【产品】采用分裂栅型沟槽MOSFET技术的N沟道增强型场效应晶体管，静态漏源导通电阻＜1.3mΩ
扬杰科技推出的N沟道增强型场效应晶体管YJG200G04BR拥有分裂栅型沟槽MOSFET技术、优秀的封装，有利于散热、高密度单元设计，实现低RDS(ON)、湿度敏感度为3级、环氧树脂符合UL 94 V-0的可燃性等级、无卤素等特点。
产品实物图和等效电路图如下：
产品概况
● VDS：40V
● ID：200A
● RDS(ON)(at VGS=10V)＜1.3mΩ
● RDS(ON)(at VGS=4.5V)＜2mΩ
● 100% EAS测试
● 100% ▽VDS测试
一般描述
分裂栅型沟槽MOSFET技术
优秀的封装，有利于散热
高密度单元设计，实现低RDS(ON)
湿度敏感度为3级
环氧树脂符合UL 94 V-0的可燃性等级
无卤素
应用
功率开关应用
不间断电源
直流-直流转换器
绝对最大额定值（TA=25℃，除特别列明外）
热阻
订购信息（示例）
电气特性（TJ=25℃，除特别列明外）
A：重复额定值；脉冲宽度受最大结温限制
B：TJ=25℃，VDD=30V，VG=10V，RG=25Ω，L=0.5mH，IAS=50A
C：Pd基于最大结温，使用结到壳的热阻
D：RθJA的值是将器件安装铜皮厚度为2oz，面积为1平方英寸的FR-4板上，在TA=25℃的静止空气环境中测量的。
最高允许结温150℃。该值在任何给定的应用设计中取决于用户的特定电路板设计。
典型电气特性及热特性图表
测试电路与波形图
图A UIS测试电路和波形图
图B 栅极电荷测试电路和波形图
图C 电阻开关测试电路和波形图
图D 二极管恢复测试电路和波形图
PDFN5060-8L-D-0.95mm包装信息
注意：
1、尺寸精度控制：毫米
2、一般公差：±
0.10mm
3、焊盘布局仅作参考
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