【产品】高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片RM6601NDL,待机功耗小于75mW,满足六级能效标准

2023-06-09 亚成微电子
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RM6601NDL亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片,全电压范围内待机功耗小于75mW,满足六级能效标准,并且支持CCM/QR混合模式。


RM6601NDL集成多种工作模式,在重载情况下,系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下,在低压输入时会进入CCM模式;在重载情况下,系统工作在QR模式,以降低开关损耗,同时结合PFM工作模式提高系统效率;RM6601NDL采用专有驱动技术,直驱E-mode GaN FET;在轻载或空载情况下,系统工作在Burst Mode模式,有效去除音频噪音,同时在该模式下,RM6601NDL本身损耗极低,因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下,都集成了特有抖频工作模式,以改善EMI。


RM6601NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路,包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定(uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护(OLP)、CS短路保护、输出肖特基短路保护等,并内置斜坡补偿功能。

功能特性
支持CCM/QR混合模式
内置700V高压启动
支持最大85KHz工作频率
专有GaN驱动技术
内置特有抖频技术改善EMI
Burst Mode去噪音
低启动电流(2μA),低工作电流
集成斜坡补偿及高低压功率补偿
集成AC输入Brown out/in功能
外置OVP保护
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护


应用领域 

快速充电器 

大功率适配器 

TV电源


极限参数


电气特性(VCC=18V,TA=25℃。除非另作说明)


典型应用


产品规格

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
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本文由Vicky转载自亚成微电子,原文标题为:RM6601NDL 集成高压启动、GaN驱动控制器、6级能效PWM+PFM控制器说明书,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。

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