【产品】高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片RM6601NDL,待机功耗小于75mW,满足六级能效标准
RM6601NDL是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式。
RM6601NDL集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6601NDL采用专有驱动技术,直驱E-mode GaN FET;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601NDL本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。
RM6601NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定(uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护(OLP)、CS短路保护、输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿功能。
功能特性
支持CCM/QR混合模式
内置700V高压启动
支持最大85KHz工作频率
专有GaN驱动技术
内置特有抖频技术改善EMI
Burst Mode去噪音
低启动电流(2μA),低工作电流
集成斜坡补偿及高低压功率补偿
集成AC输入Brown out/in功能
外置OVP保护
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护
应用领域
快速充电器
大功率适配器
TV电源
极限参数
电气特性(VCC=18V,TA=25℃。除非另作说明)
典型应用
产品规格
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本文由Vicky转载自亚成微电子,原文标题为:RM6601NDL 集成高压启动、GaN驱动控制器、6级能效PWM+PFM控制器说明书,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
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型号- RM6648S,RM673X,RM335X系列,RM6801ND,RM6601SDL,RM3353SA,RM3432SH,RM3434SH,RM3411SL,RM3352S,RM6515D,RM3360T,RM3432SA,RM3434SA,RM6648SC,RM6801NDL,RM335X,RM6514S,RM343X,RM673X 系列,RM3365DL,RM6510T,RM6732S,RM3430T,RM3430TH,RM341X 系列,RM672X 系列,RM1342S,RM3353DA,RM3368SL,RM3364SL,RM336X,RM6602T,RM6601SN,RM6601NDL,RM3360TL,RM6727S,RM3354SA,RM6601NDQ,RM3352SA,RM6000T,RM6501S,RM3412SL,RM3435SH,RM6501SN,RM6517D,RM6820NQL,RM1342SDL,RM3402AL,RM6601SD,RM3392SH,RM6603SC,RM6801SDL,RM3436DH,RM6734S,RM341X,RM672X,RM6604NDQ,RM336X系列,RM6730S,RM6604NDL,RM343X系列,RM6314DA,RM3402SA,RM6312DA,RM6801SD,RM3363SL
亚成微电子开关电源芯片选型表
亚成微开关电源芯片,最大功率8W~120W,工作频率65KHz~130KHz
产品型号
|
品类
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分类
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最大功率(W)
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功率管
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工作频率(kHz)
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封装形式
|
应用领域
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RM6820NQL
|
开关电源芯片
|
副边反馈(SSR)+ZVS
|
120W
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内置GaN
|
85kHz
|
PLP8*8
|
快速充电器、电源适配器、模块电源
|
选型表 - 亚成微电子 立即选型
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