【经验】如何解决MOSFET米勒平台上冲过高和下拉过低问题？
开关电源应用中，MOSFET时常会遇到开启时栅极米勒平台上冲过高和下拉过低的问题（图1），该现象对于开关要求较高的电路是非常不利的。MOSFET进入米勒平台给米勒电容充电时，如果驱动不足以提供足够电流，部分电流由Cgs提供，GS端电压随之下降。原本在开启过程中的MOS又进入到了截止区，该过程会导致MOS开启变慢，严重时出现二次开启，增加不必要的损耗。
图1——栅极米勒平台电压下拉波形 图2——MOSFET寄生电容示意图
解决方法：
（1）增加栅极驱动电流，保证有足够的电流给米勒电容充电。
能够缓解米勒平台下拉现象，但GS端电容较小时栅极容易过充（米勒平台前出现尖峰）。
（2）GS端增加nF级电容，维持栅极电压的稳定。
增加电容可有效解决过充和下拉问题，但是会减慢开启和关断速度。
以上两者结合使用，在能够有效解决栅极过充和下拉的同时，保证开关速度，不增加开关损耗。
由此，本文推荐ROHM的超结MOSFET R65xxENx/R65xxKNx系列，相比平面MOS有更小的米勒电容，能够有效减小米勒平台下拉问题。同时R65xxENx/R65xxKNx系列，导通电阻低、开关速度快、能够实现平面MOSFET一样的低噪声，是工业设备、开关电源、照明设备中的良好选择。
图3——R65xxENx/R65xxKNx系列产品特点
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实验室地址： 西安 提交需求>
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