【应用】650V/30A的N沟道MOSFET TPB65R135MFD运用于手谐振式半桥电源，可提高系统工作效率

时间： 2019-12-24 来源：世强

技术问答

谐振式半桥电源适用于相对较大容量的电源应用，是150W至1000kW应用的理想选择。谐振式半桥电源因采用零电压开关（ZVS）而实现了非常高的工作效率。通常谐振式半桥电源需要满足以下几点：

1、开关频率高，需要MOS产品低栅极电荷，实现快速开关，降低开关损耗。

2、工作电流大，需要MOS产品低Rds(on）设计，降低导通损耗；

3、EMI要求高，需要MOS产品高EMI抗干扰能力；

4、零电压开关，需要体二极管反向恢复时间短。

无锡紫光微电子的封装为TO-263、漏-源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为30A的N沟道MOSFET TPB65R135MFD，运用于谐振式半桥电源如下红框所示：

TPB65R135MFD运用于谐振式半桥电源具有如下特点：

1、漏-源电压最大额定值为650V，满足400V直流母线电压需求；

2、栅极电荷低至57nC，可实现快速开关，降低开关损耗。

3、TJ = 25ºC，VGS = 10V， ID = 15A，RDS(on)低至135mΩ，导通损耗低，提高系统效率。

4、dv/dt低至50V/nS，系统抗EMI干扰能力强。

5、体二极管反向恢复时间为209nS，反向恢复时间短，零电压开关。

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