【产品】650V/3A/20.4nC的碳化硅肖特基二极管B1D06065KF，采用TO-220-2L封装

时间： 2020-03-15 来源：基本半导体

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基本半导体推出的碳化硅肖特基二极管 B1D06065KF，采用TO-220F-2L封装，反向重复峰值电压VRRM为650V，壳温（Tc）为150℃时连续正向电流IF为3A，总电容电荷Qc典型值为20.4nC，具有开关损耗低、电磁干扰小、系统效率高、开关频率高、功率密度大等优点，广泛应用在开关电源、不间断电源、电机驱动器以及功率因数校正等领域。

图1. 产品封装与内部电气原理图

特点：

· 反向电流极低

· 无反向恢复电流

· 与温度无关的开关特性

· 正向电压（V_F）的温度系数为正

· 出色的抗浪涌电流能力

· 电容电荷低

优势：

· 基本没有开关损耗

· 比硅二极管更能提高系统效率

· 提高功率密度

· 实现更高的开关频率

· 降低对散热器的要求

·磁性元件更小，节省系统成本

· 减少EMI

应用：

· 开关电源（SMPS）

· 不间断电源

·电机驱动器

· 功率因数校正

封装参数

最大额定值

热特性

电气特性

（1）静态特性（无特殊说明Tj=25°C）

（2）动态特性（无特殊说明Tj=25°C）

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