【产品】600V/20A、TO-3PF封装的N沟道功率MOSFET R6020JNZ ，导通电阻最大仅0.234Ω
R6020JNZ是罗姆半导体集团推出的漏源电压为600V，连续漏极电流为20A的N沟道功率MOSFET，产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对生态环境友好。产品具有快速反向恢复时间，快开关速度，低导通电阻的特点，此外，R6020JNZ的驱动电路简单，降低了用户的电路设计难度。
图1 R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品图
R6020JNZ采用TO-3PF封装，尺寸小，结构紧凑，减少了该MOSFET对PCB板空间的占用。
图2 R6020JNZ的尺寸图
关于绝对最大额定值，R6020JNZ的结壳热阻为1.64℃/W，结温为150℃，工作和存储温度均为-55℃~150℃，符合工业级温度要求。栅极阈值电压的最小值和最大值分别为5V和7V，输入和输出电容的典型值分别为1500pF和90pF，在25℃下的功耗为76W，单脉冲雪崩电流为4.8A，单脉冲雪崩能量最大为618mJ，可有效抑制雪崩效应，扩展该MOSFET的应用范围。
在25℃下，R6020JNZ的饱和漏极电流最大仅100μA，降低了MOSFET关断时的损耗；导通电阻的典型值为0.180Ω，最大值为0.234Ω，导通电阻产生的温升低，导通损耗低。R6020JNZ的导通延迟时间的典型值为29ns，上升时间的典型值为22ns，体二极管的反向恢复时间的典型值为85ns，响应速度快，开关损耗低。
R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品特点：
快速反向恢复时间
低导通电阻
快速开关速度
简易驱动电路
无铅电镀
RoHS标准
R6020JNZ N沟道功率MOSFET的产品应用：
开关类应用
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由一号演员提供，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】600V/±6A/40W的N沟道功率MOSFET R6006KNX，导通电阻最大仅0.83Ω
R6006KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±6A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，R6006KNX的栅源电压为±20V（静态）或±30V（交流，频率＞1Hz），可承受单脉冲雪崩电流为1.1A，可承受单脉冲雪崩能量为65mJ可用于开关类应用。
【产品】600V/±11A/53W的N沟道功率MOSFET R6011ENX，导通电阻最大仅0.39Ω
R6011ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压为600V，连续漏极电流高达±11A，耐压能力强。产品易于并联使用，具有低导通电阻和快速开关的特点，可用于开关类应用。
【产品】30V/±80A的N沟道中功率MOSFET RS1E280BN，导通电阻最大值仅为2.3mΩ
ROHM公司近期推出了一款N沟道中功率MOSFET—RS1E280BN，静态漏源导通电阻最大值仅为2.3mΩ（VGS = 10V, ID = 28A），导通损耗小且自身发热少。且产品为高功率小型封装（HSOP8封装），结壳热阻最大可达4.2℃/W，散热性好，适用于开关类应用。
【产品】导通电阻最大值为55mΩ的N沟道功率MOSFET RCJ451N20 ，适用于开关应用
ROHM旗下的N沟道功率MOSFET-RCJ451N20 ，漏源电压为200V，导通电阻最大值为55mΩ，持续漏极电流为±45A（Tc=25℃），耗散功率（Tc=25℃）为211W。采用TO-263S封装形式，可用于开关应用。
【产品】漏源电压600V的N沟道功率MOSFET R60xxKNZ系列，采用TO-3PF封装
R60xxKNZ系列是ROHM推出的漏源电压600V的N沟道功率MOSFET，型号分别包括R6015KNZ、R6020KNZ、R6024KNZ、R6030KNZ、R6035KNZ五个型号，连续漏极电流依次为±15/±20/±24/±30/±35A。该系列产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，对环境友好，采用TO-3PF封装，适用于开关应用。
【产品】1200V/81A 碳化硅N沟道功率MOSFET裸片S4602，结温高达175℃
S4602是ROHM推出的一款碳化硅N沟道功率MOSFET裸片，漏源电压1200V，连续漏极电流81A，静态漏源导通电阻典型值仅为18mΩ(VGS=18V, ID=42A，Tvj=25°C)，适用于太阳能逆变器、DC/DC转换器、开关电源等场合。
【产品】600V高压三相桥式驱动器，可用于驱动N沟道功率MOSFET和IGBT
ROHM推出的BS2130F-G是一款单片桥式驱动器IC，可通过自举操作驱动三相系统中的N沟道功率MOSFET和IGBT驱动器。 浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT，工作电压高达600V。 逻辑输入可以使用3.3V和5.0V。 为了提供保护电路，该器件包括欠压锁定（UVLO）电路和过流保护（OCP）电路。 当VCC和VBS低于指定的阈值电压时，UVLO电路可防止发生故障。
【产品】60V/±80A的N沟道功率MOSFET RD3L08BGN，100%Rg和UIS测试
RD3L08BGN是罗姆推出的低导通电阻、高功率小型封装的N沟道功率MOSFET，产品不含卤素，采用无铅电镀，符合RoHS标准，且通过了100%Rg和UIS测试，主要用于开关类应用。
【产品】600V/±24A的N沟道功率MOSFET R6024KNX，导通电阻最大仅0.165Ω
R6024KNX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品易于并联使用，导通电阻最大仅0.165Ω，导通损耗低。且产品漏源电压最大额定值为600V，连续漏极电流高达±24A，脉冲漏极电流最大额定值为±72A，能够有效的满足大功率电路设计的需求，适用于开关类应用。
【产品】650V/±7A/46W N沟道功率MOSFET R6507ENX，采用TO-220FM封装
R6507ENX是ROHM推出的N沟道功率MOSFET，产品漏源电压最大额定值为650V，连续漏极电流最大额定值为±7A，脉冲漏极电流最大额定值为±21A，耐压能力强，适用于开关类应用。
【产品】采用无铅电镀，低导通电阻的N沟道功率MOSFET RD3L07BBG，规格为60V/115A
罗姆（ROHM）公司推出了一款采用TO-252封装的N沟道功率MOSFET——RD3L07BBG，该产品采用无铅电镀，符合RoHS标准，具有低导通电阻等特性，规格为60V/115A。
电子商城
现货市场
服务
可定制ATP TE Cooler的冷却功率：40~200W；运行电压：12/24/48V(DC)；控温精度：≤±0.1℃； 尺寸：冷面：20*20~500*300；热面：60*60~540*400 （长*宽；单位mm）。
最小起订量： 1 提交需求>
可来图定制热管最薄打扁厚度0.35±0.05mm；笔电D8热管打扁厚度1.0mm，可解40W热量；高功率D10热管可解60W热量。
最小起订量： 10000 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论