【选型】漏源电压最高1200V的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET用于汽车电驱电控系统设计，可节省系统成本
随着汽车电子行业的逐步发展，汽车电驱电控系统在最近几年进入突飞猛进的发展阶段，电驱电控系统的电源部分一般会用到碳化硅MOS，主要是因其极小的开关损耗和优良的高温特性，可以降低损耗，提高系统效率。
本文推荐派恩杰的车规级N沟道增强型碳化硅MOSFET P3M12025K3可以用于汽车电驱电控系统设计选型。P3M12025K3是一款车规级的碳化硅MOS，符合AEC-Q101标准，具有高阻断电压，导通电阻典型值120mΩ。可提高系统效率和功率密度，减少散热器需求，节省系统成本，非常适合汽车产品电源部分使用。
汽车电驱的电源模块电压直流最高到900V，1200V电压可以满足使用，175℃的温度也可以满足汽车系统的工作环境要求。整体参数优异，完美适配汽车电驱系统电源模块需求。同时采用紧凑的TO-247-3封装，可以为模块设计提供更好的空间。
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产品型号
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品类
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Blocking Voltage(V)
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Package
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RDS(ON) @25℃(mΩ)
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Current Rating(A)
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Qgd(nC)
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Output Capacitance(pF)
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Max Junction Temperature(℃)
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P3M06025K3
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碳化硅场效应管
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650V
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TO247-3
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25mΩ
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97A
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34.7nC
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297pF
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175℃
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选型表 - 派恩杰 立即选型
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型号- P3M12025K3
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型号- P3M12025K3
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