【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ，导通电阻最大仅0.234Ω

时间： 2019-07-20 来源：ROHM

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R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V，连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET，产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对生态环境友好。产品具有快速反向恢复时间，快开关速度，低导通电阻的特点，此外，R6020JNZ的驱动电路简单，降低了用户的电路设计难度。

Nch 600V 20A 功率MOSFET_R6020JNZ_Package

图1 R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品图

R6020JNZ采用TO-3PF封装，尺寸小，结构紧凑，减少了该MOSFET对PCB板空间的占用。

Nch 600V 20A 功率MOSFET_R6020JNZ_Dimensions

图2 R6020JNZ的尺寸图

关于绝对最大额定值，R6020JNZ的结壳热阻为1.64℃/W，结温为150℃，工作和存储温度均为-55℃~150℃，符合工业级温度要求。栅极阈值电压的最小值和最大值分别为5V和7V，输入和输出电容的典型值分别为1500pF和90pF，在25℃下的功耗为76W，单脉冲雪崩电流为4.8A，单脉冲雪崩能量最大为618mJ，可有效抑制雪崩效应，扩展该MOSFET的应用范围。

在25℃下，R6020JNZ的饱和漏极电流最大仅100μA，降低了MOSFET关断时的损耗；导通电阻的典型值为0.180Ω，最大值为0.234Ω，导通电阻产生的温升低，导通损耗低。R6020JNZ的导通延迟时间的典型值为29ns，上升时间的典型值为22ns，体二极管的反向恢复时间的典型值为85ns，响应速度快，开关损耗低。

R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品特点：

快速反向恢复时间

低导通电阻

快速开关速度

简易驱动电路

无铅电镀

RoHS标准

R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品应用：

开关类应用

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