【应用】泰科天润SiC二极管G3S06505C助力华硕氮化镓快充PFC电路设计，正温度系数易于并联使用
为了做到小体积大功率输出，目前市面上中大功率的快充大部分都采用PFC电路结构，利用氮化镓开关管和碳化硅二极管搭配的PFC电路，可以有效减小磁性元件体积的同时，大大提升工作效率。
泰科天润森推出的碳化硅二极管，没有反向恢复电流和正向恢复电压，开关损耗极低，与高频的氮化镓开关管联合，可以大幅度提高充电器功率密度。充电头网近日拆解华硕一款100W氮化镓充电器，便采用了泰科天润SiC二极管G3S06505C，来帮助其PFC电路提高转换效率。
华硕100W氮化镓充电器
充电器经典柱状造型以及白色配色，外壳主要进行磨砂处理，可以有效抗指纹，产品整体风格简约。
图 1
配备可折叠美规插脚，携带方便，插脚对应区域外壳内凹设计，可以方便用户将插脚取出。
输出端配备2C1A接口，均为黑色胶芯，USB-C1接口旁还印有笔电标识，表示可以满足笔记本电脑100W大功率充电。
图 2
据充电头网测量，该充电器机身三维尺寸为83.87*35.14*43.08mm，体积约为127cm³，与苹果96W充电器相比，具有多口充优势的同时，体积更为小巧。
泰科天润SiC二极管G3S06505C
华硕这款100W氮化镓充电器采用PFC+LLC+SR开关电源架构设计，PFC进行功率因数校正，LLC电源输出固定电压。输出通过两路独立的降压电路，实现三个接口的独立快充。
图 3
其PCBA模块背面焊接一颗MCU，贴片Y电容，两颗PFC开关管和PFC整流管，以及两颗整流桥。
图 4
其中PFC整流管来自泰科天润，型号G3S06505C。
图 5
G3S06505C是一颗耐压650V，5A电流的碳化硅二极管，采用TO252封装。其具有正温度系数，支持并联使用，且并联器件中没有热崩溃现象；工作温度-55℃-175℃，开关特性不受温度影响，可以降低系统对散热片的依赖；无反向恢复电流和正向恢复电压，用在PFC升压整流中可以极大降低开关损耗，大大提高整体效率。
产品特性
●正温度系数，易于并联使用
●不受温度影响的开关特性
●最高工作温度175℃
●零反向恢复电流
●零正向恢复电压
产品优点
●单极器件
●极大降低开关损耗
●并联器件中没有热崩溃
●降低系统对散热片的依赖
应用领域
●开关模式电源(SMPS)
●功率因数校正(PFC)
●电机驱动
●光伏逆变器
●不间断电源
●风力发动机
●列车牵引系统
●电动汽车
泰科天润半导体科技（北京）有限公司成立于2011年，是中国碳化硅（SiC）功率器件产业化的倡导者之一，致力于中国半导体功率器件制造产业的发展，并提供优质的半导体功率器件产品和专业服务。总部坐落于北京，拥有湖南一条年产6万片/6英寸SiC半导体晶圆生产线，2023年底扩产至年产10万片。公司今年年初北京8寸线动工，预计2025年实现年产10万片/8英寸SiC半导体晶圆。
泰科天润产品已经批量应用于PC电源、光伏逆变器、充电模块、OBC、 DC-DC等领域。质量资质：ISO9001/IATF16949/RoHS/REACH/UL/DNV·GL/USCG/AEC-Q101等，产品质量完全可以比肩国际同行业的先进水平。
据充电头网拆解了解，除华硕外，泰科天润的碳化硅二极管还被AENZR 130W氮化镓快充、倍思100W氮化镓插座、瑞嘉达140W氮化镓充电器、鹏元层90W氮化镓快充、SATECHI 165W氮化镓桌面充、闪极140W氮化镓充电器、SlimQ 150W氮化镓充电器、先马黑钻750W电源等多家品牌的产品采用，涵盖快充、桌面充、插座、电脑电源等多个应用领域，高质量的产品性能，得到客户的高度认可。
充电头网总结
华硕这款100W氮化镓充电器采用白色长条形机身设计，配备折叠插脚，便于携带和收纳，充电器具备2C1A三输出接口，单口输出时支持100W功率输出，双口同时使用时支持65+30W输出，可满足日常手机和笔记本电脑同时充电需求，十分实用。
其内部PFC整流管采用泰科天润的G3S06505C，其具有高耐压、正温度系数、支持并联使用、工作温度范围广、开关特性不受温度影响等诸多优良特性，极大程度地降低系统对散热片的依赖，从而大大减小产品体积；并且其在工作时不存在反向恢复电流与正向恢复电压，能大幅度降低开关损耗，进一步提升PFC电路的效率，非常契合当下快充小体积大功率的发展趋势。
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产品型号
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品类
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晶圆尺寸
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Package
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Config.
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VRRM(V)
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IF(A)(Tc=160℃)
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IF(A)(Tc=125℃)
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IF(A)(Tc=25℃)
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IFSM(A)(Tc=25℃)
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RTH-JC(Typ.)(℃/W)
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Qc(nc)(Tj=25℃)
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Ptot(W)(Tc=25℃)
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Ptot(W)(Tc=110℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Max.)(V)(Tj=25℃)
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VF(Typ.)(V)(Tj=175℃)
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VF(Max.)(V)(Tj=175℃)
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IR(Typ.)(Tj=25℃)(uA)
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IR(Max.)(uA)(Tj=25℃)
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IR(Typ.)(uA)(Tj=175℃)
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IR(Max.)(uA)(Tj=175℃)
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G51XT
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碳化硅肖特基功率二极管
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4寸
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SOD123
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单芯
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650
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0.65
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1
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1.84
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18
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32.74
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3.6(VR=400V)
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3.8
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1.2
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1.38
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1.6
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1.57
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2
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0.07
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50
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0.2
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100
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