【产品】2Mbit串行接口Flash存储器设备ZD25WD20B，可用于大容量消费类应用

时间： 2022-03-01 来源：ZETTA

技术问答

ZD25WD20B是ZETTA推出的一款2Mbit串行接口Flash存储器设备，该存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码是从Flash存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页面擦除粒度，是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。

该设备已经对块擦除大小进行了优化，以满足当今的代码和数据存储应用程序的需求。通过优化块擦除的大小，可以更有效地使用内存空间。由于某些代码模块和数据存储段必须单独驻留在它们自己的擦除区域中，因此大扇区和大块擦除闪存设备可以大大减少浪费和未使用的内存空间。这种增加的内存空间效率允许添加额外的代码例程和数据存储段，同时仍然保持相同的总体设备密度。

该设备还包含一个额外的3*512字节的带OTP锁的安全寄存器(One-Time Programmable)，可以用于唯一设备序列化，系统级电子序列号(ESN)存储，锁密钥存储等目的。

该设备专为许多不同的系统而设计，支持读取、编程和擦除操作，供电电压范围从1.65V到3.6V。编程和擦除不需要单独的电压。

ZD25WD20B 一般特征如下：

（1）单电源1.65V到3.60V供电

- 1.65V~3.6V用于读取，擦除和编程操作

（2）工业温度范围：-40℃~85℃

（3）SPI兼容性：

支持SPI模式0、模式3

（4）单IO和双IO模式

- 2M x 1bit

- 1M x 2bits

(5)灵活的代码和数据存储架构

-统一256字节页编程

-统一256字节页擦除

-统一4K字节扇区擦除

-统一32K/ 64K字节块擦除

-全芯片擦除

ZD25WD20B性能如下：

（1）快速读取

- 2 I/O 104MHz, 4个假周期，相当于208M

- 1 I/O 104MHz, 8个假周期

（2）快速编程和擦除速度

- 2ms 页编程时间

- 10ms 页擦除时间

- 10ms 4k字节扇区擦除时间

- 10ms 32k字节的块擦除时间

- 10ms 64k字节的块擦除时间

（3）超低功耗

- 0.1μA 深度睡眠电流

- 10μA 待机电流

- 4mA 33MHz下的读操作电流

- 6mA 编程或擦除操作电流

（4）高可靠性

- 100,000次编程/擦除周期

- 数据保存20年

ZD25WD20B软件特性如下：

（1）一次性可编程(OTP)安全寄存器

-带有OTP锁的3*512字节安全寄存器

（2）软件保护模式

-块保护 (BP4、BP3、BP2、BP1和BP0)位定义了存储阵列中可以使用的部分，可以读但不可以更改。

（3）每个设备128位唯一标识

（4）编程/擦除暂停和编程/擦除恢复

（5）JEDEC标准制造商和设备ID读取方法

ZD25WD20B硬件特性如下：

（1）硬件保护模式

-通过WP引脚硬件控制锁定保护扇区

（2）行业标准绿色封装选项

- 8pin SOP (150mil/208mil)

- 8pin USON (3x2x0.55mm)

- 8pin USON (3x2x0.45mm)

- 8pin USON (1.5x1.5mm)

ZD25WD20B管脚分配如下图所示：

ZD25WD20B管脚描述如下：

CS#：片选信号；SO：串行数据输出信号； WP#：写保护信号，低有效； GND：地

SI：串行数据输入信号； SCLK：串行时钟输入信号； Nc：悬空处理； VCC：电源供电信号。

ZD25WD20B内部框图如下：

ZD25WD20B内存地址映射：

存储器阵列可以在三个级别的粒度被擦除，包括全芯片擦除。块擦除的大小针对代码和数据存储的应用进行了优化，允许代码段和数据段驻留在各自的擦除区域中。

ZD25WD20B内存组织如下：

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由Shirmei翻译自ZETTA，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【产品】串行接口Flash存储器设备ZD25WD40B，1.65V~3.6V用于读取，擦除和编程操作

ZETTA的ZD25WD40B是一种串行接口Flash存储器设备，该存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可从Flash存储器映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页面擦除粒度，是数据存储的理想选择，消除了对额外数据存储设备的需求。

产品发布时间 : 2022-03-25

【产品】支持单/双/四通道模式的8M-bit串行存储器ZD25WQ80B，可用于各种大容量消费类应用

澜智（ZETTA）推出的ZD25WQ80B是一款8M-bit串行接口Flash存储器设备，该8M-bit串行存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可以从Flash存储器中映射到嵌入式或外部RAM中执行。

产品发布时间 : 2022-03-27

移远通信推出全功能ARM主板QSM560DR、QSM668SR系列，加速边缘智能技术落地

移远通信宣布，正式推出其两款全功能ARM主板——QSM560DR与QSM668SR系列。这两款ARM主板以卓越的集成度和性能、广泛的兼容性以及丰富的功能接口，很好地满足了工业和消费类应用对机器人、边缘计算、无线通信和多媒体功能的需求，将为相关边缘智能应用的加速落地带来更多可能。

产品发布时间 : 2024-10-18

ZD25WD20BUIGR PcbLib & SchLib & IntLib

型号- ZD25WD20BUIGR

CAD模型库 - ZETTA - 2024/11/13 RAR 英文下载

澜智（ZETTA）闪存、DDR3(L)和电源管理芯片选型指南

目录- LDO/Flash/EEPROM/DDR3L

型号- ZD24C64A-SSGMT,ZD25WQ80BOIGT,ZD25Q64BSIGT,ZDV4256M16A-14DPH,ZD24C1MA-SSGMB,ZDV4128M16A-13IPH,ZD35Q2GC-IBR,ZD8028IB5TR,ZDSD16GLGEAG,ZDV4256M16A-11IPH,ZD1117ILTR33,ZD25LQ64ASIGT,ZD24C08A-XGMT,ZD25WD20BNIGR,ZD24C256A-SSGMT,ZDV4256M16A-13DPH,ZDV4128M16A-14DPH,ZD25WQ80BTIGR,ZD24C16A-SSGMT,ZD25LQ64AWIGR,ZD24C32A-SSGMT,ZD25WD40BEIGR,ZDSD02GLGEAG,ZDV4256M16A-14IPH,ZD35Q1GC-IBR,ZDV4128M16A-13DPH,ZD25WQ80BUIGR,ZDSD04GLGEAG,ZDSD64GLGEAG,ZD25WD20BUIGR,ZDSD08GLGEAG,ZDV4128M16A-11IPH,ZD25LD40BNIGR,ZD25WQ16BTIGR,ZDSD01GLGEAG,ZD24C512A-SSGMT,ZD25LQ128AVIGR,ZDND1G08U3D-IA,ZDV4256M16A-13IPH,ZD24C64A-XGMT,ZDV4256M16A-11DPH,ZD1117ILTR18,ZDV4128M16A-14IPH,ZD25WD20BTIGR,ZD25Q64BWIGR,ZDV4128M16A-11DPH,ZD25D40BTIGR,ZD25WQ16BUIGR,ZDND2G08U3D-IA,ZD24C128A-XGMB,ZD25WD40BOIGT,ZD24C08A-SSGMT,ZD25LQ128AWIGT,ZD24C128A-SSGMT,ZD24C16A-XGMB,ZD25D40CEIGR,ZD1117ILTR50,ZDSD32GLGEAG

选型指南 - ZETTA - 2022/2/25 PDF 英文下载

ZD25WD20B Ultra Low Power, 2M-bit Serial Multi I/O Flash Memory Datasheet

型号- ZD25XXXXXXXX,ZD25WD20B

数据手册 - ZETTA - Rev. 1.1 - 2020-05-10 PDF 英文下载查看更多版本

澜智提供高性能EEPROM,NOR FLASH,NAND FLASH，容量最高可达8Gb

澜智集成电路（苏州）有限公司是一家致力于通用类IC芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。ZETTA品牌Flash闪存、MCU和电源管理芯片以世界级的研发与工艺能力，提供高质量、创新及具备高性能表现的产品。

原厂动态发布时间 : 2022-01-05

【应用】存储容量2Mbit的低功耗闪存ZD25WD20BNIGR用于词典笔，厚度仅0.45mm

在词典笔应用中，提高翻译速度往往会用到外置Flash来运行程序，本文推荐澜智（ZETTA）的闪存ZD25WD20BNIGR，厚度仅0.45mm；2Mbit存储容量；宽工作电压1.65~3.6V；功耗低，深度睡眠模式下仅0.1μA。

应用方案发布时间 : 2022-05-10

【产品】16M-bit串行接口Flash存储器ZD25WQ16B，无需额外的数据存储设备

ZETTA的ZD25WQ16B是一款16M-bit串行接口Flash存储器，该存储器可用于各种大容量消费类应用，其程序代码可以从Flash存储器中映射到嵌入式或外部RAM中执行。该设备具有灵活的擦除架构和页擦除粒度，是数据存储的理想选择，无需额外的数据存储设备。

新产品发布时间 : 2022-03-16

澜智集成电路（ZETTA）是一家致力于通用类 IC 芯片工艺开发、芯片设计、应用和销售的无晶圆厂设计公司。闪存和内存芯片累计出货量超过20亿颗。现已建成芯片成品测试与应用分析中心，完成自研存储器芯片测试系统V1.0，单月存储器芯片、电源芯片和MCU芯片测试能力超过1000万颗。

EEPROM NOR Flash Nand Flash SPI NAND eMMC Parallel SLC NAND SD NAND 8位MCU 32位 MCU

授权代理商 - 深圳市世强元件网络有限公司线上商城技术资料

展开

澜智（ZETTA）EEPROM选型表

提供澜智EEPROM选型参考，器件存储容量8Kb~1Mb，电压范围1.65-5.5V，I2C接口，主要用在手机,平板电脑,车载设备,监控,POS机,家电,M2M,数据卡,机顶盒等终端产品上。

产品型号	品类	Density（Kb）	Interface	Type	Voltage Range（V）	Package	Packaging
ZD24C08A-SSGMT	EEPROM	8Kb	I2C	EEPROM	1.65V-5.5V	SOP8-150	Tape&Reel

选型表 - ZETTA 立即选型

澜智（ZETTA）DDR3（L）闪存选型表

DDR3(L)闪存产品选型，容量64M~128M，总线宽度x16/x8，封装96ball FBGA，时钟频率800~1066Mhz，时序11/13/14，温度0℃~85℃/-40℃ to 85℃

产品型号	品类	Den（Gb）	Type	Organization	Freq.（MHz）	Package Type	Tem.Range（℃）
ZDV464M16A-14DPH	DRAM	1Gb	DDR3L-2133	64Mx16	1066	96-ball FBGA (7.5x13.5 mm)	0℃ to 85℃