【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS35N06Q可用于电源,工作结温高达150℃

2023-05-11 世强
N沟道超级沟槽功率MOSFET,HMS35N06Q,虹美功率半导体 N沟道超级沟槽功率MOSFET,HMS35N06Q,虹美功率半导体 N沟道超级沟槽功率MOSFET,HMS35N06Q,虹美功率半导体 N沟道超级沟槽功率MOSFET,HMS35N06Q,虹美功率半导体

任何电子产品都需要电源进行供电工作,对于交流电源,我们需要进行整流,滤波,再经过电压转换电路将输入电压转换成我们想要的电压,对于直流电源,只是少了整流这个步骤。电源设计的好坏,直接决定了产品的好坏,电源的稳定性,可靠性直接决定了产品的性能。如何设计出一个好的电源呢?电源电路中开关器件MOSFET的选型也是有很大的影响。


电源需要效率高,损耗小,进而降低能耗,节能环保,因此MOSFET的导通电阻要小。电源需要具有大输出能力,以便可以稳定可靠的向外输出电压电流,因此MOSFET通流能力要强,工作温度范围要宽。电源容易遭受各种外部瞬态故障,因此MOSFET抵抗雪崩能力要强。


笔者比较推荐虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS35N06Q,TC=25℃,VGS=10V, ID=25A时,漏源导通电阻典型值仅为9.1mΩ, 考虑一般电源应用,即使降额为10A使用,对应的导通电阻产生的功耗仅为0.91W,损耗非常小,可以大大提高电源工作效率。


TC=25℃时,连续漏极电流高达35A,TC=100℃,连续漏极电流高达25A,可见产品通流能力非常强,HMS35N06Q外壳温度升高了75℃,通流能力仅仅少了10A,这说明HMS35N06Q的散热能力很强,散热能力是持续通过大电流的保障,这得益于HMS35N06Q的DFN3.3X3.3-8L封装,底部拥有大散热焊盘,并且HMS35N06Q工作结温范围宽至-55到150℃,有力保障了电源的大电流输出能力。

电源在大电流输出状态能否稳定输出是非常关键的,这体现了电源的可靠性。TC=25℃时,HMS35N06Q单脉冲雪崩能量高达350mJ(Tj=25℃ ,VDD=30V,VG=10V,L=0.5mH,Rg=25Ω),单脉冲雪崩能量表示在单个脉冲下MOSFET能够承受的最大电荷量,特别是在给感性负载供电时,可以避免MOSFET出现热损坏,提高电源的稳定性。

虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS35N06Q具有低导通电阻,高导通电流,宽工作温度范围,以及高单脉冲雪崩能量,可以提高电源的效率以及输出稳定性,保障电源大电流输出能力。

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供:世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应:世强硬创平台www.sekorm.com
  • +1 赞 0
  • 收藏
  • 评论 0

本文由叫我大表哥吧提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。

相关研发服务和供应服务

评论

   |   

提交评论

全部评论(0

暂无评论

相关推荐

【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D用在电动工具中,拥有180A的脉冲漏级电流

虹美功率半导体的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS10N15D可以被安全地应用在绝大多数的电动工具应用上,拥有180A的脉冲漏级电流,可以让电动工具在急速启停时拥有足够的通流能力,用以保障系统的稳定运行。出厂时是100%进行UIS测试,最大程度保证其雪崩特性的有效性和一致性,为广大产品应用保驾护航。

2023-06-15 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR可用于LED照明,总栅极电荷仅为58nC

虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4N10MR总栅极电荷小,漏源电压高,结到环境的热阻小,从而可以支持LED照明系统采用PWM进行控制,支持更多的LED灯珠串联,提高了LED照明系统的最大亮度,以及可靠性,寿命,也使得LED照明更护眼。

2023-05-14 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

【应用】N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩,RDS典型值57mΩ

虹美功率半导体推出的N沟道超级沟槽功率MOSFET HMS4488 MOSFET用于快速充电桩,RDS典型值57mΩ,具有功耗低,结电容低,响应速度快等特点,完全满足客户新的快充桩开关电源的设计需求,提升了快充桩开关电源的功耗表现和性能表现,提升了了客户产品的市场竞争力。

2023-05-10 -  应用方案 代理服务 技术支持 采购服务

虹美功率半导体MOS选型表

虹美功率半导体选型提供低压MOS、低压超级沟槽MOS、中压大电流超级沟槽MOS、中压大电流MOS、中压大电流MOS(100V以下)、中压大电流MOS(100V以上)、高压平面MOS、高压超结MOS,BMS&电动车&平衡车SGT MOS,USB PD快充同步整流&VBUS开关 SGT MOS,储能 SGT MOS,串联半桥驱动MOS,带FRD高压平面MOS,低压SGT MOS,主要应用于消费电子、家电、通讯、工业、汽车等领域。

产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS120N03D
中压大电流SGT MOS
SGT工艺(Split Gate)
N沟道
DFN5X6-8L
30V
120A
340A
1.7V
20V
1.95mΩ
2.85mΩ

选型表  -  虹美功率半导体 立即选型

虹美功率半导体(Hongmei Power Semiconductor)MOSFET/GaN(氮化镓)FET选型表(国内独创特色产品)

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管    中功率低压P/N沟道场效应管    超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管    大功率高压N沟道场效应管    高压超结N沟道场效应管    大功率中压大电流P/N沟道场效应管    大功率中压大电流N+P沟道场效应管    大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管    超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管    GaN(氮化镓) FET管   

型号- HM01N100PR,HM3400KR,HM35SDN03D,HM603K,HMS10DN08Q,HM1N70PR,HM10DN06Q,HMS11N70Q,BSS84DM,HM3N40R,HM2818D,HM13N30,HMS20N65D8,HM1N50MR,BSS84DW,HM08DN10D,HM2810D,HM10N06Q,HM4615Q,HMS20N15KA,HMN9N65Q,HM100P35E,HM4P10D,HM6604D,BSS84KR,HM30SDN02D,HM2819D,HM2N50PR,HM06DP10Q,HM3N25R,HMS100N15,HMS3N70R,HM3400DR,HM35DN03D,HM4616Q,HM2310DR,HM4N60R,HM3N40PR,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HMS45N04Q,HM3N100F,HM18DP03Q,BSS138SR,HM3N30R,HM6604DB,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM2301BWKR,HM3400E,HM3DN10D,HM3N150,HM18DP03D,HMS65N10KA,HM8N100F,HMS5N70R,HM18SDN04D,HM50P35DE,HM2800D,HM10DP06D,HM2N50R,HM20DN04Q,HM10P10Q,HM4N10D,BSS138DM,HM15P06Q,BSS8402DM,HM1N60R,HMS18N10Q,HMS85P06,HM2809D,HM13N25FA,HM3401E,HM6604BWKR,HM12P04Q,HM30DN02D,HMS45P06D,HM4618Q,HMS35N06Q,HM15N25,HM50P03D,HM06N15MR,HM2N25MR,HM607K,HMS6N10PR,HM6803D,HM15N25K,HM2DP10D,HM3N150F,HM3N150A,HM12N20D,HM2309DR,HM4611Q,HM4N65R,HM13N25A,HM25P15,HMS5N80R,BSS138DW,HM4485E,HMS10N15D,HMS85P06K,HMS4488,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM2319D,HM1N60PR,HM610K,HM3N100,HMS5N65R,HM100P35KE,HM25P15K,HM10SDN10D,HM1N70R,HM25P15D,HM20P04Q,HMS4N10MR,HM2803D,HM2N65R,HM4640D,HMS10DN10Q,HM609K,HM13N30K,HMS3N65R,HM25N08D,HM13N30F,HM2318D,HM3N120F,HM12DP04D,HM3N120A,HM3N50R,HMS5N90R,HM2N70R,BSS84SR,HM3800D,HM13N25KA,HM2302BWKR,HMS13N65Q,HM6804D,HM7002KDM,HMS11N65Q,HM3N50PR,HM2N65PR,HM7002KDW,HM5N50R,HM02P30R,HM0565MR,HM25N06Q,HM4884Q,HMS50N03Q,HM3801D,HM3N120,HM3401DR,HM4630D,HM02P30PR

2023/5/26  - 虹美功率半导体  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

HMS5N90I/HMS5N90K N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 本资料介绍了HMS5N90I/HMS5N90K系列N-Channel Super Junction Power MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅超级结技术设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于AC-DC SMPS的PFC、AC/DC功率转换和工业电源应用。

型号- HMS5N90K,HMS5N90I

2024/9/12  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

虹美功率半导体(Hongmei Power Semiconductor)MOSFET/IGBT单管/Sic(碳化硅)二极管/GaN(氮化镓)FET选型表(产品说明)

目录- 小功率低压P/N沟道场效应管    中功率低压P/N沟道场效应管    超级沟槽工艺中功率P/N沟道场效应管    大功率高压N沟道场效应管    高压超结N沟道场效应管    大功率中压大电流P/N沟道场效应管    大功率中压大电流N+P沟道场效应管    大功率中压大电流串联半桥驱动双N沟道场效应管    超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管    工业类IGBT    Sic(碳化硅)肖特基二极管    GaN(氮化镓) FET管    锂电保护板用MOS管   

型号- HM2N60F,HM2N60I,HM4822B,HM20P02D,HM8N02MR,HM3N40R,HM3205,HMS60N10DA,HMS150N04D,HM2N60K,HM3207,HM9435B,HM2N20PR,HM80N06KA,HM90N04D,HM17N10K,HMG40N65FT,HM150N03D,HM50N15D,HM3N40PR,HM75N07K,HMS150N06D,HM4606D,HM2N20MR,HM3710K,HM4310,HM90N07K,HM3401PR,HMS5N90R2,HMS40N65T,HM90N06K,HM20P02Q,HM4302,HM12P04Q,HMS20N70,HMS35N06D,HMS45P06D,HMS35N06Q,HMC6N65Q,HM06N15MR,HM4826A,HM12P06K,HM50N10K,HMS20N80,HMS60N06D,HMS10N15D,HMS15N65F,HM2N65K,HMG40N65AT,HMS60N06Q,HM40N10A,HM20N03K,HM2N65R,HM9N50K,HMS10N50,HM4490B,HM4030D,HMS3N65R,HM18P10K,HM150N03K,HM10N65F,HMS3N65K,HM4828A,HM4354,HM4110,HM3800D,HMS60N08D,HM7002KDM,HM7002KDW,HM4805A,HM25N50F,HM90N02D,HM25N50A,HM3801D,HMS3N65F,HMS150N03D,HM4402A,HM2305PR,HM4402B,HM4620D,HM6N70,HM4886A,HM4402D,HM3N80I,HMS10N50K,HM3N80K,HMS10N50F,HM12N60,HMS5N70R2,HM3N80F,HM12N65,HM5N65K,HM80N04K,HM10N06Q,HM5N65F,HM25SDN03Q,HM80N03A,HM6604D,HM4887B,HM1404B,HM1404C,HMS3N70R2,HM1404D,HM40N15KA,HM3205D,HM3205B,HM4N60I,HMS4444A,HM80N03K,HM2310DR,HMS4444B,HM4N60R,HM4622A,HMS20N80T,HM40N15K,HM4888B,HM4622D,HM3N100F,HM3205K,BSS138SR,HM3N100D,HM8N100A,HM07DP10D,HM3400B,HM3400C,HM3400D,HM3400E,HM3DN10D,HMS20N80D,HM8N100F,HMS20N80F,HM18SDN04D,HM4953,HM20DN04Q,HMS3205,HM3P10MR,HM6N10PR,HM32N20,HM15P06Q,HM1N60R,HM830,HM55N03D,HM20DN04D,HM3401C,HM3401D,HM3401E,HM1N60K,HM30DN02D,HM3401B,HMS17N65,HM3207B,HM6803D,HM3207T,HMS17N65F,HMS25N65F,HM4N65K,HMS17N65D,HM4N65F,HMS8N70,HMS8N65,HM4N65R,HM2310,HM840,HM3401,HM3400,HMS25N65T,HM2301DR,HMS15N80D,HM3407,HM2318,HM2319,HMS5N65K,HM5N20R,HM2309APR,HMS5N65F,HM2319D,HM16N50F,HMS5N65R,HMS80N10D,HM10N70,HMS80N10A,HM20P04Q,HMS135N04D,HM4963,HM2301,HM2300,HM9N90F,HM2302,HM2305,HM9N90A,HM10N65,HM4953B,HM2318D,HM3N120F,HM10N60,HM3N120A,HM3422,HMS135N03D,HM6804D,HM8N60,HM4821A,HMS3205K,HM4409A,HM4402CE,HM70N80B,HM8N65,HM70N80A,HMS3205D,HM2301BKR,HM3414,HM100N06D,HM01N100PR,HMS11N70K,HM603K,HM30P10,HMS11N70Q,HM85N02K,HM2818D,HM640,HMS11N70F,HMS18N80F,HM2907,HM20N50F,HM30SDN02D,HM8205,HM2819D,HM40N20,HM06DP10Q,HM20N06KA,HM1607,HM250N03,BSS138KR,BSS123DM,HM605K,HM4N70,HMS21N65D,HM8N20K,HM6604DB,HMS21N65F,HM8N20A,HMS21N65T,HM4421B,HM4421C,HM100N06,HM4421A,HM100N03,HM100N02,HM4N60,HM4N65,HMS85P06,HM4468T,HM15N25,HM30N10,HM3808,HM607K,HM18N50F,HMS4354,HM30N04Q,HM30P55,HM12N20D,HM2301BSR,HM2N15PR,HM18N50A,HM13N25A,HM4421F,HM45N02Q,HM4421D,HM60N75K,HM2P15R,HMS80N06D,HM5N60I,HM5N60K,HM25P15K,HM25P15D,HM30N04D,HM4640D,HMS80N10KA,HM4884A,HM609K,HM30N02Q,HMS5N90K,HM85P02K,HMS5N90F,HM70P03K,HMS5N90R,HM13N50,HM20N50A,HM40DN04K,HM30N03K,HM100N03K,HM1404,HM3207BD,HM2301KR,HM100N03D,HM45N02D,HM4885A,HM100P03,HM4884Q,HM30N02D,HM30N02K,HM100N02K,HM5N06APR,HM20N06,HM70N75,HM4260,HM5P15D,HMS20N65D8,HM45P02D,HM60N20,HMS10N80,HM2810D,HMN9N65Q,HM4P10D,HM50N06KA,HM70N80,HM4485,HMN9N65D,HM4484,HM70N88,HM4489,HM25N60A,HM4P10R,HM4487,HM30P02K,HM7N80F,HM730F,HM2N10B,HM2N10C,HMS3N70,HM50N08,HM3N150,BSS84,HM10N60F,HMS50N06K,HMC8N65Q,BSS138DM,HM4485A,HM45N06D,HM40P04,HM4030,HM4264,HM6604BWKR,HMS4030D,HM15N25K,HM4486A,HM2DP10D,HM4110T,HM4P15Q,HM50N20,HM4P10PR,BSS138DW,HM4485E,HM100P03K,HM4485C,HM4485B,HMS65N03Q,HM840F,HM4487B,HM4487A,HMS3N65,HM1N60PR,HM2N60,HM15N02Q,HM2310PR,HM7002KR,HMS5N65R2,HM08SDN10Q,HM8820E,HM4488B,HM10N80F,HM3N50PR,HMS1N65S,HM35P03KA,HM10N80A,HM45P02Q,HM30P03Q,HM8N65K,HMS50N03Q,HM20N06IA,HM8N65F,HMS8N70F,HM3401DR,HM4440A,HMS8N70K,HM45P03K,HM9N20K,HM3400KR,HM4616D,HM5P55R,HM16N65F,BSS84DM,HM4616A,HM10N10Q,HM4412,HMS40N10KA,BSS84DW,HM10N10K,HM4615Q,HMS3N70K,HM75N06KA,HMS3N70F,HM3636K,HM4885,HM4884,HM50N03K,HM60P06K,HM4889,HMS3N70R,HM4887,HM4404,HM4409,HM4407,HM4616Q,HM2302F,HM2302D,HM60P06,HM2302E,HM2302B,HM80N15,HM4618A,HM3N30R,HM4618D,HMS190N04D,HM35P03D,HM35P03K,HM4435,HM4438,HM50P35DE,HM10DP06D,HMS15N70F,HM4437,HM5N15Q,HM2N50R,HM2301E,HM4N10D,HM40N20D,HM2301C,HM2301D,HM2301B,HM7002K,HM40N10KA,HMS18N10Q,HMS200N03D,HM6602,HM4618Q,HMS18N10D,HM6604,HM70N75D,HM120N04,HM2300B,HM120N03,HMS5N80,HM110N03D,HMS5N70,HM35N03D,HM4453,HM4450,HM8205D,HM80N70,HM3N30PR,HM10SDN06D,HM5P55PR,HM25N65A,HM3N100,HM100P35KE,HMS5N90,HM4441,HM20N15K,HM10SDN06Q,HM4443,HM1P10MR,HM4449,HM4447,HM20N15D,HM4260A,HM60N06,HM60N05,HM60N08,HMS40N10D,HMS15N50F,HM60N02,HM60N04,HMS65N65T,HM60N03,HMS80N85D,HMS125N10D,HM4240,HMS21N65,HM4480,HM50P06,HMS21N70,HM50P03,HM50P02,HM9926,HMS15N50K,HM2N65PR,HM6P15K,HM35N03Q,HM02P30R,HM0565MR,HM8205A,HM6400,HM2318APR,HMS5N65,HM6401,HM3N120,HM6408,HMS40N10A,HM6409,HM75N80,HM10DN06D,HM13P10K,HMS10DN08Q,HM10DN06Q,HM25N06D,HM60N03D,HM6N10R,HM13N30,HM2302BKR,HM4812,HM4813,HM60N03K,HMS4438,HMS85N08K,HM2302KR,HM100N20T,HM70P04K,HM2N50PR,HMS16N70,HM150N03,HM60N04K,HM3710,HM4805,HM4803,HM7N60,HM18N40F,HMS5N70F,HM3N70I,HM18N40A,HM3N70K,HM18DP03Q,HMS5N70K,HM4830,HM18DP03D,HM60N05K,HM45P03,HMS5N70R,HM180N02D,HM3N10PR,HM180N02K,HM25N03Q,HM10P10Q,HM2300DR,HM4853C,HM10P10D,HM40N04K,HMS21N70F,HM4853A,HM4611D,HM4853B,HM2309C,HM40N04D,HM2309A,HM2309B,HM25N03D,HMS21N70A,HM60N06K,HMS100N04D,HMG20N65,HM4821,HM4826,HM7N80,HMS6N10PR,BSS123,HM4830A,HM10N15D,HM9N20,HM4611Q,HMS60N10D,HM25P15,HM4853,HM4611,

2023/5/6  - 虹美功率半导体  - 选型指南 代理服务 技术支持 采购服务

HMS330N10LL N沟道超级沟槽功率MOSFET

描述- 该资料介绍了HMS330N10LL N通道超深沟槽功率MOSFET的特性。该器件采用Super Trench技术,优化了高频开关性能,具有低导通和开关损耗,适用于高频开关和同步整流。

型号- HMS330N10LL

2024/8/29  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

NCE60NF019T N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE60NF019T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供超低RDS(ON)和低栅极电荷,并具有快速恢复体二极管。适用于工业电源、快充器、新能源汽车充电桩、车载OBC等AC-DC SMPS应用。

型号- NCE60NF019T

2023/8/2  - NCE  - 数据手册  - V1.0 代理服务 技术支持 采购服务

CRJD190N65G3E-G硅N沟道功率沟槽型MOSFET\n

描述- 本资料介绍了硅N沟道增强型MOSFET CRJD190N65G3E-G的特性及应用。该器件采用超级结技术,具有低导通损耗、高开关性能和抗雪崩能力。适用于适配器、充电器和LED电源电路。

型号- CRJD190N65G3E-G

2021  - 华润微电子  - 数据手册  - V01 代理服务 技术支持 采购服务

HMS320N04LL N沟道超沟槽功率MOSFET

描述- HMS320N04LL是一款采用Super Trench技术的N通道超级沟槽功率MOSFET,专为高频开关和同步整流设计。该器件具有低导通和开关损耗,适用于DC/DC转换器。

型号- HMS320N04LL

2024/8/30  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

NCE70T260D、NCE70T260、NCE70T 260F N沟道超级结功率MOSFET III

描述- 该资料介绍了NCE70T260D、NCE70T260和NCE70T260F三种N通道超级结功率MOSFET的特性。这些器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于AC-DC转换器、工业电源和其他电力应用。

型号- NCE70T260D,NCE70T260F,NCE70T260

2018/06/25  - NCE  - 数据手册  - v1.0 代理服务 技术支持 采购服务

NCE65NF068T N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE65NF068T型号的N通道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于AC-DC SMPS对PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用的行业需求。

型号- NCE65NF068T

2023/3/15  - NCE  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

HMS330N10、HMS330N10D N沟道超级沟道II功率MOSFET

描述- 该资料介绍了HMS330N10和HMS330N10D两款N-Channel Super Trench II Power MOSFET器件,这些器件采用Super Trench II技术,优化了高频开关性能,具有低导通和开关损耗。适用于高频开关和同步整流应用。

型号- HMS330N10,HMS330N10D

2024/9/4  - 虹美功率半导体  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务

NCE60NF160K N沟道超级结功率MOSFET IV

描述- 该资料介绍了NCE60NF160K型号的N沟道超级结功率MOSFET。这种器件采用先进的沟槽栅极超结技术和设计,提供优异的RDS(ON)和低栅极电荷,适用于AC-DC SMPS、PFC、AC/DC电源转换和工业电力应用。

型号- NCE60NF160K

2023/3/9  - NCE  - 数据手册 代理服务 技术支持 采购服务
展开更多

电子商城

查看更多

品牌:虹美功率半导体

品类:超级沟槽工艺中压大电流N/P沟道场效应管

价格:¥1.2518

现货: 30

品牌:丽正国际

品类:N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:¥7.0625

现货: 3

品牌:丽正国际

品类:N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:NCE

品类:Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:NCE

品类:Half Bridge Dual N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:丽正国际

品类:N-Channel Super Trench Power MOSFET

价格:

现货: 0

品牌:虹美功率半导体

品类:中功率低压P/N沟道场效应管

价格:¥1.0695

现货: 240

品牌:虹美功率半导体

品类:中功率低压双P沟道场效应管

价格:¥1.0589

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:中功率低压N沟道场效应管

价格:¥0.5883

现货: 50

品牌:虹美功率半导体

品类:中功率低压双N沟道场效应管

价格:¥0.9412

现货: 50

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

品牌:

品类:

价格:

现货:

现货市场

查看更多

暂无此商品

海量正品紧缺物料,超低价格,限量库存搜索料号

服务

查看更多

波导隔离器定制

可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。

最小起订量: 1pcs 提交需求>

射频无源器件定制

可定制射频隔离器/环行器(10M-40GHz),双工器/三工器(30MHz/850MHz-20GHz),滤波器(DC-20GHz),功分器,同轴负载,同轴衰减器等射频器件;可定制频率覆盖DC~110GHz,功率最高20KW。

最小起订量: 1 提交需求>

查看更多

授权代理品牌:接插件及结构件

查看更多

授权代理品牌:部件、组件及配件

查看更多

授权代理品牌:电源及模块

查看更多

授权代理品牌:电子材料

查看更多

授权代理品牌:仪器仪表及测试配组件

查看更多

授权代理品牌:电工工具及材料

查看更多

授权代理品牌:机械电子元件

查看更多

授权代理品牌:加工与定制

世强和原厂的技术专家将在一个工作日内解答,帮助您快速完成研发及采购。
我要提问

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

研发客服
商务客服
服务热线

联系我们

954668/400-830-1766(工作日 9:00-18:00)

service@sekorm.com

投诉与建议

E-mail:claim@sekorm.com

商务合作

E-mail:contact@sekorm.com

收藏
收藏当前页面