【产品】鲁晶半导体2SK3019 N沟道MOSFET,采用SOT-523封装,开启延迟时间低至15ns
鲁晶半导体推出的2SK3019是一款采用SOT-523封装的N沟道MOSFET,具有开关速度快,导通电阻低,易于并联,易于设计驱动电路等特点,其低电压驱动的特点使该器件成为便携式设备的理想选择。环境温度25℃时,该器件漏源电压最大额定值为30V,栅源电压最大额定值为±20V,连续漏极电流最大额定值为0.1A。
特点
低导通电阻
开关速度快
低电压驱动使该器件成为便携式设备的理想选择
易于设计驱动电路
易于并联
N沟道MOSFET
机械数据
外壳类型:SOT-523模压塑料
安装位置:任意
最大额定值和特性(环境温度25℃,除非另有说明)
MOSFET电气规范(Ta=25℃,除非另有说明)
*这些参数无法验证
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由浩哥的小锤锤翻译自鲁晶半导体,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【产品】采用SOT-23塑料封装的场效应晶体管MLS2308A,漏源电压最大额定值为60V
MLS2308A是鲁晶推出的一款采用SOT-23塑料封装的场效应晶体管,其具有低导通电阻、快开关速度和易于设计驱动电路等特点。器件在25℃环境温度下,漏源电压最大额定值为60V,栅源电压最大额定值为±20V,结温及存储温度范围可达-55℃~+150℃。
【产品】采用TO-252塑料封装的N沟道MOSFET器件LDD0956,最大漏源电压额定值100V
鲁晶推出的N沟道MOSFET器件LDD0956采用TO-252塑料封装,在25℃环境温度下,其漏源电压的最大额定值为100V,栅源电压的最大额定值为±20V,连续漏极电流的最大额定值为12A(Tc=25℃),工作结温范围为-50℃~+150℃。
【产品】SLKOR N沟道MOSFET SL6244漏源电压20V,连续漏极电流6.5A
SLKOR推出的N沟道MOSFET SL6244属于TrenchFET功率MOSFET,当Ta=25℃时,最大额定漏源电压为20V,可应用于便携式设备的负载开关和DC/DC转换器。
电子商城
现货市场
服务
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
可定制位移传感器量程范围10~600mm,该YWD型位移传感器表面有带刻度的透明窗☐,每毫米的变化量误差不超过3ue/mm,可在静态、准静态和低频动态下工作。主要指标:非线性<0.2%;供桥电压<10v;测试精度:0.01mm。
最小起订量: 1 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论