【应用】650V/30A的N沟道MOSFET TPB65R135MFD运用于手谐振式半桥电源，可提高系统工作效率

时间： 2019-12-24 来源：世强

代理服务

技术支持

批量订货

谐振式半桥电源适用于相对较大容量的电源应用，是150W至1000kW应用的理想选择。谐振式半桥电源因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率。通常谐振式半桥电源需要满足以下几点：

1、开关频率高，需要MOS产品低栅极电荷，实现快速开关，降低开关损耗。

2、工作电流大，需要MOS产品低Rds(on）设计，降低导通损耗；

3、EMI要求高，需要MOS产品高EMI抗干扰能力；

4、零电压开关，需要体二极管反向恢复时间短。

无锡紫光微电子的封装为TO-263、漏-源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为30A的N沟道MOSFET TPB65R135MFD，运用于谐振式半桥电源如下红框所示：

TPB65R135MFD运用于谐振式半桥电源具有如下特点：

1、漏-源电压最大额定值为650V，满足400V直流母线电压需求；

2、栅极电荷低至57nC，可实现快速开关，降低开关损耗。

3、TJ = 25ºC，VGS = 10V， ID = 15A，RDS(on)低至135mΩ，导通损耗低，提高系统效率。

4、dv/dt低至50V/nS，系统抗EMI干扰能力强。

5、体二极管反向恢复时间为209nS，反向恢复时间短，零电压开关。

发送到邮箱 |
+1 赞 0
收藏
评论 0
| 转发至：

本文由龙行天下提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。

全部评论（0）

暂无评论

【应用】N沟道MOSFET TTB105N08A用于工业开关电源，耐压达85V，通流达105A

无锡紫光微的N沟道MOSFET TTB105N08A的电气参数和可靠性完全满足几百瓦的工业开关电源应用，且该产品是国产通用物料，具有较高的供货交期和性价比。

2020-09-24 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】60V的N沟道MOSFET TSG12N06AT用于智能插座同步整流输出电路，实现低导通损耗

智能插座输出侧使用同步整流MOS，与传统的二极管整流电路相比，使用MOS做输出整流可以实现更大的输出电流，以及低损耗，达到给手机等快速充电或提供多个负载供电的目的。本文推荐使用无锡紫光微的N沟道MOSFET TSG12N06AT，Vds电压60V，具有低的导通电阻实现低导通损耗，DFN5*6封装，封装体积小。

2020-03-29 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

【应用】700V/3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M运用于反激式转换器，可提高电源工作效率

通常反激式转换器包括很少部件，适用于笔记本电脑和手机电源。由于交换节点的电压峰值较高，因此MOS的耐压要高。由于MOS与感性负载连接，异常情况下，EAS能力要求高。另外为了能效要求，MOS管损耗要低。无锡紫光微电子的封装为TO-252、漏-源电压最大额定值为700V，连续漏极电流最大额定值为3A的N沟道MOSFET TPD70R1K5M，运用于反激电源可满足要求。

2019-12-26 - 应用方案代理服务技术支持批量订货

无锡紫光微MOS选型表

无锡紫光微SJ-MOS,Multi-EPI SJ MOS,Trench MOS,DT MOS产品可供选型

产品型号	品类	Package	BVdss(V)	ID(A)Tc=25℃	Vth(V)min	Vth(V)max	Rdson(Ω)Vgs=10Vtyp	Rdson(Ω)Vgs=10Vmax
TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

选型表 - 无锡紫光微立即选型

无锡紫光微SJ-MOSFET管选型表

无锡紫光微提供SJ-MOSFET管的参数选型，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ：15.6~2000，Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max：18~2200。

产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

选型表 - 无锡紫光微立即选型

【产品】额定连续漏极电流为1A的N沟道MOSFET TMA11N70H，具有快速开关能力

无锡紫光微推出的N沟道MOSFET TMA11N70H，在TC=25℃时，其漏-源电压(VGS=0V)为700V，连续漏极电流为11A，耗散功率(TC=25℃)为70W，应用于开关电源、不间断电源、功率因数校正。

2023-02-28 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/P/R12N65HG，单脉冲雪崩能量为352mJ

无锡紫光微电子的4款N沟道MOSFET：TMA12N65HG,TMC12N65HG,TMP12N65HG,TMR12N65HG 是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-09-28 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】650V N沟道MOSFETT TMA/C/D/R/U7N65HG，开关速度快

无锡紫光微电子的5款N沟道MOSFET：TMA7N65HG、TMC7N65HG、TMD7N65HG、TMR7N65HG、TMU7N65HG是VDMOSFET（即垂直双扩散场效应晶体管），具有更小的开关损耗和更快的开关速度，输入阻抗高，驱动功率小，频率特性好，并且具有负的温度系数。

2020-08-01 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】无锡紫光微推出650V N沟道MOSFET，持续漏极电流为10A，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃

无锡紫光微（UNIGROUP）推出650V N沟道MOSFET，100%通过雪崩测试，可应用于开关模式电源、不间断电源以及功率因数校正，工作结温及存储温度范围为-55~+150℃。

2023-01-31 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】500V/15A的N沟道MOSFET TMA15N50H，采用TO-220F封装

无锡紫光微推出的TMA15N50H是1款500V的N沟道MOSFET，漏源电压最大额定值为500V，栅源电压最大额定值为±30V，脉冲漏极电流最大额定值为60A，重复雪崩能量最大额定值为54mJ，采用TO-220F封装。产品符合RoHS标准，可应用于开关电源(SMPS)，不间断电源(UPS)，功率因数校正(PFC)等领域。

2019-11-09 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】80V N沟道MOSFET TTB115N08A和TTP115N08A，连续漏极电流达115A

TTB115N08A/TTP115N08A是无锡紫光微电子设计的N沟道MOSFET，符合RoHS标准，对人类健康和生态环境友好。其具有快速反向恢复时间、低RDS（ON）、等特点，多用于DC/DC和AC/DC转换器中的同步整流。

2019-11-05 - 新产品代理服务技术支持批量订货

【产品】切换速度快的N沟道MOSFET TMA10N60HF，耗散功率最大值为65W

TMA10N60HF是无锡紫光微电子推出的一款采用TO-220F封装的N沟道MOSFET，该器件具有快速切换特性，且经过100%雪崩测试，可应用于开关模式电源（SMPS）、电机控制和功率因数校正（PFC）等领域，器件符合RoHS标准。

2022-12-09 - 产品代理服务技术支持批量订货

【产品】650V N沟道MOSFET TMA/TMC/TMD/TMP/TMU6N65HG，脉冲漏极电流达24A

无锡紫光微电子有限公司是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业。无锡紫光微推出了TMA6N65HG，TMC6N65HG，TMD6N65HG，TMP6N65HG和TMU6N65HG的VD MOSFET。封装方式分别为TO-220F，TO-262，TO-252，TO-220和TO-251。

2019-10-27 - 新产品代理服务技术支持批量订货