【产品】高速32/16K x 16位同步双端口RAM IDT70V9279/69
IDT(RENESAS收购)公司生产的IDT70V9279 ,IDT70V9269是高速32/16K x 16位同步双端口RAM,存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址,控制、数据和地址输入上的寄存器提供最小的设置和保持时间。这种方法提供的时间纬度允许系统以非常短的周期时间进行设计。使用输入数据寄存器,IDT70V9279 ,IDT70V9269已针对突发中具有单向或双向数据流的应用进行了优化。由CE0和CE1控制的自动掉电功能允许每个端口的片上电路进入非常低的待机功耗模式。 这些器件采用CMOS高性能技术制造,通常仅以429mW的功率工作。
特点:
1、真正的双端口存储单元,允许同时访问同一存储位置
2、高速时钟到数据访问
–商用级:7.5/9ns(最大值)
–工业级:7.5ns(最大值)
3、低功率运行
–IDT70V9279L,IDT70V9269L型
正常运行功率:429MW(典型值)
待机功耗:1.32mW(典型值)
4、在任一端口上通过或流水线输出模式FT/管脚
5、计数器启用和复位功能
6、双芯片能深度扩展而无需附加逻辑
7、两个端口上的完全同步操作
–4ns建立时间,1ns保持时间(于所有控制、数据,和地址输入)
–数据输入、地址和控制寄存器
–在流水线输出模式下以6.5ns的快速时钟输出数据
–自动定时写入允许快速循环时间
–10ns循环时间,100MHz流水线输出模式操作
8、独立的的上字节和下字节控制,实现多路总线和总线匹配兼容性
9、LVTTL兼容,单电源3.3V(±0.3V)
10、工业温度范围(–40°C至+ 85°C)适用于选定的速度
11、提供128引脚Thin Quad Flatpack(TQFP)封装
12、提供绿色零件,请参阅订购信息
功能框图
注:
1、A14X是IDT70V9269的NC引脚配置
注:
1. A14X是IDT70V9269的NC。
2.所有VDD引脚必须连接到电源。
3.所有VSS引脚都必须接地。
4.封装尺寸约为14mm x 20mm x 1.4mm。
5.此包装代码用于参考包装图。
6.此文本未指示实际零件标记的方向。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由西瓜不甜翻译自IDT(Renesas收购),版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】高速256/128Kx18位同步双端口静态RAM 70V3319、70V3399S,内核电源保持在3.3V
IDT70V3319、IDT70V3399S是IDT(Renesas收购)推出的高速256/128Kx18位同步双端口RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器,两款产品已针对具有突发中的单向或双向数据流的应用进行了优化。
新产品 发布时间 : 2019-09-19
【产品】高速128K x9/x8位同步双端口RAM 70V9199、70V9099
IDT(Renesas收购)推出的70V9199、70V9099,是一种高速128K x9/x8位同步双端口RAM,已对具有突发单向或双向数据流的应用程序进行了优化。由CE0和CE1控制的自动断电功能,允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。
新产品 发布时间 : 2019-10-24
【产品】3.3V高速512K x 18位同步储存块可切换双端口RAM IDT70V7339S,提供208脚fpBGA封装
瑞萨电子公司(Renesas)的全资子公司IDT推出IDT70V7339S是3.3V, 高速512K x 18位同步储存块可切换双端口 RAM, 分为64个独立的8Kx18存储区。该器件具有两个独立的端口,每个端口具有单独的控制,地址和I / O引脚,从而允许每个端口访问另一个端口尚未访问的任何8Kx18存储模块。通过用户直接控制下的存储区地址引脚,可以控制端口对特定存储区的访问。
新产品 发布时间 : 2019-10-25
ONE-RENESAS MEMORY SOLUTIONS Provides optimal memory portfolios to industrial and communications applications
型号- AT25XE,AT45DB,AT25FF,AT25EU,RMLV1616A-U SERIES,AT45,RMLV1616A-U,AT25SF,R1LV1616H SERIES,AT25SL,R1LV1616H
70V3319/99S HIGH-SPEED 3.3V 256/128K x 18 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
型号- 70V3399S166BFG,70V3319S166BCG,70V3319S133,70V3399S133BF8,70V3319S133BC8,IDT70V3399,70V3319S133BF,70V3319S133BC,70V3319S133BFI8,70V3399S133BCI,70V3319S133PRFGI,70V3319,70V3319S166BF8,70V3399S133,70V3319S133BCI8,70V3399S166BC8,IDT70V3319,70V3319S133PRFGI8,70V3399S133BCI8,70V3319S133BFI,70V3399S133BFI8,70V3399S133BF,70V3319S133BCGI,XXXXXA999AAAA,70V3399S133BC,70V3399S133BC8,70V3399S,70V3319S166,70V3319S166BFG,70V3399S166BFG8,70V3319S133BF8,70V3399,70V3319S166BF,70V3399S166BF8,70V3319S166BC,70V3319S166BC8,70V3319S166BFG8,70V3319S166PRFG,70V3399S133BFI,70V3399S166,70V3319S133BCI,70V3319S166PRFG8,70V3319S,70V3399S166BC,70V3399S166BF
70V9369L HIGH-SPEED 3.3V 16K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM
型号- XXXXX A 99 A A A A,70V9369L6,70V9369L,70V9369L9PFG,70V9369L7,IDT70V9369,70V9369L9,70V9369L12,70V9369L9PFG8,70V9369
【产品】高速512/256/128kx18位同步双端口静态RAM 70T3339/19/99S
70T3339S、70T3319S、70T3399S是IDT(Renesas收购)推出高速512/256/128kx18位同步双端口RAM。 存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。控制,数据和地址输入寄存器提供最少的设置和保持时间。 通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。
新产品 发布时间 : 2019-09-20
【产品】高速 64K x 16 位同步双端口RAM 70V9289L,待机功耗1.5mW
IDT(Renesas收购)推出的70V9289L 是一个高速 64K x 16 位同步双端口RAM,已经为具有突发单向或双向数据流的应用程序进行了优化。由CE0和CE1控制自动断电功能,允许每个端口的片上电路进入较低的待机功耗模式。
新产品 发布时间 : 2019-10-27
70V9089/79L HIGH-SPEED 3.3V 64/32K x 8 SYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM
型号- 70V9089/79,IDT70V9089/79,70V9079L7PFG,70V9089/79X9,70V9089/79X6,70V908S/L25,70V907S/L25,70V9089L12,70V9089/79X7,70V9079L7,IDT70V9079,70V9089/79L,70V9089/79S,70V9089/79X12,70V9079L,XXXXX A 99 A A A A,70V9079L7PFG8,70V9089L,70V9089/79X15,70V9089L12PFGI8,70V9089L12PFGI
【产品】高速8/4Kx18位同步双端口RAM IDT709359/49,访问速度6.5/7.5/9ns
IDT(Renesas收购)推出的IDT709359,IDT709349是高速8 / 4K x 18位同步双端口RAM。 存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。通过输入数据寄存器,器件已针对具有突发中的单向或双向数据流的应用进行了优化。
新产品 发布时间 : 2020-06-22
【产品】高速32/16K x 16 位同步双端口RAM 709279/69S/69L,待机功耗可低至1mW
IDT(Renesas收购)推出的709279/709269S/709269L,是一种高速32/16K x 16 位同步双端口RAM,已针对具有突发单向或双向数据流的应用进行了优化。由CE0和CE1控制的自动断电功能允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。
新产品 发布时间 : 2019-10-25
70V3579S HIGH-SPEED 3.3V 32K x 36 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
型号- 70V3579S6BCI8,70V3579S4DRG,70V3579S5BC8,XXXXX A 999 A A A A,70V3579S6BF8,70V3579S4BF8,70V3579S5BFI8,70V3579S5BCI8,70V3579S4BCG,70V3579S6BCI,IDT70V3579,70V3579S5BFI,70V3579S5BCGI,70V3579S,70V3579S6BF,70V3579S4BC8,70V3579S5BF,70V3579S4BF,70V3579S6BC,70V3579S5BC,70V3579S4BC,70V3579S6BC8,70V3579S5BF8,70V3579S4,70V3579S5,70V3579S6,70V3579S5BCI,70V3579S4BFG
【产品】3.3V,高速16K x 18位同步双端口RAM IDT70V9369L ,提供采用100引脚TQFP封装
瑞萨电子公司(Renesas)的全资子公司IDT推出IDT70V9369L是3.3V, 高速16K x 18位同步双端口RAM。存储器阵列利用双端口存储器单元允许同时访问来自两个端口的任何地址。 控制、数据和地址输入寄存器提供最少的建立时间和保持时间。通过这种方法提供的时序范围允许系统设计具有非常短的循环时间。
新产品 发布时间 : 2019-10-24
【产品】高速16K x 36 位同步双端口RAM 70V3569,核心电源VDD为3.3V
IDT(Renesas收购)推出的70V3569 是一个高速的16K x 36 位同步双端口RAM,已为具有单向或双向数据流的应用程序进行了优化。自动断电功能由CE0和CE1控制,以允许每个端口的片上电路进入一个非常低的待机功耗模式。70V3569可以在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压,由OPT引脚控制。该装置的核心电源(VDD)为3.3V。
新产品 发布时间 : 2019-10-23
70V3389S HIGH-SPEED 3.3V 64K x 18 SYNCHRONOUS PIPELINED DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V OR 2.5V INTERFACE
型号- 70V3389S4BCG,70V3389S5BFI,70V3389S4,70V3389,70V3389S6BF8,70V3389S4BF8,70V3389S5BC8,70V3389S4PRFG8,70V3319,70V3389S,70V3389S5BCI,70V3379,70V3389S5BFI8,70V3389S5BCI8,70V3399,IDT70V3389,XXXXX A 99 A A A A,70V3389S6BF,70V3389S5BF,70V3389S4BF,70V3389S4PRFG,70V3389S6BC8,70V3389S5,70V3389S6BC,70V3389S6,70V3389S5BC,70V3389S5BF8,70V3389S4BC,70V3389S4BC8
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论