【产品】EPC扩大面向无线电源充电应用的低成本eGaN FET，体积仅1.82 mm2

时间： 2018-07-07 来源：EPC

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eGaN FET,低成本eGaN FET,增强型氮化镓功率晶体管,差分模式E类放大器拓扑开发板

宜普电源转换公司推出增强型氮化镓功率晶体管（eGaN® FET）系列的最新成员 -- EPC2037。

EPC2037（100 VDS、1 A）非常小型（1.82 mm2）及在栅极上施加5 V电压时的最大导通阻抗为 550 mΩ。由于它具备超高开关频率、低导通阻抗值、异常低QG值及采用超小型封装，因此它在电源转换系统具备高性能优势。EPC2037由一个数字逻辑集成电路直接驱动，因此不需额外及高成本的驱动器集成电路。

与具备相同的导通阻抗及需要驱动器集成电路的先进功率MOSFET相比，EPC2037小型很多，其开关性能也高出很多倍。受惠于EPC2037的应用除了无线充电应用外，包括高频DC/DC转换、LiDAR/脉冲功率及D类音频放大器等应用。

为了简化对EPC2037进行评估的过程，EPC提供EPC9051开发板，使工程师很容易可以在“电路中”对EPC2037晶体管进行评估。

EPC9051是一块高效、采用差分模式E类放大器拓扑的开发板，可在高达15 MHz条件下工作而不需额外的驱动器集成电路。开发板旨在帮助工程师容易在单块电路板上装贴所有E类拓扑的重要元件，而且易于与任何的系统连接。这样，我们已经简化了对采用氮化镓场效应晶体管的E类放大器技术的评估过程。

该开发板也可以在采用低侧开关的应用中使用，比如推挽式转换器、电流模式D类放大器、共源极双向开关，以及一般高压、具备窄脉宽如LiDAR等应用。

放大器电路板采用100 V额定电压的氮化镓场效应晶体管EPC2037。该放大器的工作模式为差分模式，我们可以重新把它配置为单端模式。该开发板的主要特性是这些氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）不需要栅极驱动器，而是可以从逻辑栅极直接被驱动。该板也配备了一个独立逻辑电源稳压器。

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grc521 Lv3 2018-11-21

长知识~~~~
鄗立恒 Lv8. 研究员 2018-11-18

学习了
用户85806204 Lv7. 资深专家 2018-11-18

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Jayden Lv6 2018-11-13

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增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，这是一种增强型氮化镓（GaN）晶体管和集成电路技术。与硅基器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需功率方面的优势。此外，还讨论了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、消费电子、工业和医疗设备。

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增强型氮化镓工艺简介

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、LED照明等领域的应用，并提供了相关的设计支持和演示板信息。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

该资料主要介绍了eGaN®技术及其在功率转换领域的应用。eGaN®技术基于氮化镓（GaN）材料，相比传统硅材料，具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括低导通电阻、快速开关、低电容、低驱动功率需求等。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在各种应用中的表现，如汽车、无线充电、LED照明等。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®技术相比传统硅基功率转换技术，具有开关速度更快、尺寸更小、效率更高和成本更低的优势。文章详细阐述了eGaN®技术的特点，包括低导通电阻、快速开关、低电容、集成化设计、全面的设计支持等。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、无线充电、电机驱动、医疗、音频等领域中的应用。

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2022/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线充电、医疗和音频等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、医疗和音频等领域的应用。

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2022/8/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件的可靠性、成本效益和设计支持。

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2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有开关速度更快、尺寸更小、效率更高和成本更低的优势。文章详细阐述了eGaN®技术的特点，包括低导通电阻、快速器件、低电容、低驱动电路功率需求、集成化设计、全面的设计支持等。此外，文章还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和适用范围，以及其在不同应用领域的优势。

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2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

EPC - SYMMETRICAL HALF BRIDGE,氮化镓集成电路,EGAN®集成电路,ASYMMETRICAL HALF BRIDGE,EGAN TRANSISTORS,EGAN® INTEGRATED CIRCUITS,氮化镓场效应晶体管,ETOF™激光驱动器IC,对称半桥,EGAN FET,EGAN ICS,氮化镓晶体管,不对称半桥,ETOF™ LASER DRIVER IC,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9141,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,医学,DC-DC CONVERTER,POL转换器,无线电源,MOTOR DRIVE,ANALOG SWITCHING,汽车,CLASS-D AUDIO,包络跟踪,LED LIGHTING,电动机驱动,模拟开关,AUTOMOTIVE,DC-DC变换器,LED照明,D类音频,ENVELOPE TRACKING,LIDAR,MEDICAL,WIRELESS POWER,POL CONVERTER,RF AMPLIFIER,射频放大器

2021/05/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓工艺简介

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线电源、医疗和LED照明等领域的应用。

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August, 2020 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、医疗、无线充电、太阳能和射频功率放大器等领域的应用。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统的硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、医疗、无线充电、太阳能和射频功率放大器等领域的应用。

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2023/3/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比硅基器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。资料详细阐述了eGaN®器件的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，如汽车、无线电源、医疗设备等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了增强型氮化镓（eGaN）技术及其在功率转换中的应用。文章强调了eGaN器件相比硅基器件的优势，包括更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的生产成本。此外，还提到了eGaN技术的可靠性和设计支持。

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October, 2022 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换解决方案。与传统硅器件相比，eGaN®晶体管和集成电路具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了其在提高能效和系统密度方面的优势，并列举了其在多个应用领域的潜力。

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2022/7/2 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、无线充电、电机驱动和医疗等领域的应用。

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June, 2022 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该技术简报介绍了增强型氮化镓（eGaN）晶体管和集成电路在电力设计中的应用。主要内容包括： - 氮化镓FET和IC相比硅的优势：开关速度更快、尺寸更小、效率更高、成本更低。 - eGaN技术的特点：低导通电阻、快速器件、低电容、驱动电路所需功率降低、集成度高、设计支持全面、成本低、可靠性高。 - eGaN晶体管和IC的性能优势：速度快、体积小、效率高、热效率高、功率密度大。 - 应用领域广泛，包括汽车、无线充电、电机驱动、医疗设备等。 - 提供多种型号的产品和应用板，以满足不同需求。

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2022/3/1 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（Gallium Nitride）的半导体技术。该技术具有比传统硅基器件更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章重点强调了eGaN FET和集成电路在提高功率转换效率方面的优势，并列举了其在不同应用领域的潜力。

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2021/12/17 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路相比硅基器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章强调了GaN器件在降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需功率方面的优势。此外，还提到了GaN技术的可靠性、成本效益和广泛的应用领域，包括汽车、无线电源、医疗和LED照明等。

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2021/11/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在各种应用中的潜力。

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June,2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术在汽车、DC-DC转换器、POL转换器、激光雷达、无线电源、射频放大器、电机驱动、医疗设备、模拟开关和LED照明等领域的应用。

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增强型氮化镓技术

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率器件，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、减少开关损耗、降低电容和驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、DC-DC转换器、LiDAR、无线充电、RF放大器、电机驱动和医疗等领域的应用。

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增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。相比传统的硅基功率转换技术，eGaN®技术具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®技术的可靠性、成本效益和设计支持，以及其在汽车、无线电源、医疗和LED照明等领域的应用。

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2020 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓技术

该资料介绍了eGaN®技术，一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。eGaN®晶体管和集成电路具有高效率、小尺寸、快速开关速度等优点，适用于无线充电、射频放大器、LED照明等应用。资料详细比较了eGaN®技术与传统硅MOSFET的性能差异，并提供了设计支持、产品选择指南和演示板信息。

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2017年07月13日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外，eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证，确保了器件的可靠性和安全性。

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2023/11/29 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务查看更多版本

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本。与硅MOSFET相比，eGaN FET具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。文章还强调了eGaN FET在汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明、无线充电和太阳能应用等领域的应用优势。此外，文章还提到了eGaN FET的可靠性、成本效益和全面设计支持。

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2023/10/6 - 应用及方案代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/26 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能了全新的功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN FET广泛应用于汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等领域。

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2023/9/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术使能全新功能，如更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，氮化镓器件通过AEC-Q101车规级认证，具有可靠性、安全性和耐辐射性。eGaN® FET技术适用于多种应用，包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。

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2023/7/12 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN® FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复方面的性能优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN® FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2023/2/11 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，包括更低的阻抗、导通损耗、开关损耗和反向恢复。此外，氮化镓器件具有低成本、可靠性高、易于使用和全面设计支持等特点。文章还列举了eGaN® FET在不同应用中的优势，如汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、安全性以及耐辐射性方面也具有显著优势。文章还列举了eGaN® FET在多个领域的应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2023/1/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细介绍了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

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2022/12/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗、更小的电容和更低的开关损耗。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性和全面设计支持方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/12/9 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

资料介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。资料还详细说明了氮化镓器件在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的性能提升，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，资料还强调了氮化镓器件的成本效益、可靠性以及全面的设计支持。

EPC - 多模无线电源演示套件,开发板,电源模块,放大器电路板,无线接收器件,升压转换器,超薄多电平转换器,增强型氮化镓功率晶体管,演示板,驱动器演示板,无线电源演示套件,氮化镓场效应晶体管,电机驱动器演示板,1/16砖式转换器评估模块套件,功率模块,EGAN FET,三相无刷直流电机驱动,降压转换器,EGAN集成电路,1/8砖式转换器,评估模块,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC90153,EPC9121,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC9014,EPC2066,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC9093,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC9067,EPC2152,EPC2031,EPC9068,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9066,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2308,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2044,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9166,EPC9167,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9165,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2302,EPC2001C,EPC2029,EPC2306,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9167HC,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9173,EPC9176,EPC9055,EPC9170,EPC9171,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC7007,EPC2034C,EPC9148,EPC2071,EPC23101,EPC23102,EPC9144,EPC2111,EPC7004,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC7019,EPC9048C,EPC7018,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9154,EPC9033,EPC90121,EPC90124,EPC9150,EPC90128,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,LED照明,电机驱动器,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2022年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN® FET器件在成本效益、可靠性、简单易用性方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN® FET器件的应用实例和设计资源。

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2022/10/20 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术，旨在提供更高效的功率转换。与传统的硅MOSFET相比，eGaN FET具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章还讨论了eGaN FET在汽车、射频放大器、LiDAR、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。此外，还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源。

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2022/10/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有成本效益，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/9/7 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，eGaN FET技术具有低成本、简单易用、可靠性和耐辐射等特点，适用于多种应用，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/8/10 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。文章详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、负载点转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等领域的应用。

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2022/4/4 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了eGaN FET在降低阻抗、导通损耗、开关损耗和电容方面的优势，以及其在不同功率和电压条件下的高效工作能力。此外，还提到了eGaN FET的应用领域，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

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2022/3/2 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

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2022/2/8 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相较于传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化和更高的效率。其优势包括更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，该技术在成本效益、可靠性和耐辐射性方面也表现出色。文章还提供了多种基于eGaN FET的应用实例，如汽车、射频放大器、负载点转换器和无线充电等。

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2022/1/25 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计资源，以及其在不同应用中的演示板信息。

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2021/11/17 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

氮化镓晶体管是一种宽带隙器件，与传统硅晶体管相比，由于具有卓越的传导性能，因此在相同的导通电阻(RDS(on)) 条件下，可实现更小尺寸及更低电容。在开关应用中，增强型(常闭型)的工作模式让功率设计师可发挥氮化镓器件的优势。电容及电感影响开关速度。小型并使用横向结构的氮化镓场效应电晶体(eGaN FET)具备超低电容，同时它的LGA封装具低电感，使得我们在速度、电压过冲及振铃方面可实现前所未有的开关性能。没有反向恢复（QRR）在高频时也可减少损耗。氮化镓场效应晶体管及集成电路的开关性能可实现更高功率密度、更高频率、更高开关精确度、更高总线电压及更少电压过冲。基于氮化镓技术的器件可在不同的功率及电压条件下高效地工作。

EPC - 多模无线电源演示套件,放大器电路板,无线接收器件,超薄多电平转换器,增强型氮化镓功率晶体管,无线电源演示套件,氮化镓场效应晶体管,1/16砖式转换器评估模块套件,功率模块,非隔离型降压转换器,1/8砖型LLC转换器评估模块,双向转换器的功率模块,开发板,EPOWER™ STAGE,氮化镓集成电路,演示板,ETOF™ 激光驱动集成电路,驱动器演示板,ETOF™ 激光驱动器,1/16砖式转换器的评估模块,电机驱动器演示板,EGAN INTEGRATED CIRCUIT,EPOWER™工作台,EGAN FET,EGAN晶体管,降压转换器,1/16砖式双向转换器的评估模块,EGAN集成电路,1/8砖式转换器,评估模块,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2054,EPC2053,9063,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2069,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2065,EPC2067,EPC9014,EPC2100,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9094,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9126HC,EPC9063,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9111,EPC9078,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9162,EPC9041,EPC9163,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9148,EPC9149,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9143,EPC90132,EPC9022,EPC90137,EPC90138,EPC90139,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC21603,EPC9156,EPC9035,EPC9157,EPC9036,EPC7014,EPC21601,EPC9037,EPC9151,EPC90122,EPC9030,EPC9031,EPC90123,EPC9153,EPC9032,EPC90120,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,马达驱动器,包络跟踪,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,电机驱动器,LED照明,无线充电,D类音频放大器,射频放大器

2021年11月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出优异的性能，具有更低的阻抗、更低的导通损耗和更小的电容。此外，eGaN FET器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还提供了eGaN FET器件的应用实例和选型指南。

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2021 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，一种基于氮化镓的功率晶体管技术。该技术与传统硅MOSFET相比，具有更快开关速度、更小型化和更高效率等优点。文中详细阐述了氮化镓器件的低阻抗、低导通损耗、快速开关特性以及低成本优势。此外，还提供了多种基于eGaN FET技术的产品和应用案例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、激光雷达、马达驱动器、医疗应用和无线充电等领域。

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2021/07/01 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出低阻抗、低导通损耗、快速开关、低开关损耗和没有反向恢复等特点。此外，eGaN FET器件具有低成本、成熟工艺、低系统成本、简单易用、可靠性和耐辐射等优点。文章还提供了eGaN FET器件的选型和应用示例，包括汽车、射频放大器、负载点转换器、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、无线充电和D类音频放大器等。

EPC - 放大器电路板,电机驱动演示板,无线接收器件,增强型氮化镓功率晶体管,ETOF™ 激光驱动集成电路,超博多电平转换器,半桥 EPOWER™ STAGE,评估模块套件,无线电源演示套件,集成电路,砖式转换器,宽带隙器件,驱动器演示版,对称半桥,功率模块,矽基氮化镓,EGAN晶体管,降压转换器,氮化镓晶体管,非隔离型降压转换器,不对称半桥,评估模块,EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9137,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC2219,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC950X,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9118,EPC9514,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2010C,EPC2034C,EPC9148,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC9146,EPC2110,EPC9141,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC21603,EPC9156,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC21601,EPC90122,EPC9030,EPC9151,EPC9031,EPC90123,EPC9032,EPC90120,EPC9153,EPC9033,EPC9154,EPC90124,EPC9150,激光雷达,无线电源,汽车,马达驱动器,包络跟踪,模拟开关,电机驱动器,LED照明,医疗,负载点转化器,无线充电,DC-DC转换器,D类音频放大器,射频放大器

2021/05/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓器件在开关应用中表现出卓越的性能，具有更低的阻抗、导通损耗和开关损耗，以及更小的电容。此外，氮化镓器件在成本效益、可靠性、耐辐射性等方面也具有显著优势。文章还介绍了eGaN FET在汽车、射频放大器、DC/DC转换器、马达驱动、激光雷达、医疗应用、D类音频放大器、模拟开关和无线充电等领域的应用。

EPC - 宽带隙器件,多模无线电源演示套件,放大器电路板,驱动器演示板,非隔离型降压转换器,无线电源演示套件,EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC2059,EPC9003C,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC2053,EPC9086,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC2100,EPC9014,EPC9097,EPC9098,EPC9099,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC2032,EPC2031,EPC2152,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2204,EPC2015C,EPC2207,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9514,EPC9118,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC2022,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC2010C,EPC9001C,EPC2034C,EPC9029,EPC9144,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9143,EPC9048C,EPC9038,EPC2007C,EPC9039,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC90122,EPC9030,EPC90123,EPC9031,EPC90120,EPC9032,EPC9033,EPC90124,激光雷达,汽车,马达驱动器,包络跟踪,无线充电,医疗应用,DC/DC转换器,负载点转换器,模拟开关,D类音频放大器,射频放大器,LED照明

2020/11/16 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓元件通过降低阻抗、导通损耗和开关损耗，实现更高效的功率转换。此外，eGaN FET在汽车、无线充电、LED照明等领域具有广泛的应用。文章还提供了eGaN FET器件的选型和设计支持信息。

EPC - EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC9003C,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC9089,EPC2053,EPC9086,EPC9088,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9138,EPC9013,EPC2100,EPC9014,EPC9130,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2112,EPC2010C,EPC2115,EPC2034C,EPC9029,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9048C,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2019年8月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介

本文介绍了eGaN® FET技术，这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件，eGaN® FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用，包括汽车、DC/DC转换器、负载点转换器、激光雷达、D类音频放大器、无线充电、射频功率放大器、马达驱动器、医疗应用和LED照明等。文章还提供了eGaN® FET器件的选型和设计支持信息。

EPC - EPC2212,EPC950X,EPC2214,EPC9003C,EPC2016C,EPC2050,EPC9126,EPC9127,EPC2052,EPC9128,EPC2051,EPC9129,EPC9089,EPC2053,EPC9086,EPC9088,EPC9121,EPC9084,EPC2102,EPC9002C,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC2107,EPC9138,EPC9013,EPC2100,EPC9014,EPC9130,EPC9092,EPC9093,EPC9091,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC2030,EPC9106,EPC2032,EPC2031,EPC2034,EPC2033,EPC9063,EPC9126HC,EPC9064,EPC8010,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC9005C,EPC2203,EPC9004C,EPC2202,EPC9515,EPC2015C,EPC2206,EPC9115,EPC9513,EPC2040,EPC9078,EPC9111,EPC9112,EPC2045,EPC2012C,EPC2019,EPC9049,EPC9204,EPC9205,EPC9046,EPC9047,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2024,EPC8009,EPC2001C,EPC2029,EPC9010C,EPC8002,EPC2021,EPC2020,EPC9057,EPC2023,EPC9058,EPC8004,EPC2022,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9006C,EPC9001C,EPC2112,EPC2010C,EPC2115,EPC9029,EPC9024,EPC2111,EPC2110,EPC9141,EPC9022,EPC9038,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9035,EPC9036,EPC9037,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033

2019年5月 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持采购服务

【应用】eGaN FET EPC2051助力激光雷达发射端高功率纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，普通MOS不能满足要求，需要采用GaN 搭配高功率Laser器件进行实现。EPC2051是EPC公司生产的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在激光雷达上。

2020-04-29 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】eGaN FET EPC2007C成功助力16线、32线等多线激光雷达发射端纳秒级别脉冲设计

在激光雷达的发射链路中，为实现雷达高分辨率的设计，需产生高功率、纳秒级别的激光脉冲。要达到这样的设计要求，需要采用GaN搭配高功率Laser器件来实现。EPC2007C为EPC的氮化镓场效应晶体管（eGaN FET），已经成功的应用在16线、32线等激光雷达设计上。

2020-06-24 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC（宜普）增强型氮化镓功率晶体管技术简介（中文版）

本文介绍了eGaN® FET技术，一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比，eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势，包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等，并提供了选型指南和设计支持资源。

EPC - 转换器,电力电子功率器件,放大器,电力电子功率模块,比较器,EPC2014,EPC2016,EPC2015,EPC9203,EPC9049,EPC9046,EPC9201,EPC9047,EPC9124,EPC9048,EPC9041,EPC9040,EPC2102,EPC2024,EPC2104,EPC8009,EPC2103,EPC8008,EPC2029,EPC2106,EPC2105,EPC2108,EPC8002,EPC2021,EPC8007,EPC9057,EPC2020,EPC9014,EPC2023,EPC2100,EPC8005,EPC8004,EPC9055,EPC9050,EPC9051,EPC9509,EPC2035,EPC2014C,EPC2039,EPC9507,EPC9029,EPC2030,EPC9106,EPC9024,EPC2031,EPC9022,EPC9060,EPC9061,EPC9062,EPC2015C,EPC9038,EPC9115,EPC9039,EPC2007C,EPC9034,EPC9078,EPC9111,EPC9035,EPC9112,EPC9036,EPC2001,EPC9510,EPC9037,EPC9114,EPC9030,EPC9031,EPC9032,EPC9033,公共安全设备,工业电子,消费电子,军工设备,汽车电子,通信设备

2017年07月13日 - 应用笔记或设计指南代理服务技术支持采购服务

【应用】采用eGaN FET EPC2045实现低成本高性能的DCDC设计

EPC2045是一款100V/7mΩ、电流能力高达16A的增强型氮化镓场效应晶体管。目前采用EPC2045的EPC9130的功率密度做到了1250W/in³，在成本上可以实现¥0.5/W以内的低成本设计。EPC2045相比于Si MOSFET，在损耗上优势也比较明显。在48V输入、12V/10A输出、驱动频率为500KHz的条件下，EPC2045可提供1.5%的更高效率。

2020-08-01 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】基于eGaN FET与 GaN IC的低成本ToF激光雷达方案

用于激光雷达系统的典型脉冲激光驱动器通常使用与激光器和电源串联的半导体功率开关器件，其性能受寄生电感和半导体功率器件的速度所限制。GaN技术则能够支持短距离和远距离激光雷达传感器的设计。EPC公司的EPC9126和EPC9126HC是针对远距离直接飞行时间应用的大电流激光二极管驱动器的演示系统，EPC9144激光驱动器演示系统针对间接飞行时间应用进行了优化。

2020-03-28 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

EPC2088–增强型功率晶体管

本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（GaN）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高效率电源转换应用。

EPC - EGAN FETS,氮化镓®场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE POWER TRANSISTOR,EGAN® FET,氮化镓晶体管,氮化镓场效应晶体管,增强型功率晶体管,GAN TRANSISTORS,EPC2088,DC-DC CONVERTERS,激光雷达,POINT-OF-LOAD CONVERTERS,BLDC MOTOR DRIVES,AC/ DC,E-MOBILITY,USB-C接口,电子移动,SYNC RECTIFICATION,CLASS-D AUDIO,LED LIGHTING,USB-C,LED照明,DC-DC,D类音频,直流-直流,同步整流,负载转换器,交流/直流,LIDAR,DC-DC转换器,无刷直流电动机驱动

March, 2023 - 数据手册代理服务技术支持采购服务

EPC氮化镓晶体管选型表

EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型，最大耐压15V-350V，持续电流0.5A-90A，导通阻抗1.45Ω-3300mΩ，导通电荷0.044nC-19nC，峰值电流0.5A-590A。

产品型号	品类	最大耐压（V）	持续电流(A)	导通阻抗(mΩ)	导通电荷(nC)	峰值电流(A)	封装（mm)
EPC2040	Enhancement Mode Power Transistor	15V	3.4A	30mΩ	0.745nC	28A	BGA 0.85 mm*1.2mm