【产品】DFN3333-8L封装的60V/11A N沟道增强型MOSFET PJQ4460AP
PANJIT(强茂)推出了DFN3333-8L封装的PJQ4460AP（60V/11A）N沟道增强型MOSFET。
图1 实物图和内部结构图
该N沟道增强型MOSFET特点：
•RDS(ON), VGS@10V, ID@6A<72mΩ
•RDS(ON), VGS@4.5V, ID@3A<88mΩ
•先进的沟槽工艺技术
•高密度单元设计，超低的导通电阻
•符合欧盟RoHS 2.0 无铅标准
•绿色环保塑封，符合IEC 61249标准
该N沟道增强型MOSFET机械数据：
•外壳：DFN3333-8L封装
•端子：可焊性均符合MIL-STD-750标准（方法2026）
•重量约：0.001盎司，0.03克
表1 最大额定值
表2 电气特性
表3 订购信息
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可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm，该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐，每毫米的变化量误差不超过3ue/mm，可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标：非线性<0.2%；供桥电压<10v；测试精度：0.01mm。
最小起订量： 1 提交需求>
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