【产品】采用SAMWIN技术的N沟道功率MOSFET SW640D，导通电阻典型值0.15Ω
芯派科技推出的推出的N沟道功率MOSFET SW640D采用SAMWIN的先进技术生产，这项技术使功率MOSFET具有更好的特性，包括快速开关时间、低导通电阻、低栅极电荷和特别优异的雪崩特性。
特点：
高强度
低RDS(ON)（典型值0.15Ω）@VGS=10V
低栅极电荷（典型值38nC）
改进的dv/dt能力
100%雪崩测试
应用：
LED、适配器
绝对最大额定值
*.漏极电流受结温度的限制。
热特性
电气特性（TC=25℃，除非另有规定）
源极至漏极二极管额定特性
Notes：
1.重复额定值：脉冲宽度受结温度限制。
2.L=1.5mH，IAS=18A，VDD=50V，RG=25Ω，起始TJ=25℃
3.ISD≤18A，di/dt=100A/μs，VDD≤BVDSS，起始TJ=25℃
4.脉冲测试：脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%。
5.基本上独立于工作温度。
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型号- RMP7N600LD
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最小起订量： 10000 提交需求>
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