【经验】如何解决MOSFET米勒平台上冲过高和下拉过低问题？

时间： 2020-04-15 来源：世强

代理服务

技术支持

批量订货

开关电源应用中，MOSFET时常会遇到开启时栅极米勒平台上冲过高和下拉过低的问题（图1），该现象对于开关要求较高的电路是非常不利的。MOSFET进入米勒平台给米勒电容充电时，如果驱动不足以提供足够电流，部分电流由Cgs提供，GS端电压随之下降。原本在开启过程中的MOS又进入到了截止区，该过程会导致MOS开启变慢，严重时出现二次开启，增加不必要的损耗。

图1——栅极米勒平台电压下拉波形图2——MOSFET寄生电容示意图

解决方法：

（1）增加栅极驱动电流，保证有足够的电流给米勒电容充电。

能够缓解米勒平台下拉现象，但GS端电容较小时栅极容易过充（米勒平台前出现尖峰）。

（2）GS端增加nF级电容，维持栅极电压的稳定。

增加电容可有效解决过充和下拉问题，但是会减慢开启和关断速度。

以上两者结合使用，在能够有效解决栅极过充和下拉的同时，保证开关速度，不增加开关损耗。

由此，本文推荐ROHM的超结MOSFET R65xxENx/R65xxKNx系列，相比平面MOS有更小的米勒电容，能够有效减小米勒平台下拉问题。同时R65xxENx/R65xxKNx系列，导通电阻低、开关速度快、能够实现平面MOSFET一样的低噪声，是工业设备、开关电源、照明设备中的良好选择。

图3——R65xxENx/R65xxKNx系列产品特点

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由番茄炒西红柿提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

亚成微电子（Reactor Microelectronics）高压超结MOSFET选型指南

目录- 公司简介高压超结MOSFET

型号- RMA65R1K0SN,RMG70R650SN,RME60R190SF,RMK70R280SN,RMK65R380SN,RME70R650SN,RMF60R090SF,RMA65R600BN,RMC65R1K0SN,RMC60R190SF,RMC70R1K0SN,RMG65R1K0SN,RMC70R380SN,RMC70R650SN,RME65R380SN,RMD65R380SN,RMA70R650SN,RMC65R380SN,RME70R380SN,RMA65R650SN,RME65R280SN,RMC70R280SN,RMA65R380SN,RMG65R600BN,RC10R600H,RMG70R1K0SN,RME70R280SN,RMA70R380SN,RMC65R280SN,RMC65R650SN,RMD65R650SN,RMD65R280SN,RMXXXRXXX,RME65R650SN,RMC65R600BN,RMA65R280SN,RMK65R280SN,RMD120N08S,RMA70R1K0SN,RMF65R041SF,RMK70R380SN,RMA70R280SN,RMG65R650SN,RMD070N10S

2022/8/3 - 亚成微电子 - 选型指南 - V1.3 代理服务技术支持批量订货

【选型】全桥式电源应用上的超结MOSFET如何选型？

全桥式电源比半桥电路提供更高效率，所以它们主要用于大功率应用（超过1kW）。在一些要求输出功率较高的领域，全桥式开关电源变换技术占有者十分重要的地位。本文介绍全桥式电源的超结功率MOSFET如何选型，并以3kW DCDC产品为例推荐无锡紫光微TPW65R100MFD。

2020-03-02 - 器件选型代理服务技术支持批量订货

HMS13N65D/Q 650V超结MOSFET

描述- 该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET HMS13N65D/Q的产品特性、应用领域、订购信息和电气特性。该器件具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性，适用于电信和电源供应。

型号- HMS13N65D,HMS13N65Q,HMS13N65

2024/9/12 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

亚成微高压超结MOSFET助力电视机电源模块PFC+LLC应用，采用多层外延工艺，有效实现节能降耗

创维OLED电视中电源系统PFC及LLC电路采用了亚成微电子超结MOSFET产品。亚成微高压超结MOSFET系列产品，采用业内先进的多层外延工艺，相比常规MOSFET，器件的开关特性和导通特性得到全面提升，产品参数稳定，器件EMI更优，可以有效助力电源系统实现节能降耗。

2024-01-09 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

13NM80 13A，800V N沟道超结MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的13NM80型号N沟道超级结MOSFET。这款MOSFET具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于AC-DC转换器等电源应用。

型号- 13NM80L-TA3-T,13NM80G-TQ2-R,13NM80,13NM80L-T2Q-T,13NM80L-T47-T,13NM80G-T2Q-T,13NM80G- TQ2-T,13NM80G-TF1-T,13NM80G-T47-T,13NM80L-TQ2-R,13NM80L- TQ2-T,13NM80G-TF3-T,13NM80L-TF3-T,13NM80G-TA3-T,13NM80L-TF1-T

2019/06/26 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货查看更多版本

瑶芯微基于G2.5平台推出超结MOSFET，相比上一代栅电荷下降20％，Coss减小了40%

瑶芯微基于G2.5平台推出两大电压等级、多个封装系列的SJ MOSFET。其中TOLL封装的多款产品已实现量产，其紧凑的体积、较低的封装电阻和寄生电感、优秀的散热性能、高电流承载能力，可提高开关速度、降低成本，并能提高系统效率和可靠性等方面，在各种消费级、工业级和车规级功率电子场景中得到广泛应用。

2024-09-10 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】-20V/±3A的双P沟道超结MOSFET UT6J3，采用DFN2020-8D封装

为了满足开关电源对于MOSFET的需求，ROHM公司推出了一款性能优异的双P沟道MOSFET-UT6J3，该器件是低导通电阻的功率MOSFET，漏源电压为-20V，RDS(on)(Max.)=85mΩ，漏极持续电流为±3.0A，耗散功率为2W，采用小型表面贴装封装（DFN2020-8D），有助于节省空间。

2020-07-12 - 新产品代理服务技术支持批量订货

8NM65 8A，650V N沟道超结MOSFET功率MOSFET

描述- UTC 8NM65是一款采用先进平面条纹DMOS技术的Super Junction MOSFET结构，适用于电子灯镇流器、高效开关电源和主动功率因数校正等领域。该产品具有低导通电阻、快速切换能力和良好的抗雪崩能力。

型号- 8NM65G-TA3-T,8NM65G-TMN2-T,8NM65L-TF3-T,8NM65L-TF2-T,8NM65L-TA3-T,8NM65G-TQ2-R,8NM65L-T2Q-T,8NM65,8NM65L-TN3-R,8NM65G-TM3-T,8NM65G-TN3-R,8NM65G-T2Q-T,8NM65G-TF3-T,8NM65G-TQ2-T,8NM65L-TQ2-R,8NM65L-TF1-T,8NM65L-TM3-T,8NM65L-TMN2-T,8NM65L-TQ2-T,8NM65G-TF1-T,8NM65G-TF2-T

2019/04/22 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货

HMS15N65D/Q 650V超结MOSFET

描述- 该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET HMS15N65的产品特性、应用领域和订购信息。该器件具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性，适用于电信和电源供应。

型号- HMS15N65D,HMS15N65D-TO263,HMS15N65Q-DFN5*6-HF,HMS15N65D-TO263-HF,HMS15N65,HMS15N65Q-DFN5*6,HMS15N65Q

2023/9/27 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

13NM90 13A，900V功率MOSFET N沟道超结MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的13NM90型号N沟道超级结MOSFET。这款器件具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性，适用于直流-直流转换器和交流-直流转换器等电源应用。

型号- 13NM90L-TA3-T,13NM90L-T3P-T,13NM90G-T3B-T,13NM90G-T3P-T,13NM90,13NM90G-TA3-T,13NM90L-TF1-T,13NM90L-T47-T,13NM90L-T3B-T,13NM90G-TF1-T,13NM90G-T47-T

2018 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货

21NM60 21A，600V N沟道超结MOSFET功率MOSFET

描述- 该资料介绍了UNISONIC TECHNOLOGIES CO., LTD生产的21NM60型号功率MOSFET。这款器件采用超结结构，具有快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高鲁棒雪崩特性。适用于AC-DC转换器等电源应用。

型号- 21NM60G-TF3-T,21NM60G-T47-T,21NM60G-TF1-T,21NM60G-TF2-T,21NM60L-TF1-T,21NM60L-T47-T,21NM60L-TF3-T,21NM60G-TW1-T,21NM60L-TF2-T,21NM60G-TA3-T,21NM60L-TW1-T,21NM60L-TQ2-T,21NM60L-TQ2-R,21NM60,21NM60G-TQ2-T,21NM60G-T3F-T,21NM60L-TA3-T,21NM60G-TQ2-R,21NM60L-T3F-T,21NM60G-T3P-T,21NM60L-T3P-T

2019/04/22 - UTC - 数据手册代理服务技术支持批量订货

HMS11N70 650V超结MOSFET

描述- HMS11N70是一款650V Super-Junction MOSFET，具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性。该器件提供极快的体二极管和强大的性能，适用于电信和电源供应。

型号- HMS11N70D XXXX,HMS11N70D,HMS11N70,HMS11N70Q XXXX,HMS11N70Q

2023/8/4 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

【产品】600V/±1.7A的超结MOSFET R6002ENH，采用SOP8封装，低噪声性能优

为了音响和照明等需要尽可能抑制噪声等应用中实现最佳性能，ROHM公司推出了一款重视易用性，以低噪声性能为特点的Super Junction MOSFET（超结MOSFET）产品，产品型号为R6002ENH，可应用于开关领域。该款MOSFET的特性包括：1. 低导通电阻；2. 开关速度快；3. 易于并联使用；4. 无铅，符合RoHS标准。

2020-02-25 - 新产品代理服务技术支持批量订货

HMS11N65D/Q 650V超结MOSFET

描述- 该资料介绍了650V Super-Junction MOSFET（HMS11N65D/Q）的特性、电子特性、典型特性和热特性。它具有低RDS(on)、低栅极电荷、快速开关和优异的雪崩特性，适用于电信和电源供应等领域。

型号- HMS11N65Q,HMS11N65D,HMS11N65Q-DFN5*6-HF,HMS11N65D-TO263-HF,HMS11N65Q-DFN5*6,HMS11N65D-TO263,HMS11N65

2023/12/6 - 虹美功率半导体 - 数据手册代理服务技术支持批量订货

SKJ91N60-T7 600V N沟道超结MOSFET

描述- 本资料介绍了SKJ91N60-T7型号的600V N-Channel Super-Junction MOSFET的产品特性、应用领域和典型性能。该产品采用Super-Junction技术，具有低导通电阻、高效率、快速开关和超快体二极管等特点，适用于LED、LCD、PDP电视和显示器照明、太阳能、可再生能源、UPS微型逆变器系统、充电器和电源等领域。

型号- SKJ91N60-T7

2024/1/24 - 时科 - 数据手册 - REV.08 代理服务技术支持批量订货