先导中心可量产TO-247封装的SiC SBD、SiC MOSFET，可广泛用于光伏逆变器、电动汽车等领域

时间： 2022-03-23 来源：先导中心

技术问答

SiC相对于Si具有击穿电压高（10倍于Si），宽的带隙（3倍于Si），高的热导率（3倍于Si），高的载流子迁移率（2倍于Si）。由于这些优势，用SiC制备的功率器件相较于传统Si器件，拥有高耐压能力、高使用温度、高功率密度、低导通损耗及开关损耗。因此SiC功率器件在光伏逆变器、电动汽车、电力系统、高铁、航空航天等领域有广泛的用途。

光伏逆变器（PV）：

电动汽车（EV）：

电动车充电桩

电力系统：

变电站效果图

高铁：

高铁

航空航天：

天宫二号效果图

先导中心可量产碳化硅器件列表

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型号- MKS4J022202D00MSSD,10-FZ12NMA080NS03-M260F,0505025.MX52LEP,TFLEX HD300,BGM111,C2M1000170D,EFR32MG13P732F512GM48-C,RBN75H125S1GP4-A0,10-FY12NMA160SH01-M820F18,KT05,PS9402,SGM6022,MLX91208,28R1101-000,28R0610-000,30-FT12NMA160SH-M669F28,PS9031,LSIC2SD120E30CC,30-FT12NMA200SH-M660F08,LXXXX 15.00/05/90 4.5SN GR,28R1476-100,92ML,LX 15.00/05/90 4.5SN GR BX,MKS4J033305D00KSSD,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,28R1953-000,PS9531L3,SI86XX,28B0141-000,WDU50N,SGM6032,WGM110,R5F56514FDLJ,C4D30120D,WDU70N,RBN40H125S1GPQ-A0,C2M0080120D,V23990-P629-L43,SGM2019,LSIC1MO120E0080,SID11X2K,SI8261BCD-C-IS

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型号- TFLEX HD300,C3M0065090D,C2M1000170D,10-F124NID150SH03-LG18F98,10-F124NIE150SH03-LG28F98,RA-8565SA,PS9402,MLX91208,10-F124NIX150SH03-LGX8F98,28R1101-000,28R0610-000,LSIC2SD120E30CC,28R1476-100,92ML,TPCM780,RC12-6-01LS,SMBJ18CA,KT05-1A-BV88622,28R1953-000,28B0141-000,WGM110,R5F56514FDLJ,WM 4C,C4D30120D,10-FY09S2A065ME-L869L08,SID1152K,SI8621BD-B-IS,SI8261BCD-C-IS,SID11X2K

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