【产品】30V/150A的N沟道功率MOSFET DIT150N03,具有低导通电阻、快速开关等特点
DIOTEC(德欧泰克)致力于半导体二极管和整流器的研发生产,具备成套的专项技术,拥有从晶圆和芯片的生产到组装测试和封装一整条产线。DIT150N03是其推出的N沟道功率MOSFET ,符合RoHS,REACH标准,主要应用于DC / DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等领域。
典型应用
DC / DC转换器
电源
直流驱动器
电动工具
商业级应用
特征
沟槽技术
低导通电阻
快速开关
低栅极电荷
雪崩耐量高
符合RoHS、REACH认证,遵循《冲突矿产》法规要求
机械数据
透明包装管/卡板纸出货包装:50/1000
重约2.2 g
外壳材料阻燃等级:UL 94V-0
焊接和组装条件:260°C/10s,MSL N/A
最大额定值
其他主要电气参数
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由biubiu翻译自Diotec,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】120A/80V N沟道功率MOSFET DIT120N08,导通电阻仅4.9mΩ
DIT120N08是Diotec推出的N沟道功率MOSFET ,无铅,符合RoHS,REACH标准,具有低导通电阻,高开关速度,低栅极电荷,高雪崩能量等优点,广泛应用在DC/DC转换器,电源设备,电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-15
【产品】195A/85A的N沟道功率MOSFET DIT195N08,漏源导通电阻可低至4.1mΩ
DIT195N08是Diotec(德欧泰克)推出的N沟道功率MOSFET,符合RoHS,REACH标准,主要应用于DC / DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等领域。连续漏极电流为195A,漏源电压为85V。
新产品 发布时间 : 2019-12-05
【产品】30V/150A的N沟道功率MOSFET DI150N03PQ,采用薄型QFN5x6封装
Diotec(德欧泰克)的N沟道功率MOSFET DI150N03PQ,30V/150A,采用薄型QFN5x6封装,通态电阻0.9mΩ,符合RoHS和REACH标准,是环境友好型器件。可应用于DC / DC转换器,电源,直流驱动器等领域。
新产品 发布时间 : 2020-06-12
【产品】QFN5×6薄型封装的N沟道功率MOSFET DI008N10PQ, 漏极峰值电流高达20A
Diotec推出型号为DI008N10PQ的N沟道功率MOSFET,器件采用QFN5x6薄型封装,具有低导通电阻和开关速度快等特点,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具,同步整流器以及工业和商业级应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-05-26
【产品】采用先进沟道技术工艺的N沟道功率MOSFET DI300N10TL,适用于电动工具等领域
Diotec推出N沟道功率MOSFET DI300N10TL,采用ITO-220封装。该器件采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业/工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-08-04
【产品】100V/100A N沟道功率MOSFET DIT100N10,最大耗散功率200W
Diotec(德欧泰克)推出的N沟道功率MOSFET,型号为 DIT100N10,VDS=100V , ID(Tc=25 ℃ )=100A , RDS(on)约为9.9mΩ, PD =200W , Tjmax=175℃, TO-220AB封装
新产品 发布时间 : 2020-03-18
【产品】具有低导通电阻、快速开关等特点的N沟道功率MOSFET DIT090N06
Diotec(德欧泰克)DIT090N06是其推出的N沟道功率MOSFET ,无铅,符合RoHS,REACH标准,具有低导通电阻、快速开关和低栅极电荷等优点,广泛应用在DC/DC转换器、电源、直流驱动器、电动工具等领域。
新产品 发布时间 : 2019-11-12
【产品】德欧泰克N沟道功率MOSFET DIJ4A5N65,规格4A/650V,开关速度快且栅极电荷低
Diotec推出DIJ4A5N65的N沟道功率MOSFET,采用ITO-220封装。采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等特性,适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等。
新产品 发布时间 : 2022-08-20
【产品】采用TO-220AB外壳封装的N沟道功率MOSFET DIT110N08,漏源导通电阻典型值可低至3.9mΩ
Diotec推出型号为DIT110N08的N沟道功率MOSFET,采用TO-220AB外壳封装。该器件采用先进的沟道技术工艺,具有低导通电阻、开关速度快和低栅极电荷等产品特性,产品适用于DC/DC转换器,电源,直流驱动器,电动工具以及商业、工业应用等领域。
产品 发布时间 : 2022-09-09
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz,插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量: 1pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论