【选型】AlN与Al2O3材料在Vincotech功率模块使用上的参数和散热差异
VINCOTECH公司推出的两款功率模块V23990-P820-F-PM与V23990-P820-F10-PM除了使用的封装隔离基底不一致外，其它的布局以及脚位封装都是一样的。V23990-P820-F-PM采用的是AlN封装基板技术，而V23990-P820-F10-PM采用的是Al2O3封装基板技术。这两种基板技术的差异到底有多大呢？具体由下面的参数和仿真数据来体现。
基于两种基板技术的差异上，V23990-P820-F-PM与V23990-P820-F10-PM性能对比主要差异数据如下：
根据对比的数据表可以看出：V23990-P820-F-PM比V23990-P820-F10-PM的电流规格大9A，损耗上和热传导上则后者性能更佳。
在同样的条件下使用（母线是630V，输出为220V/35A，驱动频率为16KHz，功率因数为1.00，散热器温度选择70℃），仿真的效果是V23990-P820-F-PM的温升将比V23990-P820-F10-PM更好。
图1：V23990-P820-F10-PM仿真数据
图2：V23990-P820-F-PM仿真数据
由图1和图2可以看出，同样仿真条件下，V23990-P820-F-PM的开关管温升比V23990-P820-F10-PM的开关管温升低28.49℃（127.45-98.96）。而V23990-P820-F-PM的二极管温升则比V23990-P820-F10-PM的二极管温升低17.13℃（101.63-84.50）。
综上，Vincotech的ALN的基板的应用不单提升了模块的电流规格，而且对模块使用的温升效果也得到进一步的提升。
相关技术文档：
Vincotech 功率模块V23990-P820-F-PM数据手册 详情>>>
Vincotech 功率模块V23990-P820-F10-PM数据手册 详情>>>
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产品型号
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品类
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产品状态
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拓扑
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电压(V)
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电流(A)
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模块高度 (mm)
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晶圆工艺
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封装
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10-0B06PPA004RC-L022A09
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SiC功率模块
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Series production
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PIM+PFC(CIP)
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600V
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4A
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17mm
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IGBT RC
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flow 0B
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产品型号
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品类
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SUB-TOPOLOGY
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PRODUCT LINE
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VOLTAGEIN（V）
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CURRENTIN(A)
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MAIN CHIP TECHNOLOGY
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HOUSING FAMILY
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HEIGHTIN（mm）
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ISOLATION
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V23990-K429-A40-PM
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IGBT功率模块
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CIB-KE-NTC
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MiniSKiiP® PIM 3
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1200
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75
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IGBT4
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MiniSKiiP® 3
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16
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Al2O3
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