N12A,TPA80R180M,TPU60R1K8C,TPP65R280DFD,TMV20N65H,TSD10N06AT,TMD7N70H,TPW50R055D,TPD50R700C,TPB65R450CFD,TMV3N150H,TMZ1N60B,TMP2N50CT,TPC65R170M,TPW60R120MFD,TPB65R360M,TMW25N50H,TPP50R1K8C,TTG60N03QTC,TPA70R120M,TPP80R300CFD,TMC12N65H,TMD8N53HE,TTD110P03AT,TMZ1N60L,TMV20N60H,TMV11N90H,TMP50N
无锡紫光微MOS选型表
无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型
产品型号
|
品类
|
Package
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BVdss(V)
|
ID(A)Tc=25℃
|
Vth(V)min
|
Vth(V)max
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp
|
Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
|
TPW50R060C
|
Super Junction MOSFET
|
TO-247
|
500
|
47
|
2.5
|
4
|
0.043
|
0.06
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
TMA18N50H 500V N沟道MOSFET
描述- 本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics Co.,Ltd生产的TMA18N50H 500V N-Channel MOSFET。该器件是一种垂直电流流过的高压双扩散VDMOSFET,具有电压控制特性。其主要特点包括高输入阻抗、低驱动功率、良好的频率特性以及负温度系数。资料中提供了该器件的绝对最大额定值、电气特性、典型特性以及封装信息。
型号- TMA18N50H
无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表
无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型,Rdson(mΩ) Vgs=10V FT typ:15.6~2000,Rdson(mΩ) Vgs=10V FT max:18~2200。
产品型号
|
品类
|
Product State
|
封装形式
|
Rdson(mΩ) Vgs=10V FT typ
|
Rdson(mΩ) Vgs=10V FT max
|
BVdss(V) min
|
BVdss(V) typ
|
ID(A)
|
Vth(V)min
|
Vth(V)max
|
应用建议
|
TPW120R800A
|
SJ-MOSFET
|
M
|
TO-247
|
640
|
800
|
1200
|
1320
|
12
|
2.5
|
4
|
辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源
|
选型表 - 无锡紫光微 立即选型
TPG65R360M 650V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了无锡微电子有限公司生产的TPG65R360M型650V超级结功率MOSFET。该器件采用多EPI技术,具有极低的开关、传导和通态损耗,适用于高频应用,提供更高的可靠性和效率。
型号- TPG65R360M
TTP70N04AT 40V N沟道 MOSFET(初步)
描述- 本资料介绍了TTP70N04AT型40V N-Channel Trench MOSFET,包括其产品概述、电气特性、热特性、开关参数、典型电气和热特性曲线等。该产品适用于多种应用,如电源和AC/DC转换器等。
型号- TTP70N04AT
TPW60R028DFD 600V超级结功率MOSFET\r
描述- 本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的TPW60R028DFD型号600V超级结功率MOSFET。该器件采用深沟槽技术,具有超低开关、传导和通态损耗,适用于高频应用,提供更高的可靠性和效率。
型号- TPW60R028DFD
TTP70N07A 70V N沟道 MOSFET
描述- TTP70N07A是由无锡紫光微电子有限公司生产的70V N-Channel Trench MOSFET。该产品适用于电源模块和工业应用,具有高电流承载能力和低导通电阻,适用于各种电源和工业应用。
型号- TTP70N07A
TTD70N04AT 40V N沟道 MOSFET(初步)
描述- 本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.生产的TTD70N04AT 40V N-Channel Trench MOSFET。该器件具有高电流承载能力、低导通电阻和良好的热特性,适用于多种工业应用。
型号- TTD70N04AT
TTB95N68A、TTP95N68A 68V N沟道 MOSFET
描述- 本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.生产的68V N-Channel Trench MOSFET,包括产品概述、电气特性、典型特性、封装尺寸等。产品采用 trench power technology,具有低RDS(ON)、低栅极电荷等特性,适用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流、电信和工业中的隔离DC/DC转换器等应用。
型号- TTP95N68A,TTB95N68A
TTP50N03Q 30V N沟道 MOSFET(初步)
描述- 本资料介绍了TTP50N03Q型30V N-Channel Trench MOSFET,包括其产品概述、电气特性、热特性、典型电气和热特性曲线、封装类型以及免责声明。该MOSFET适用于多种应用,如开关电源和工业设备。
型号- TTP50N03Q
TTD50N03Q 30V N沟道 MOSFET(初步)
描述- 本资料介绍了Wuxi Unigroup Microelectronics CO.,LTD.生产的TTD50N03Q 30V N-Channel Trench MOSFET。该产品具有30V的漏源电压、50A的漏极电流和小于10mΩ的导通电阻,适用于多种应用,包括电机驱动、AC/DC转换器和工业应用。
型号- TTD50N03Q
TPA55R065DFD 550V超级结功率MOSFET
描述- 本资料介绍了由无锡微电子集团有限公司生产的TPA55R065DFD型号550V超级结功率MOSFET。该器件采用深沟槽技术,具有超低开关、传导和通信用损耗,适用于高电压功率MOSFET领域,特别适合于谐振切换应用。
型号- TPA55R065DFD
TPA65R600N、TPD65R600N 650V超级结功率MOSFET\n
描述- 本资料介绍了无锡微电子股份有限公司生产的650V Super-junction Power MOSFET器件TPA65R600N和TPD65R600N。这些MOSFET采用Super-junction技术,具有极低的开关损耗、传导损耗和通态电阻,适用于高电压功率转换应用。
型号- TPA65R600N,TPD65R600N
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
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