【产品】190V/±10A N沟道功率MOSFET RD3S100CN，采用 TO-252封装

时间： 2019-11-26 来源：ROHM

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RD3S100CN是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通损耗低，开关速度快。漏源电压额定值为190V，栅源电压额定值为±20V，连续漏极电流额定值为±10A（Tc=25℃），脉冲漏极电流额定值为±40A，工作结温和存储温度为-55℃ ~ +150℃，满足工业级环境要求。

图1 RD3S100CN产品图及内部电路图

此外，该产品的静态漏源导通电阻R_DS(on)为最大值为 182mΩ（@VGS = 10V, ID = 5A ，T_j = 25°C）；其输入电容典型值2000pF，输出电容典型值为95pF，反向传输电容典型值60pF；同时，其导通延迟时间典型值为15ns，上升时间典型值为20ns，关断延迟典型值为140ns，下降时间典型值为75ns，具有较好的开关性能。

RD3S100CN功率MOSFET产品特性：

低导通电阻

开关速度快

驱动电路很简单

易于并联

无铅电镀；符合RoHS标准

RD3S100CN功率MOSFET应用领域：

开关电源

RD3S100CN功率MOSFET订购信息：

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