英诺赛科出席APEC2019，展示40V~650V的E-Mode GaN FET产品

时间： 2020-03-25 来源：英诺赛科

技术问答

作为国内第三代半导体代表企业，英诺赛科出席了美国应用能源电子展APEC2019，并在展会现场发布最新产品以及现场进行应用展示，与观众分享来自中国基于8英寸线开发的氮化镓产品成果。

国产8英寸线氮化镓产品走出国门

英诺赛科此次作为中国氮化镓领域的代表企业出席APEC2019，标志着中国8英寸氮化镓产品正式走出国门。与传统的6英寸线相比，8英寸线晶圆面积增加84%，这将从产业链顶端降低氮化镓器件的成本，对推动氮化镓的普及有着深远意义，引起全球电源应用领域的广泛关注。

氮化镓被称为第三代半导体材料，也是目前最有发展前景的半导体材料之一，因其优良的物理化学特性，能实现器件的高频、高效等特性，大幅度降低系统能耗，能广泛应用于5G通信、新能源汽车、智能制造、人工智能、数据中心等新兴领域；氮化镓具有的优异特性和广泛的应用前景使其成为新一代半导体产业发展的焦点。

英诺赛科从成立至今，凭借其团队雄厚的研发实力和生产技术，在产品开发上取得非常亮眼的成绩，快速成长为国内第三代半导体研发与生产的先锋企业。

英诺赛科已发布产品

从英诺赛科的产品目录可见，旗下E-Mode GaN FET目前已经上市的产品包含了40V、60V、100V、650V四大系列8款产品。采用WLCSP和DNF两种封装方式，根据具体规格还有不同封装后的大小尺寸。其中100V/16.5A规格内阻仅为7mΩ，相当低。值得一提的是，这些氮化镓产品均采用了目前行业领先的8英寸Fab产线制造。

已经上市的英诺赛科氮化镓产品均为小尺寸封装，拥有寄生电感小、良好的热传导等特性。

英诺赛科开发中的产品

通过英诺赛科的Roadmap还能看到计划上市的新品，其中40V电压的为5款，60V电压的2款，100V电压的6款，150V电压的1款，200V电压有2款，650V电压的产品最为丰富有7款之多，都是根据不同应用场景计划开发的新品。封装方式有ECP、WLCSP、TOLL、DFN四种，丰富的封装形式，让芯片拥有多样化的形态，满足工程师应用中的选型。

当前，基于氮化镓开发的大功率快充市场持续升温，加上USB PD和各种快充技术的推动，4G、5G手机产品的快充充电功率从18W上升到了30W，甚至不少厂商开发了40W、50W这样的超级快充。加上笔记本电脑正处于DC电源孔转向USB-C智慧型接口，笔记本电脑电源的体积也开始普及轻薄化、小型化。

英诺赛科的氮化镓产品正好切中了大功率消费类电源小型化的应用需求，针对45W快充充电器开发了650V/12A和650V/7.5A两款产品。氮化镓在大功率快充充电器的应用可谓吸引了全球眼球，高速、高频、高效让大功率USB PD充电器不再依赖传统硕大的变压器，从而实现小巧的体积一样可以实现大功率输出。

关于英诺赛科

英诺赛科（珠海）科技有限公司是2015年12月由海归团队发起，并集合了众多国内外精英联合创办的宽禁带半导体电力电子器件研发与生产的高科技企业。英诺赛科一期项目坐落于珠海市国家级高新区，占地1.7万平米，投资10.95亿元，于2017年建成了全球首条8英寸增强型硅基氮化镓功率器件量产线，产品经国内主流客户测试，各项性能指标均达到国际先进水平。二期项目坐落于苏州市吴江汾湖高新区，占地24.5万平米，于2018年6月开工建设，预计2020年投入生产。

英诺赛科采用集研发、设计、生产、制造和测试为一体的IDM模式，公司在可靠性和失效分析上进行战略投入，建立自有分析平台，从而具有产品快速迭代的能力；英诺赛科主要生产30V-650V氮化镓功率器件、功率模块和射频器件等，公司的IDM产业化模式及其首创的8英寸硅基氮化镓功率与射频器件量产线使公司产品具有高性能、低成本、高可靠性等市场优势。

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