新洁能获弗迪动力年度优秀供应商称号,提供优质车规级功率器件产品,共同促进新能源汽车行业蓬勃发展
2023年1月,无锡新洁能荣获重要客户弗迪动力年度“优秀供应商”称号。在过去的一年中,新洁能凭借优秀的产品质量、先进的产品技术水平、稳定的产能和交付周期与弗迪动力建立了愉快的合作关系。
弗迪动力作为国产第一新能源汽车品牌——比亚迪旗下独立子公司,负责比亚迪汽车及业界客户配套用发动机、变速器、减速机、电动车桥的自主研发及产销。近两年新洁能通过对车规级功率开关器件的研发,成功搭建车规级质量管理体系,形成车规级中低压屏蔽栅功率MOSFET、车规级高压超结MOSFET、车规级IGBT三个系列产品,覆盖电压段-100V-1200V,同时部署了车规级功率模块的研发和产业化。目前新洁能车规级产品已广泛适用于新能源汽车电子的动力域、车身域、座舱域中,成功进入到比亚迪等多家整车厂及Tier1厂的汽车电子供应链中。
作为弗迪动力的优秀供应商,新洁能将在2023年继续为其提供车规级功率器件产品,伴随着国内新能源汽车销量的指数型增长,新洁能将和弗迪动力会有更深层次的业务合作和发展。感谢弗迪动力对于2022年新洁能工作的肯定,同时,新洁能也会不断攻克我国新能源汽车产业发展的“卡脖子”技术问题,为市场提供更多拥有卓越性能的车规级产品,提高服务水平,与客户共同跟随新能源汽车行业的步伐蓬勃发展。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由圆明园驯兽师转载自NCE官网,原文标题为:新年喜讯!新洁能荣获弗迪动力年度“优秀供应商”称号,本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的,且明确注明来源,不希望被转载的媒体或个人可与我们联系,我们将立即进行删除处理。
相关推荐
中国汽车工业协会总工程师一行莅临平伟实业梁平生产基地调研参观!
2024年8月16日,中国汽车工业协会总工程师叶盛基一行到平伟实业调研国产功率半导体在汽车上的应用情况,重庆平伟实业股份有限公司执行董事张成方等高层领导现场陪同。座谈会上,平伟实业汽车电子事业部副总经理谢鹏军汇报了公司车规级产品情况、技术优势、应用领域及长远规划。双方对国产功率半导体在汽车板块的机遇与挑战以及平伟实业产品在各大主机厂项目上的量产情况进行了交流讨论。
原厂动态 发布时间 : 2024-08-23
基本半导体亮相PCIM并重磅发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET等系列新品
日前,全球最大的功率半导体展会PCIM Europe 2024在德国纽伦堡盛大开启。基本半导体再度亮相展会,并正式发布2000V/1700V系列高压碳化硅MOSFET、车规级碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工业级碳化硅功率模块PcoreTM2 E2B等系列新品。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-24
爱集微专访 | 直面汽车“四化”新机遇,杰华特力争成为一站式车用模拟芯片提供商
近日,爱集微对杰华特进行了独家专访,围绕杰华特在汽车电子领域的布局及产品创新等问题进行了深入沟通,了解到以JWQ7065为代表的国内首颗50A车规级高效率智能功率模块(DrMOS)等产品的相关信息。“用芯驱动,引领智途”。杰华特将致力于为客户提供优质的一站式服务。
原厂动态 发布时间 : 2024-06-21
中电国基南方(CETC)SiC电力电子器件选型指南
描述- 中电国基南方是国内最早从事SiC电力电子器件研发和生产的企业。在SiC为代表的第三代功率半导体领域承担了国家科技重大专项、“863”、“973”、国家重点研发计划等超过80项国家级课题;申请发明专利超过200多项,其中PCT10项,已授权67项。产品系列电压覆盖650V-6500V,电流覆盖2A-150A,产品性能和可靠性满足多种应用需求,已广泛应用于新能源汽车及充电设备、轨道交通、新能源发电、电网传输、家用电子设备等领域。
型号- WS4A020120A,WS4A050065D,WMH075M120A1A,WS4A050065B,WS4A020120B-V,WS4A020120B,WS4A020120D,WS4A040120K,WMIT075M120B1A,WS4A040120D,WM2HA020065Y,WS4A040120B,WMT075M120B1A,WMH020M065A1A,WS4A030065D,WS4A020120J,WS4A040120B-V,WS4A020120K,WS4A030065J,WS4A025170B,WS4A025170D,WS4A030065B,WM2A030065L,WM2A030065K,WS4A030065K,WS4A050170B-V,WMD075M120B1A,WM2HV020170L,WS4A006065F,WM2HV020170K,WS4A006065E,WS4A004065A0,WS4A006065B,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A015065J,WS4A010065F,WS4A010065A,WS4A015065F,WS4A010065B,WM2A080170N,WM2A080170L,WM2A080170K,WM2HV140120N,WM2HV140120L,WM2HV040065L,WM2HV040065K,WM2HA040120N,WM2HA040120L,WM2HA040120K,WM2A060065N,WM2A060065K,WM2HV040065N,WM2A060065L,WS4A050170B,WM2A060065Y,WM2HA030120N,WM2HA030120K,WS4A050170D,WM2HA030120L,WM2HA020120K,WM2HV140120K,WS4A005120E,WM2HA020120L,WM2A040120L,WM2HV020120N,WM2HA020120N,WM2HV020120K,WM2HV020120L,WM2A040120K,WS4A010065J,WS4A015120J,WS4A015120D,WM2V080170K,WS4A050065B-V,WS4A005120A,WS4A005120B,WMH016M120A1A,WM2V080170L,WM2HA040065N,WM2V080170N,WM2HA040065L,WM2HA040065K,WS4A020065A,WS4A020065D,WS4A020065B,WM2HV030120K,WS4A020065B-V,WM2HA040065Y,WS4A020065F,WS4A015120A,WM2V040120L,WM2V040120K,WS4A015120B,WMH060M120A1A,WM2HA011075K,WM2HA011075L,WM2HA04006Y,WM2HV030120N,WS4A060120D,WS4A020065K,WM2HV030120L,WS4A020065J,WM2HA024200LP,WS4A060120K,WM2V040170L,WM2V040170N,WS4A025170B-V,WM2V040170K,WMH080M170A1A,WS4A030120K,WS4A030120B-V,WM2HV060120L,WM2HV060120K,WM2HV060120N,WMIT040M120B1A,WM2HV011075L,WM2HV011075K,WS4A200120T,WMT040M120B1A,WM2HA240120N,WS4A010120E,WS4A004065F0,WS4A010120D,WS4A010120B,WS4A010120A,WM2A050330L,WM2HA240120E,WS4A008065B,WM2HV040120L,WS4A060065K,WS4A008065A,WMD040M120B1A,WS4A008065F,WS4A008065E,WM2HA140120L,WSXAXXXXXX0,WM2HA140120K,WM2HA140120N,WS4A050120D,WS4A050120B,WMH040M120A1A,WM2HV016120L,WM2HV016120K,WM2HA020170L,WS4A010120J,WM2HA020170K,WS4A040065K,WS4A050120B-V,WMH060M075A1A,WS4A015065A,WS4A015065B,WM1A650170N,WM1A650170K,WM2A075120K,WM2A075120L,WM2A075120N,WM2V020065N,WM2V020065K,WM2V020065L,WS4A004065B0,WS4A004065E0,WMXAXXXXXX0,WM2V075120N,WM2HA060120K,WM2V075120K,WM2HA060120L,WM2V075120L,WM1A080120K1,WM2HA060120N,WM2HV075120L,WM2HA020065K,WS4A030065B-V,WM2HA020065L,WM2A040170K,WM2A040170L,WM2A040170N,WM2HA016120L,WM2HA016120K,WM2HA020065N,WM2HA016120T,WM2A060090N,WMH020M120A1A,WM2A060090K,WM1A080120L1,WM2A060090L,WM2A100200LP,WM1A01K170K,WS4A030120D,WM2A050200LP,WM2A020065L,WM2A020065K,WM2A020065N,WM1A01K170N,WS4A030120B
中国新能源汽车几何式发展,瑞之辰布局SiC市场
近年来,中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示,2023年,中国新能源汽车销量达到了949.5万辆,同比增长37.9%。预计2024年,中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆,并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展,倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。深圳瑞之辰率先察觉这一趋势,早已布局SiC(碳化硅)领域,正发力推动行业高质量发展。
行业资讯 发布时间 : 2024-11-01
爱仕特(AST)SiC碳化硅芯片及模块选型指南
目录- 公司简介和芯片/模块产品规则 芯片 模块 参数含义和芯片/模块产品可靠性要求介绍
型号- ASC20N650MT3,ASC100N1200MD10,ASC700N1200,ASC800N1200,ASC12N650MT3,ASC100N1700MT3,ASC100N900MT3,ASC100N900MT4,ASC10N1200MT3,ASC5N1700MT3,ASC1000N900,ASC60N650MD8,ASC30N1200MT3,ASC30N1200MT4,ASC100N650MT3,ASC100N650MT4,ASC18N1200MT3,ASC60N1200MT4,ASC60N1200MT3,ASC20N3300MT4,ASC60N650MT3,ASC60N900MT4,ASC60N650MT4,ASC60N900MT3,ASC600N1200,ASC-60-N-650-M-T-4,ASC100N1200,ASC300N1200,ASC60N1200MD8,ASC100N1200MT3,ASC100N1200MT4,ASC8N650MT3,ASC5N1200MT3,ASC1000N1200
【元件】瑞之辰推出首款SiC MOSFET PIM模块,可替代硅基IGBT芯片的模块,系统损耗降低三分之一
又有一家国内企业在车规级SiC技术的研发和应用方面实现了新的突破。深圳市瑞之辰科技有限公司推出了首款基于SiC MOSFET技术的PIM模块,实现了对硅基IGBT芯片的模块替代,在系统损耗方面降低了三分之一。与此同时,这款产品在技术上突破传统PIM模块灌封封装模式,模块体积减少约57%,而且使用了瑞之辰自主研发的10项工艺创新,模块可靠性得到大幅提升,非常适用于新能源汽车、充电桩、储能等新兴领域。
产品 发布时间 : 2024-11-01
JW JOULWATT (杰华特) 车规级产品选型指南
描述- 杰华特微电子成立于2013年,是一家快速成长的高性能模拟和数模混合半导体供应商。公司采用自有的先进工艺技术进行芯片设计和制造。目前,公司拥有广泛的产品组合,涵盖DC/DC、AC/DC、线性电源、电池管理、信号链、显示、汽车电子等,应用范围涉及计算机、通讯、工业控制、服务器与数据中心、汽车电子、家用电器、消费类电子、照明等众多领域。
型号- JWQM93902A,JWQ5273,JWQ5103CSF,JWQ5102C,JWQ5102B,JWQ71845,JWQ5123,JWQM93901,JWQ5125A,JWQ5103,JWQ5103CS,JWQ5125,JWQ3760,JWQ7821A,JWQ5103AS,JWQ79808,JWQ7821,JWQ7843,JWQ7806,JWQ7924,JWQ7809,JWQM93902,JWQ6346A,JWQ52992,JWQ52993,JWQ11724,JWQ5102CSF,JWQ5141,JWQ7065,JWQ5583,JWQ7101,JWQ5156,JWQ5102A,JWQ7830,JWQ71910,JWQ5276,JWQ5155,JWQ7853,JWQ5279,JWQ6346,JWQ5103BS,JWQ79818,JWQ5217,JWQ5513
车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势
当前车规级功率器件的封装设计朝着高功率密度、 高工作效率、低热阻、低寄生参数、高绝缘能力和高集成度等方向发展,分析各封装设计手段对器件特性的影响,寻求针对特定需求的电学、热学和机 械等特征参数的最佳平衡,以满足不同应用场景, 适应高标准的发展需求,从不同角度综合考虑,达到多维度优化的最佳效果。本文阿基米德半导体来给大家分享车规级SiC功率模块封装技术及其发展趋势。
技术探讨 发布时间 : 2024-10-25
【应用】芯洲科技为智能座舱/ADAS/OBC提供车规级电源管理芯片,轻松解决EMI及过流保护等痛点问题
芯洲科技近期上线10多款车规电源芯片产品:LDO、降压变换器、升压/升降压/反激控制器、MOS管驱动、功率保护器件、集成PMIC产品等。为智能座舱/ADAS域应用、车载动力域、车身域等各类车载应用提供全方位的电源解决方案。
应用方案 发布时间 : 2023-08-04
车规级SiC/IGBT厂商阿基米德半导体授权世强硬创代理,助力碳中和
阿基米德半导体1200V 75A IGBT芯片综合损耗超过国际友商IFX3代产品20%、6代产品15%;1200V 60A FRD芯片的反向恢复特性优于国内友商20%。
签约新闻 发布时间 : 2024-01-04
【招聘】大客户销售,负责车规级MCU/碳化硅Mosfet/IGBT/马达驱动/热失控传感器等产品
负责自动驾驶、三电系统、智能汽车、新能源汽车等热门行业;全品类1000+家国内外大牌产品线,数万家行业top级客户资源;全球领先的研发及采购服务平台,国高企业,专精特新企业,行业未来独角兽,发展机遇超多!
招聘信息 发布时间 : 2024-08-09
电子商城
现货市场
服务
定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m,厚度2mm-100mm,单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量: 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告,静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A;动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等,具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址: 西安 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论