【产品】100V、240A增强型氮化镓功率晶体管EPC2053,适用于激光雷达、隔离型电源供电、D类音频及LED照明等
EPC(宜普电源转换公司)是基于增强型氮化镓的功率管理器件领先供应商。EPC公司推出的EPC2053是增强型氮化镓功率晶体管,符合RoHS 6/6标准、无卤素。具有开关频率快,效率高,控制极电荷低,零反向恢复损耗以及占板面积小等优点。该器件实物如图1所示,可用于激光雷达、隔离型电源供电、D类音频以及LED照明等运用。
图1 EPC2053的产品示意图
工作特性方面,EPC2053的漏源连续工作电压额定值为100V,漏极连续工作电流额定值为32A,脉冲电流额定值为240A。它的控制极-源极电压最大范围为-4到+6V。EPC2053采用芯片级封装技术,封装尺寸仅为3.5mm×2mm,能够大幅节省PCB空间,适合便携式紧凑型设备应用。该器件的操作温度和存储温度均为-40℃~150℃,符合军品级器件的温度要求,能够胜任各种苛刻的应用环境,可靠性极高。结壳热阻典型值仅为0.7°C/W。
静态特性方面,EPC2053的漏源漏电流IDSS在VDS=80V,VGS=0V的条件下,典型值为0.05mA,最大值为0.45mA,漏电流引起的危害较小。它的漏源通态电阻RDS(on)较低,在VGS=5V,ID=25A时,典型值仅为3.2mΩ,最大值为4mΩ,能够有效降低导通损耗,减少产热,提高芯片效率。EPC2053的漏源正向电压VSD在IS=0.5A, VGS=0V的条件下,典型值为1.7V。动态特性方面,EPC2053的控制极电阻典型值仅为0.6Ω,此外,具有较低的控制极电荷QG,在VDS=50V,VGS=5V,ID=25A时,典型值为12nC,最大值为15nC,其漏源恢复电荷为0。
图2 EPC2053的工作特性图
增强型氮化镓功率晶体管EPC2053主要特点和优势:
•开关频率快
•高效率
•占板面积小(3.5mm×2mm)
•操作温度和存储温度均为-40℃~150℃
•漏源连续工作电压额定值为100V
•漏极连续工作电流额定值为32A,脉冲电流额定值为240A
•符合RoHS 6/6标准、无卤素
增强型氮化镓功率晶体管EPC2053主要应用领域:
•48V服务器
•激光雷达/脉冲电源
•隔离型电源供电
•负载点转换器
•D类音频
•LED照明
•低电感马达驱动器
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
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Configuration
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VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC2207–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2207增强型功率晶体管的数据手册。该器件采用氮化镓(Gallium Nitride)技术,具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于无线充电、DC-DC转换器、BLDC电机驱动、太阳能微型逆变器、机器人、Class-D音频和多级AC-DC电源等领域。
型号- EPC2207
增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
型号- EPC2212,EPC2214,EPC2059,EPC2216,EPC2215,EPC2218,EPC2050,EPC9126,EPC2052,EPC2051,EPC2054,EPC2053,EPC2055,EPC9086,EPC2218A,EPC90153,EPC2102,EPC2101,EPC2104,EPC2103,EPC2106,EPC2105,EPC2107,EPC2065,EPC90151,EPC90152,EPC21702,EPC2100,EPC2067,EPC2221,EPC21701,EPC2066,EPC90150,EPC9097,EPC90145,EPC90142,EPC9098,EPC90143,EPC9099,EPC9092,EPC90148,EPC90149,EPC90146,EPC9094,EPC90147,EPC2219,EPC9091,EPC2619,EPC2036,EPC2035,EPC2038,EPC2037,EPC2014C,EPC9507,EPC2031,EPC2152,EPC9063,EPC9126HC,EPC9186,EPC2204A,EPC9061,EPC2308,EPC2307,EPC9005C,UP1966E,EPC2203,EPC9004C,EPC2204,EPC2207,EPC2206,EPC2044,EPC9194,EPC2012C,EPC9049,EPC2252,EPC9166,EPC9167,EPC9041,EPC9162,EPC9163,EPC9165,EPC7020,EPC9160,EPC9040,EPC2302,EPC2001C,EPC2304,EPC2306,EPC2305,EPC8002,EPC9177,EPC9167HC,EPC9179,EPC9173,EPC9174,EPC9055,EPC9176,EPC9170,EPC9050,EPC9171,EPC9051,EPC9172,EPC7007,EPC2034C,EPC7002,EPC9148,EPC2071,EPC7001,EPC23101,EPC23102,EPC23103,EPC9144,EPC90140,EPC23104,EPC2111,EPC7004,EPC7003,EPC90132,EPC9022,EPC9143,EPC90137,EPC90138,EPC90135,EPC7019,EPC7018,EPC9038,EPC9159,EPC9039,EPC9156,EPC21603,EPC9036,EPC9157,EPC9037,EPC2088,EPC7014,EPC21601,EPC9158,EPC90122,EPC9151,EPC90123,EPC90120,EPC9153,EPC90121,EPC9154,EPC90124,EPC9150,EPC90128
EPC2052–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料介绍了EPC2052增强型功率晶体管(Power Transistor)的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻和优异的热性能,适用于高频率开关和高效率电源转换。
型号- EPC2052
EPC2088–增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高效率电源转换应用。
型号- EPC2088
EPC2019–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2019增强型功率晶体管(Power Transistor)的数据手册。该产品采用氮化镓技术,具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频开关电路等领域。
型号- EPC2019
EPC2044–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料介绍了EPC2044增强型功率晶体管,这是一种基于氮化镓(Gallium Nitride)技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)、高开关频率和低驱动功率,适用于高效能转换应用。
型号- EPC2044
EPC氮化镓晶体管选型表
EPC提供以下氮化镓功率晶体管/GaN功率晶体管选型,最大耐压15V-350V,持续电流0.5A-90A,导通阻抗1.45Ω-3300mΩ,导通电荷0.044nC-19nC,峰值电流0.5A-590A。
产品型号
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品类
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最大耐压(V)
|
持续电流(A)
|
导通阻抗(mΩ)
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导通电荷(nC)
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峰值电流(A)
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封装(mm)
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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15V
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3.4A
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30mΩ
|
0.745nC
|
28A
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BGA 0.85 mm*1.2mm
|
选型表 - EPC 立即选型
EPC2019–增强型功率晶体管数据表
描述- 本资料介绍了EPC2019增强型功率晶体管(eGaN® FET)的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术,具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频开关电路。
型号- EPC2019
【应用】EPC增强型氮化镓功率晶体管EPC2059用于激光驱动开关,开关损耗小,零反向恢复电荷
本文介绍一款EPC增强型氮化镓功率晶体管EPC2059,它能够很好的满足激光驱动开关的性能需求。宽带隙,高电子迁移率以及极低的栅极电荷QG,使其具有更快开关速度;且芯片尺寸仅2.8mm×1.4mm,符合RoHS 6/6要求,能够实现更高功率密度
EPC2036–增强型功率晶体管
描述- 本资料介绍了EPC2036增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该产品具有极低的导通电阻RDS(on)、超低QG和零QRR,适用于高速直流-直流转换、无线电力传输、高频硬开关和软开关电路、激光雷达/脉冲电源应用以及类D音频等领域。
型号- EPC2036
EPC2053–增强型功率晶体管
描述- 本资料为EPC2053增强型功率晶体管(Power Transistor)的数据手册。该器件采用氮化镓技术,具有低导通电阻、高开关频率和高效能转换等特点,适用于服务器、激光雷达、隔离电源、点负载转换器、音频放大器和LED照明等领域。
型号- EPC2053
电子商城
现货市场
服务
可定制共模扼流圈、DIP功率扼流圈、大电流扼流圈、环形扼流圈/线圈等产品,耐温范围-40℃~125℃,电感量最高1200mH。
最小起订量: 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm;笔电D8热管打扁厚度1.0mm,可解40W热量;高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量: 10000 提交需求>
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