【产品】ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET SCT2450KEHR，导通电阻仅450mΩ

时间： 2022-03-23 来源：ROHM

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ROHM新推的N沟道SiC功率MOSFET-SCT2450KEHR，采用TO-247N封装，符合AEC-Q101标准的车规级产品；其漏源电压为1200V，漏极电流达10A，导通电阻仅为450mΩ（典型值）；具有耐压高、低导通电阻、开关速度快等特点。

图1 SCT2450KEHR的实物图、封装形式和电路结构示意图

SCT2450KEHR的特性：

低导通电阻

开关速度快

反向恢复速度快

易于并联应用

驱动简单

无铅电镀，符合RoHS标准

AEC-Q101认证

SCT2450KEHR的应用：

-车载设备

-开关模式电源

SCT2450KEHR的最大额定值参数（Ta=25℃）：

*1 仅受可允许最高温度的限制

*2 PW≤10μs，Duty cylce≤1%

*3 可接受的V_GS波形

*4 脉冲型

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