【产品】高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片RM6601NDL,待机功耗小于75mW,满足六级能效标准
RM6601NDL是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式。
RM6601NDL集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6601NDL采用专有驱动技术,直驱E-mode GaN FET;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601NDL本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。
RM6601NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定(uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护(OLP)、CS短路保护、输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿功能。
功能特性
支持CCM/QR混合模式
内置700V高压启动
支持最大85KHz工作频率
专有GaN驱动技术
内置特有抖频技术改善EMI
Burst Mode去噪音
低启动电流(2μA),低工作电流
集成斜坡补偿及高低压功率补偿
集成AC输入Brown out/in功能
外置OVP保护
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
应用领域
快速充电器
大功率适配器
TV电源
极限参数
电气特性(VCC=18V,TA=25℃。除非另作说明)
典型应用
产品规格
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产品型号
|
品类
|
分类
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最大功率(W)
|
功率管
|
工作频率(kHz)
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封装形式
|
应用领域
|
RM6820NQL
|
开关电源芯片
|
副边反馈(SSR)+ZVS
|
120W
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内置GaN
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85kHz
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