CISSOID提供SiC智能功率模块平台,与SILICON MOBILITY共同开发用于电动汽车的SiC逆变器
2021年12月9日,高温半导体和功率模块领域的领导者CISSOID,以及FPCU(现场可编程控制器单元)半导体体系架构的技术领导者和发明者Silicon Mobility,宣布将Silicon Mobility的OLEA®FPCU控制器与CISSOID的SiC智能功率模块(IPM)平台集成,用于加速开发紧凑高效的SiC逆变器, 从而为新能源汽车电机驱动提供超快速和极其安全的实时控制。
二者的合作将提供一个SiC逆变器模块化平台,该平台提供高度集成的硬件和优化的软件,包括一个功率模块及其具有保护和故障管理功能的栅极驱动器、一个超快速FPCU控制器及针对电机控制的应用软件。CISSOID的IPM集成了三相1200V/340A-550A SiC功率模块和耐温栅极驱动器,可实现低开关损耗和高功率密度。 Silicon Mobility OLEA® FPCU 控制器和 OLEA® APP INVERTER 软件可实现快速高效的电机控制。
“Silicon Mobility 超高速OLEA FPCU和我们的SiC IPM平台集成后,可完美应用于电机驱动控制”,CISSOID首席技术官Pierre Delatte说。“当SiC功率模块能够更快地切换并在更高频率下运行时,能够更快地运行实时算法的控制器技术至关重要。此外, OLEA FPCU的低功耗也是构建高度紧凑和高效的牵引逆变器的关键特性”。
“CISSOID SiC IPM平台是一项有助于加速SiC功率转换器开发的出色技术”,Silicon Mobility营销和业务开发副总裁 David Fresneau说。“通过将CISSOID技术与我们的OLEA®控制解决方案相结合,我们提供了一个独特的硬件和软件平台,这将使在短短几个月内开发出高效且极其安全的SiC逆变器成为可能”。
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型号- CXT-PLA3SA12450A,CXT-PLA3SA12450AA
【应用】三相全桥1200V SiC MOSFET智能功率模块(IPM)助力电动汽车功率转换器设计
本文讨论了在电动汽车应用的功率转换器设计中选择CISSOID的1200V三相全桥SiC MOSFET智能功率模块(IPM)体系所带来的益处,尤其表现在该体系是一个可扩展的平台系列。该体系利用了低内耗技术,提供IPM这种已整合的解决方案。
IGBT应用在那些地方呢 ?
IGBT应用范围按照领域的不同主要可以分为三大类:消费类,工业类,汽车类。IGBT单管主要应用于小功率家用电器、分布式光伏逆变器;IGBT模块主要应用于大功率工业变频器、电焊机、新能源汽车(电机控制器、车载空调、充电桩)等领域;而IPM模块应用于变频空调、变频冰箱等白色家电产品。
3-Phase 1200V/340A SiC MOSFET Intelligent Power Module CXT-PLA3SA12340A-Preliminary Datasheet
型号- CXT-PLA3SA12340A,CXT-PLA3SA12340AA
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
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提供电子电气产品的辐射骚扰测试、辐射抗干扰测试,以及RFID,SRD,2G,3G,4G等无线产品的辐射骚扰测试、辐射杂散测试、辐射功率测试以及辐射抗干扰测试。测试频率可覆盖9KHz-26.5GHz。
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