【经验】EFM32系列32位MCU常量定位问题的解决方法

时间： 2019-01-27 来源：世强

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SILICON LABS的32位MCU EFM32系列具有低功耗、集成度高的优势，在电池供电类的应用中具有非常明显的优势。开发EFM32的软件一般都是在Simplicty Studio软件下完成，而且目前在开发程序时由于都是使用C语言开发，所以很多工程师已经不再关心变量的存储地址，但对于一些特殊的应用来说还是要考虑这些常量在FLASH的存储地址的，但笔者在网站上找了一些方法发现实现起来比较麻烦，尤其是在使用GNU ARM编译器，网上的一些方法并不是很正确，下面笔者总结了一个方法以供参考，

使用GCC的链接描述文件实现常量的定位功能。以EFM32WG为例，使用Example自动产生的Stk3800_blink.ld文件为模板进行修改，这里要注意要将这个文件从当前的目录中复制到其它目录再做修改。

打开这个Stk3800_blink.ld,找到下面的定义，并增加一个MY_MEMORY的新内存区域

MEMORY，由于此区域只是用于数据存储不需要执行程序，所以设置为rw属性，同时我们还减少了FLASH区域的长度以适应这个新的区域。

{

FLASH (rx) : ORIGIN = 0x0, LENGTH = 0x3FFF0 /* 256k */

RAM (rwx) : ORIGIN = 0x20000000, LENGTH = 0x8000 /* 32k */

MY_MEMORY (rw) : ORIGIN = 0x3FFF0, LENGTH = 9

}

接下来创建一个名为.mysection的新部分，这一部分会将包含字符串.mysection的section属性的定义放到MY_MEMORY中。我们在__etext=.之后添加这个部分，这样不会影响FLASH的溢出边界检查，添加后的内容如下：

__etext = .;

.mysection :

{

. = ALIGN(4);

__mysection_start__ = .;

*(.mysection*)

__mysection_end__ = .;

} > MY_MEMORY

最后再增加一个溢出边界检查：

ASSERT( LENGTH(MY_MEMORY) >= (__mysection_end__ - __mysection_start__), "MY_MEMORY memory overflowed !")

到这里这个文件就已经修改完成，保存后可以在项目的属性中使用这个指定的链接文件对文件进行编译，链接文件的指定如下图：

在源文件中定义如下的一个数组：

Volatile unsigned char buff2[9] __attribute((section(“.mysection”)))={‘M’,’Y’,’_’,’M’,’E’,’M’,’O’,’R’,’Y’};

对程序编译链接后，在MAP文件中可以找到如下的分配：

*(.mysection*)

.mysection 0x0003fff0 0x9 ./src/blink.o

0x0003fff0 buff2

0x0003fff9 __mysection_end__ = .

到这里可以看到buff2这个数组已经分配到0X0003FFF0开始的地址，我们将程序下载到芯片中，在FLASH MEMORY中可以观察到这些数据：

到此，将常量分配到FLASH的指定地址功能就实现了。

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