【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ，导通电阻最大仅0.234Ω
R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V，连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET，产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对生态环境友好。产品具有快速反向恢复时间，快开关速度，低导通电阻的特点，此外，R6020JNZ的驱动电路简单，降低了用户的电路设计难度。
图1 R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品图
R6020JNZ采用TO-3PF封装，尺寸小，结构紧凑，减少了该MOSFET对PCB板空间的占用。
图2 R6020JNZ的尺寸图
关于绝对最大额定值，R6020JNZ的结壳热阻为1.64℃/W，结温为150℃，工作和存储温度均为-55℃~150℃，符合工业级温度要求。栅极阈值电压的最小值和最大值分别为5V和7V，输入和输出电容的典型值分别为1500pF和90pF，在25℃下的功耗为76W，单脉冲雪崩电流为4.8A，单脉冲雪崩能量最大为618mJ，可有效抑制雪崩效应，扩展该MOSFET的应用范围。
在25℃下，R6020JNZ的饱和漏极电流最大仅100μA，降低了MOSFET关断时的损耗；导通电阻的典型值为0.180Ω，最大值为0.234Ω，导通电阻产生的温升低，导通损耗低。R6020JNZ的导通延迟时间的典型值为29ns，上升时间的典型值为22ns，体二极管的反向恢复时间的典型值为85ns，响应速度快，开关损耗低。
R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品特点：
快速反向恢复时间
低导通电阻
快速开关速度
简易驱动电路
无铅电镀
RoHS标准
R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品应用：
开关类应用
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由一号演员提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω
R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。
【产品】600V/±11A/124W的N沟道功率MOSFET R6011END3，易于并联使用
罗姆(ROHM)推出的一款N沟道功率MOSFET R6011END3，漏源电压额定值为600V，连续漏极电流最大±11A，静态漏源导通电阻最大值仅为390mΩ，可使MOSFET在电路中自身损耗更低。产品为无铅电镀产品，符合RoHS标准，易于并联使用，具有低导通电阻和低辐射噪声的特点，是开关应用领域的优秀选择。
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
HT8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
本资料为ROHM公司生产的HT8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装（HSMT8）等特点，适用于开关电源等领域。
ROHM - N沟道+N沟道功率MOSFET,NCH+NCH POWER MOSFET,HT8KE6,切换,SWITCHING
【产品】30V/±80A的N沟道中功率MOSFET RS1E280BN，导通电阻最大值仅为2.3mΩ
ROHM公司近期推出了一款N沟道中功率MOSFET—RS1E280BN，静态漏源导通电阻最大值仅为2.3mΩ（VGS = 10V, ID = 28A），导通损耗小且自身发热少。且产品为高功率小型封装（HSOP8封装），结壳热阻最大可达4.2℃/W，散热性好，适用于开关类应用。
HT8KE5 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
本资料为ROHM公司生产的HT8KE5型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、高功率小型封装（HSMT8）等特点，适用于开关电源等领域。
ROHM - N沟道+N沟道功率MOSFET,NCH+NCH POWER MOSFET,HT8KE5,切换,SWITCHING
【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列，采用TO-3PF封装
R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET，型号分别包括R6015KNZ、R6020KNZ、R6024KNZ、R6030KNZ、R6035KNZ五个型号，连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对环境友好，采用TO-3PF封装，适用于开关应用。
【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN，100%Rg和UIS测试
RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET，产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，且通过了100%Rg和UIS测试，主要用于开关类应用。
HP8KE7 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
本资料为ROHM公司生产的HP8KE7型号100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装（HSOP8）等特点，适用于开关电源等领域。
ROHM - N沟道+N沟道功率MOSFET,NCH+NCH POWER MOSFET,HP8KE7,切换,SWITCHING
【产品】600V/±24A的N沟道功率MOSFET R6024KNX，导通电阻最大仅0.165Ω
R6024KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通电阻最大仅0.165Ω，导通损耗低。且产品漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流高达±24A，脉冲漏极电流最大额定值为±72A，能够有效的满足大功率电路设计的需求，适用于开关类应用。
【产品】650V/±7A/46W N沟道功率MOSFET R6507ENX，采用TO-220FM封装
R6507ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为±7A，脉冲漏极电流最大额定值为±21A，耐压能力强，适用于开关类应用。
HP8KE6 100V N沟道+N沟道功率MOSFET规格书
本资料为ROHM公司生产的HP8KE6型100V Nch+Nch功率MOSFET的数据手册。该器件具有低导通电阻、小型表面贴装封装（HSOP8）等特点，适用于开关电源等领域。
ROHM - N沟道+N沟道功率MOSFET,NCH+NCH POWER MOSFET,HP8KE6,切换,SWITCHING
【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω
R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。
【产品】650V/±15A N沟道功率MOSFET R6515KNX
R6515KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通损耗低。其导通延迟时间典型值为25ns，上升时间典型值为35ns，关断延迟典型值为50ns，下降时间典型值为20ns，具有较好的开关性能。
HM3N80硅N沟道功率MOSFET
该资料介绍了HM3N80硅沟道增强型VDMOSFET的特性及应用。产品采用自对准平面技术，降低导通损耗，提高开关性能和雪崩能量。适用于汽车、直流电机控制和D类放大器等领域。
虹美功率半导体 - 硅N沟道增强型VDMOSFET,SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET,SILICON N-CHANNEL ENHANCED VDMOSFETS,硅N沟道功率MOSFET,TRANSISTOR,晶体管,HM3N80,CLASS D AMPLIFIER,D类放大器,汽车,直流电动机控制,DC MOTOR CONTROL,AUTOMOTIVE
电子商城
现货市场
服务
可定制波导隔离器频率覆盖5.5GHz~110GHz，插损损低至0.25dB、隔离度、正向方向功率、封装尺寸参数。
最小起订量： 1pcs 提交需求>
可定制射频隔离器/环行器（10M-40GHz），双工器/三工器（30MHz/850MHz-20GHz），滤波器（DC-20GHz），功分器，同轴负载，同轴衰减器等射频器件；可定制频率覆盖DC~110GHz，功率最高20KW。
最小起订量： 1 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论