【产品】1200V/80mΩ的N沟道增强型碳化硅MOSFET，AEC-Q101认证合格

时间： 2020-11-24 来源：派恩杰

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P3M12080K4是派恩杰推出的采用TO-247-4封装的N沟道增强型碳化硅MOSFET，漏源电压1200V，AEC-Q101认证合格，具有高阻断电压、低导通电阻、高频操作的特点，通过了100%UIS测试，符合RoHS标准，无卤素，适用于太阳能逆变器、电动汽车电池充电器、高压DC/DC转换器和开关电源。

图1 产品图及内部电路图

图2 最大额定值

电气特性方面，结壳热阻为0.68℃/W，散热较好。漏源导通电阻典型值80mΩ、最大仅96mΩ（@V_GS=15V，I_D=20A），导通损耗较低。总栅极电荷典型值为57nC（V_DS=800V、I_DS=30A、V_GS=15V、I_G=8mA）。漏源体二极管反向恢复时间典型值为21.6ns（V_GS=-4V、I_SD= 20A、V_R= 800V、d_if/d_t=2600A/μs、T_J=25°C），响应速度较快。

特征
•AEC-Q101认证合格

•高阻断电压、低导通电阻

•高频操作

•超小型Q_gd

•通过了100%UIS测试

优势
•提高系统效率

•提高功率密度

•降低散热片需求

•降低系统成本

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全部评论（1）

DaisyLiang Lv7. 资深专家 2020-11-25

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产品型号	品类	Blocking Voltage(V)	Package	RDS(ON) @25℃(mΩ)	Current Rating(A)	Qgd(nC)	Output Capacitance(pF)	Max Junction Temperature(℃)
P3M06025K3	碳化硅场效应管	650V	TO247-3	25mΩ	97A	34.7nC	297pF	175℃

选型表 - 派恩杰立即选型

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