【产品】先导中心即将推出1200V 20mΩ SiC MOSFET,有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统

2021-12-06 先导中心
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先导中心即将推出的1200V SiC MOSFET产品SA1M12000020型号,采用自对准短沟道工艺,大幅度降低了器件导通电阻,达到20mΩ,使其具有高开关速度、低导通损耗等特点,将为应用系统带来更高的功率密度、更高的工作温度。


SA1M12000020型号目前在国内处于领先地位,此型号产品在高功率密度电源和电驱动领域有较大的优势,在充电桩、储能、工业电源有广泛的应用,特别是在可再生能源变频器,电动车辆充电系统,三相工业电源领域具备较大优势。由于可做到国内领先的120A的单管Id电流,区别于目前主流市场的导通电阻80mΩ,额定电流40A的碳化硅MOSFET,在应用领域可大幅减少并联,有助实现更小型更高效的下一代功率转换系统。同时相对其他等效的MOSFET,其有较低的导通电阻(20mΩ),从而减少发热,有效解决市场之痛点。

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  • ALin Lv7. 资深专家 2021-12-14
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  • zwjiang Lv9. 科学家 2021-12-11
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  • stiutk Lv8. 研究员 2021-12-10
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选型指南  -  HI-SEMICON  - 2022/11/18 PDF 中文 下载

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