【产品】鲁晶半导体2SK3019 N沟道MOSFET,采用SOT-523封装,开启延迟时间低至15ns

2022-12-08 鲁晶半导体
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鲁晶半导体推出的2SK3019是一款采用SOT-523封装的N沟道MOSFET,具有开关速度快,导通电阻低,易于并联,易于设计驱动电路等特点,其低电压驱动的特点使该器件成为便携式设备的理想选择。环境温度25℃时,该器件漏源电压最大额定值为30V,栅源电压最大额定值为±20V,连续漏极电流最大额定值为0.1A。

特点

低导通电阻

开关速度快

低电压驱动使该器件成为便携式设备的理想选择

易于设计驱动电路

易于并联

N沟道MOSFET


机械数据

外壳类型:SOT-523模压塑料

安装位置:任意


最大额定值和特性(环境温度25℃,除非另有说明)

MOSFET电气规范(Ta=25℃,除非另有说明)

*这些参数无法验证

授权代理商:世强先进(深圳)科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台:世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道:世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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