【经验】新电元LF封装MOS采用铜带鸥翼引脚避免机械应力带来的虚焊问题


在日常半成品PCB板过波峰焊制程中,经常会出现因PCB板受热变形的机械应力导致器件虚焊案例,特别是类似贴片MOS之类的大体积封装器件,最终使得产品的可靠性大大降低。而新电元的LF封装MOS采用新型铜带鸥翼引脚就可以很好的解决这个问题。
SHINDENGEN新电元的LF封装MOS的内部结构图如图1所示,可以看出,MOS管的源极采用铜带的新型鸥翼引脚,由于采用铜带,过流和散热能力优,相对于传统的铝线焊接工艺,在过大电流或者焊接加工时,热冲击对其内部的应力变形影响几乎可以忽略,大大提高了器件本身的可靠性。
图1 新电元的LF封装MOS的内部结构示意图
LF封装MOS在PCB机械应力变形时的受力示意图如图2所示,首先LF封装的引脚采用全镀锡处理,可以更好的被焊锡所包裹,鸥翼引脚的底部以及四周都可以连接焊锡,这样可以大大增加引脚到PCB板铜箔的过电流能力,同时在PCB过波峰焊变形产生应力时,引脚也不容易产生虚焊。相对比Flatlead封装,引脚只能靠底部的焊锡连接PCB板铜箔,一旦PCB板受热变形,引脚很容易与铜箔焊锡脱落导致虚焊。其次,当PCB板因受热带来不可避免的变形应力时,由于LF封装的鸥翼引脚具有一定的“弹簧”效应,可以将应力通过引脚双向变形来缓和机械应力;而Flatlead封装只能将PCB板变形应力集中在引脚和PCB板铜箔安装区域,一旦PCB板变形,引脚无法通过自身结构来缓和应力,所有应力集中在焊锡层,很容易导致焊锡层虚焊。
图2 LF封装和Flatlead在PCB机械应力变形时的受力示意图
综上所述,新电元的LF封装MOS采用铜带鸥翼引脚,具有过流能力强,缓和机械应力等优点,可以很好的解决机械应力带来的虚焊问题。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由Bob提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【经验】如何计算和设计贴片型功率MOSFET的PCB铺铜散热,防止MOSFET过热损坏?
很多情况下都选用贴片型MOSFET来设计小功率开关电源电路。但是在开关电源功率和电流升高或者环境温度升高时,MOSFET会发热严重,严重者会造成MOSFET热损坏,本文以新电元(SHINDENGEN)公司推出的一款针对工业化应用的N沟道MOSFET管P8B30HP2为例,介绍怎么计算和设计PCB的铺铜面积,给MOSFET运行时散热,实现对其的过热保护。
【经验】采用MOSFET芯片P8B30HP2设计开关电源输入缓启动电路可防止浪涌电流冲击
SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的栅源电压Vgs和漏极电流Id大,因此电压和电流等级高,不容易损坏,并且留有裕量,可以避免输出功率波动带来的发热问题。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2的导通电阻Rds小,因此发热量和损耗功率小,能够降低温升带来的热故障。SHINDENGEN公司的MOSFET芯片P8B30HP2采用贴片封装,尺寸小。
【应用】40V/140A LFPACK MOSFET+汽车级驱动芯片助力汽车电子水泵小型化设计
Shindengen推出的 P140LF4QNK 功率MOSFET ,小尺寸,LF PACK封装产品, L*W=5.000mm*6.050mm。
【元件】新电元符合AEC-Q101标准的高耐压900V MOSFET发售,满足车载设备的高ESD耐量要求
新电元工业株式会社在对应车载用途的高耐压MOSFET“VX3系列”的产品阵容中新增900V耐压1A 和2A这两款型号,并将于4月发售。本产品通过调整内部结构,实现了HBM 2kV保证和MM 200V保证,满足了车载设备的高ESD耐量要求,由此为提高车载设备的可靠性做出贡献。
【应用】六合一MOSFET功率模块助力EPS逆变设计
恰能解决PCB驱动板面积受限制、封闭性散热难等技术难题的功率模块。
Shindengen Announced the Launch of High Withstand Voltage 900V Power MOSFET based on AEC-Q101, Optimal for xEV High Voltage DC/DC Converters
Shindengen has launched two new products, the P3FH90VX3 and P5FH90VX3 power MOSFET based on the AEC-Q101 vehicle application reliability standards. The products‘ high withstand voltage of 900V prefers to install main switches and discharge circuit switches for xEV DC/DC converter control power supplies.
Announcing the launch of an AEC-Q101 compliant high withstand voltage 900V MOSFET, Contributing to Improved Reliability in Vehicle Device Applications
Shindengen will launch new 900V withstand voltage 1A and 2A models in the VX3 Series high withstand voltage MOSFET for vehicle applications in April. These products feature revised internal structures to achieve HBM 2kV guarantee and MM 200V guarantee, and are compatible with the high ESD tolerances required for vehicle device applications.
关于IRF2807 MOSFET真假问题,请问导通电阻会不会随电流变化,1.7安电流有55mV以上的压降正常吗?门极电压11.4V。
导通电阻一般不会随电流变化而变化,即使有也很小,导通电阻跟温度有关,成正比例关系。根据你测试的数据,导通电阻有30mΩ,规格书给出25℃的值是13mΩ,相差一倍,驱动波形脉宽小于400us,建议检查下测试环境温度和驱动波形,只要管子工作温度正常,是没什么大碍的。推荐新电元的P82F7R5SN MOSFET,82A/75V,详细资料参考:https://www.sekorm.com/doc/52575.html。
Shindengen Developed Low Withstand Voltage Trench Structure MOSFET EETMOS Compact Package LF Series, Achieving both Lower Ron and Lower Qg
Shindengen has expanded its lineup with the development of the low withstand voltage trench structure MOSFET EETMOS LF Series, which is suited for use in various consumer and vehicle-mounted high current drive circuits, various power supply circuits, relay applications, and more.
【产品】500V/5A的N沟道功率MOSFET,集成高速二极管
P5F50HP2F是Shindengen推出的功率MOSFET,其总栅极电荷10.5nC,高速源极-漏极二极管反向恢复时间为70ns。
【产品】400V,9A的高压N沟道功率MOSFET,大功率电路设计首选
新电元的P9B40HP2是一款SMD封装的N沟道功率MOSFET,兼具小尺寸、低噪音等优点,其结壳热阻θjc最大值仅为3.12℃/W,可用于开关电路、驱动器、逆变器等电子电路中。
我打算选购六合一MG031N 7101,请发给我产品详细参数,谢谢。
规格书:Shindengen(新电元)MG031N非隔离型逆变器MOSFET模块数据手册 (sekorm.com)。
【产品】导通阻抗仅3mΩ的N沟道MOSFET EETMOS,最大工作电流可达100A
EETMOS是新电元推出的功率MOSFET系列中的产品,最大工作电压可达100V,最大工作电流可达100A,尤其适合大功率的驱动应用。的最低导通阻抗仅3mΩ,在工作电流相同的情况下,更低导通阻抗可以带来更小的损耗,不仅提升了效率,而且减小了自身发热,简化了大功率系统中的热设计。
Shindengen(新电元)汽车级功率MOSFET系列(低压)产品介绍
Power MOSFET Series Low Voltage
SHINDENGEN - MOSFET,功率MOSFET,P16LD6SBK,P98LF6QNK,P45LD7R5SLK,P12FE7R5SBK,P30FE6SLK,P54LD6SLK,P180FP6SNK,P100FP12SNK,P46LF7R5SLK,P56FP12SNK,P88FP10SNK,P70FP12SNK,P76LD4SLK,P168FP7R5SNK,P40LF12SNK,P50LF10SNK,P20FE12SLK,P25LF12SLK,P105LF4QNK,P64LF6QNK,P140LF4QLK,P32LF10SNK,P175FP4SNK,P40LD6SLK,P23LD10SLK,P8FE10SBK,P72LF7R5SLK,P214FZ6QNKA,P14FE6SBK,P98LF6QLK,LF系列,P173FZ6QNKA,LD系列,P30FE4SLK,FE系列,P13LD7R5SBK,P33LD7R5SLK,P180FP4SNK,P46LF7R5SNK,P22FE4SBK,P211FZ4QNKA,P153FP6SNK,P70FP10SNK,P214FZ4QNKA,P30FE7R5SLK,P40LF12SLK,P50LF10SLK,P25LF12SNK,P126FP10SNK,P64LF6QLK,P140LF4QNK,P26FE10SLK,P58LD4SLK,P32LF10SLK,P9LD10SBK,P105LF4QLK,FP系列,P31LD10SLK,P25LD12SLK,P72LF7R5SNK,P25LD4SBK,P18LD12SLK,汽车电子
您好,车规级,结温175摄氏度,VDSS 35V,ID 60A的,内阻5毫欧的MOS有无推荐呢?
你好 ,推荐 新电元 4.P64LF6QLK Power MOSFETs 60V, 64A, N-channel 参考手册:https://www.sekorm.com/doc/2989148.html
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论