【应用】国产1200V SiC MOS管P3M12080G7助力2kW电源砖模块，效率提升超96%

时间： 2023-03-15 来源：世强

代理服务

技术支持

采购服务

众所周知，在电源砖产品中，根据电源模块尺寸可分为全砖、1/16砖、1/8砖、1/4砖等，而在DC/DC电路结构拓扑一般会采用半桥/全桥LLC的设计方案，随着市场应用需求变得多样化以及半导体器件的不断突破，电源的功率密度和效率也不断提升，基于SiC器件设计的电源砖模块可提高效率和功率密度。

如下图1所示，为额定功率2kW的全砖DC/DC电源模块的设计主架构框图。其中主体是由逆变+同步整流搭建而成全桥LLC变换器，其功能特性为输入电压为输入400~800V，输出电压100V，频率250kHz。

图1 全桥LLC的拓扑

本文重点介绍派恩杰推出的SiC MOS管 P3M12080G7应用于全砖电源模块上，全桥拓扑LLC初级侧逆变使用，额定电压为1200V，导通电阻80mΩ。由于该模块设计考虑高效率，Si基器件来做全桥LLC前级和后级的开关管，由于器件的自身材料限制使得产品的整机效率只能到93~94%，而采用第三代半导体器件如SiC可使整机效率高达96%以上。

图2 P3M12080G7的封装尺寸

国产派恩杰1200V的SiC MOS管P3M12080G7助力2kW全桥电源砖设计，具有几下几点优势：

1、最高耐压为1200V，满足400~800V输入电压系统，电压余量足够，防止MOS管关断时产生的电压尖峰而损坏；

2、导通电阻低至80mΩ，相比Si基器件，低的Rds利于减小开关损耗，有利于提高效率，峰值效率高达97%以上；

3、栅极电荷Qg典型值为54.6nC，对控制芯片的带载能力的要求很低，开关损耗低，效率高，具有更好的开关特性；

4、漏极持续电流为23A@100℃，针对2kW功率，400~800V的电压范围有足够电流余量；

6、紧凑型7引脚贴片封装形式，可进一步降低开关损耗，提升功率密度，可以机器贴装，提高生产安装效率，增强可靠性，节省PCB板电路面积；

7、兼容SI基器件的驱动电压，推荐+15/-3V驱动，15V驱动产品优势更加明显，进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗，国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易；

8、国产器件，大批量出货，具有样品快速支持，供货交期、产品价格均有很好的保障。

综上所述，使用国产派恩杰1200V的SiC MOS管P3M12080G7，可提高电源效率，提供功率密度，降低成本，驱动芯片容易匹配，从综合成本和性能优势来看相比其他进口的SIC MOSFET具有更高的性价比。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由陌吠提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】派恩杰650V SIC MOSP3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有卓越的栅氧层可靠性

某客户将派恩杰的SiC MOS管P3M06060L8用于5KW高密度开关电源，具有优异的性能。派恩杰平面型SiC MOSFET具有卓越的栅氧层可靠性，且高温下Rdson偏移小可获得更好的高温特性。

2023-03-26 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】650V SIC MOS管P3M06120K3用于汽车空调压缩机控制器，符合AEC-Q101要求

本文介绍了派恩杰650V的SIC MOS管P3M06120K3在3KW汽车空调压缩机控制器的应用。该MOS管符合AEC-Q101的要求，漏源极击穿电压650V，高阻断电压，低导通电阻；采用TO-247-3封装；能有效提高功率密度，降低系统成本。

2023-03-16 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

【应用】派恩杰650V碳化硅场效应管P3M06060G7用于伺服驱动器，导通阻抗60mΩ

有客户在设计一款总线型的伺服产品，考虑到开关频率和导通阻抗因素，打算采用四颗SIC MOS来做H桥，要求功率管的耐压650/40A，导通阻抗越小越好。本文给客户推荐了一款派恩杰的碳化硅场效应管P3M06060G7，拥有650V的漏源击穿电压和44A输出电流。

2023-04-25 - 应用方案代理服务技术支持采购服务

派恩杰（PN Junction）碳化硅肖特基二极管和碳化硅MOSFET选型指南

目录- 碳化硅肖特基二极管碳化硅MOSFET

型号- P3D06010I2,P3D06020F2,P3M06120K4,P3D06010E2,P3D06016I2,P3M171K0G7,P3M173K0T3,P3M06120K3,P3D12010T2,P3D12040K2,P3M12080K4,P3D12040K3,P3M12080K3,P3D06002T2,P3M12040K3,P3D06004T2,P3M12040K4,P3D06006T2,P3D06008T2,P3M12025K4,P3M12080G7,P3M171K0K3,P3D06020I2,P4D06010F2,P3D12005E2,P3D06002G2,P3M06060T3,P3D06004G2,P3D06006G2,P3D06008G2,P6D12002E2,P3M06060G7,P3M171K0T3,P3D12030K3,P3D06010T2,P3D12030K2,P3M06060K3,P3D12015K2,P3M06060K4,P3M173K0K3,P3D06010G2,P4D06020F2,P4D06010I2,P3D06016K3,P3D06006F2,P3D06008F2,P6D06004T2,P3D12020K3,P3M06300D8,P3M06300D5,P3D12020G2,P3D12015T2,P3M12160K4,P3D06020T2,P3D12020K2,P3M12160K3,P3D06020P3,P3D12005K2,P3M12017BD,P3D06010F2,P4D06020I2,P3D06002E2,P3D06006I2,P3D06004E2,P3D06008I2,P3D06006E2,P3D06008E2,P3D12010K2,P3M06025K4,P4D06010T2,P3D12010K3,P3M07013BD,P3D12005T2,P3M06040K4,P3M06040K3,P3M12017K4,P3D06020K2,P3D12010G2,P3M17040K3,P3D06020K3,P3M17040K4

派恩杰 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

派恩杰碳化硅场效应管(SiC MOSFET)选型表

派恩杰推出碳化硅场效应管(SiC MOSFET)，覆盖常规封装TO247-3,TO247-4,TOLL,TO263-7等，RDS：13-3000毫欧，温度高达175℃

产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃