【产品】高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片RM6601NDL，待机功耗小于75mW，满足六级能效标准

时间： 2023-06-09 来源：亚成微电子

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RM6601NDL是亚成微电子推出的一款高性能、高可靠性、电流控制型PWM开关控制芯片，全电压范围内待机功耗小于75mW，满足六级能效标准，并且支持CCM/QR混合模式。

RM6601NDL集成多种工作模式，在重载情况下，系统工作在传统的固频85Khz的PWM模式下，在低压输入时会进入CCM模式；在重载情况下，系统工作在QR模式，以降低开关损耗，同时结合PFM工作模式提高系统效率；RM6601NDL采用专有驱动技术，直驱E-mode GaN FET；在轻载或空载情况下，系统工作在Burst Mode模式，有效去除音频噪音，同时在该模式下，RM6601NDL本身损耗极低，因此可以做到超低待机功耗。在任何模式下，都集成了特有抖频工作模式，以改善EMI。

RM6601NDL同时集成了多种保护模式和补偿电路，包括VCC OVP、内置OTP、外置OVP、欠压锁定（uvlo)、逐周期过流保护OCP、过载保护（OLP）、CS短路保护、输出肖特基短路保护等，并内置斜坡补偿功能。

功能特性
支持CCM/QR混合模式
内置700V高压启动
支持最大85KHz工作频率
专有GaN驱动技术
内置特有抖频技术改善EMI
Burst Mode去噪音
低启动电流（2μA），低工作电流
集成斜坡补偿及高低压功率补偿
集成AC输入Brown out/in功能
外置OVP保护
具有输出肖特基短路保护/CS短路保护
内置OVP/OTP/OCP/OLP/UVLO等多种保护

应用领域

快速充电器

大功率适配器

TV电源

极限参数

电气特性(V_CC=18V，T_A=25℃。除非另作说明)

典型应用

产品规格

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