【产品】鲁晶半导体2SK3019 N沟道MOSFET，采用SOT-523封装，开启延迟时间低至15ns
鲁晶半导体推出的2SK3019是一款采用SOT-523封装的N沟道MOSFET，具有开关速度快，导通电阻低，易于并联，易于设计驱动电路等特点，其低电压驱动的特点使该器件成为便携式设备的理想选择。环境温度25℃时，该器件漏源电压最大额定值为30V，栅源电压最大额定值为±20V，连续漏极电流最大额定值为0.1A。
特点
低导通电阻
开关速度快
低电压驱动使该器件成为便携式设备的理想选择
易于设计驱动电路
易于并联
N沟道MOSFET
机械数据
外壳类型：SOT-523模压塑料
安装位置：任意
最大额定值和特性（环境温度25℃，除非另有说明）
MOSFET电气规范（Ta=25℃，除非另有说明）
*这些参数无法验证
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