【产品】650V/97A的SiC MOS助力低压治理，导通内阻低至25mΩ，提高频率同时减小磁性元件体积

时间： 2022-12-16 来源：世强

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在配电过程中，由于负荷急剧增加原有配变容量变小，或者距离偏远基础设施薄弱等情况，会出现供电电压低等问题。为提升用电质量，低电压治理产品日渐火热，可以确保用户用上安心电、放心电。客户的低压治理产品可以对电压进行补偿，从而达到市电的220VAC输出。产品中主功率采用三电平逆变拓扑，考虑缩小体积、降低导通损耗及开关损耗、提高寿命等因素，准备用SIC MOS来搭建逆变电路，简单的框图如下：

本文推荐派恩杰 P3M06025K4，P3M06025K4是一款650V/97A的SiC MOS，相比于传统Si器件更易在高压、高频、高温条件下工作，提高频率同时减小磁性元件体积从而实现更高功率密度。系统母线电压600V左右，选用650V的SiC MOS满足系统需求且留有余量。

在低压治理产品上采用P3M06025K4还具有以下优势：

1、导通损耗低，Rdson为25mΩ；

2、具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性；

3、超小栅极电荷，Qgd为34.7nC。

综上所述，P3M06025K4十分适合低压治理产品中应用。

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

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