【产品】GaN射频晶体管GHPS060020AT输出功率20W，工作频率DC-6GHz，具有CW和脉冲功能
时代速信GaN射频晶体管GHPS060020AT是一种20W (P3dB)、SiC高电子迁移率晶体管上的分立氮化镓，工作频率为DC-6GHz。
产品特点
• 频率：DC MHz-6GHz
• 输出功率 (P3dB)：20W
• 线性增益：21.5dB
• Typical DE 3dB：79%
• 工作电压：50V
• 低热阻封装
• CW和脉冲功能
应用
• 基站
• 无线电中继站
• 军用雷达
• 民用雷达
• 测试仪器
• 宽带或窄带放大器
• 干扰器
• 微波炉
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 4
本文由荆菱雪翻译自时代速信，版权归世强硬创平台所有，非经授权，任何媒体、网站或个人不得转载，授权转载时须注明“来源：世强硬创平台”。
评论
全部评论（4）
-
![]()
![]()
cherryyang Lv7. 资深专家 2021-11-22学习 -
![]()
![]()
zwjiang Lv9. 科学家 2021-11-20学习学习 -
![]()
![]()
titan Lv8. 研究员 2021-11-18学习 -
![]()
![]()
Phil _zhang Lv4. 资深工程师 2021-11-18好东西，收藏一下。
相关推荐
【产品】基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管GHPS060050AT，3dB压缩输出功率为50W（2.6GHz）
时代速信推出的GHPS060050AT是一款3dB压缩输出功率为50W（2.6GHz）的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管,采用低热阻封装，工作电压为50V，工作频率范围为DC~6GHz，可在连续波和脉冲波输入下工作。
【产品】时代速信GaN射频晶体管GHPS060075AT，3dB压缩输出功率为75W（2.6GHz）
时代速信推出的GHPS060075AT是一款3dB压缩输出功率为75W（2.6GHz）的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管，可在连续波和脉冲波输入下工作，工作频率范围为DC~6GHz。在2.6GHz时线性增益可达到21.3dB，典型漏极效率(DE 3dB)可达到76.5%。
【产品】时代速信GaN射频晶体管GHPS060060AT，2.6GHz时线性增益可达到21.5dB
时代速信推出的基于SiC HEMT的分立GaN射频晶体管GHPS060060AT，其3dB压缩输出功率为60W（2.6GHz），采用低热阻封装，典型工作电压为50V，工作频率为DC~6GHz，可工作在连续波和脉冲波输入。
GLMA3P0015AD 15W，28V，30-3000MHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GLMA3P0015AD这款15W（P3dB）、28V的GaN射频晶体管。适用于30-3000MHz频段的大规模MIMO系统、室外小基站和远程无线头等应用。具有50Ω输入匹配、高功率增益和高效率等特点。
型号- GLMA3P0015AD-A1,GLMA3P0015AD
GLSD6P0060AT 60W，28V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GLSD6P0060AT是一款60W功率、28V工作电压的DC至6GHz频段的GaN射频晶体管。它是一种离散式的SiC衬底HEMT器件，具有低热阻封装，适用于连续波和脉冲操作。该产品在2300MHz频率下提供48.4dBm的输出功率（P3dB），线性增益为12.7dB。
型号- GLSD6P0060AT
GLSD6P0015BL 15W，28V，DC-6GHz，氮化镓RF非匹配晶体管
描述- 该资料介绍了GLSD6P0015BL是一款15W（P3dB）的28V GaN射频功率晶体管。适用于基站、雷达和远程无线电台在直流至6GHz频率范围内的应用。产品具有低热阻封装，支持连续波和脉冲操作。
型号- GLSD6P0015BL
GHPS060100AT 100W，50V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GHPS060100AT这款100W、50V、DC至6GHz的氮化镓（GaN）射频晶体管。它具有高频率范围、大功率输出和良好的线性增益，适用于基站、无线电中继站、军事雷达、民用雷达、测试仪器、宽带或窄带放大器等领域。
型号- GHPS060100AT
GHSD6P0100AT 100W，50V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GHSD6P0100AT这款100W（P3dB）、50V的DC至6GHz GaN射频晶体管。它适用于基站、雷达和远程无线头等高频应用，具有高线性增益、低热阻封装等特点。
型号- GHSD6P0100AT
GLSA5P4040AT 40W，28V，4700-5400MHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GLSA5P4040AT型40W GaN射频晶体管。这是一种工作在4.7至5.4GHz频率范围内的离散GaN on SiC HEMT，具有高功率输出、线性增益和低热阻封装等特点。
型号- GLSA5P4040AT
GLMA1P5015AD 15W，28V，30-1500MHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GLMA1P5015AD这款15W、28V、30-1500MHz的GaN射频晶体管。它适用于大规模MIMO系统、室外小基站和远程无线头等应用，具有高功率增益、低热阻封装等特点。
型号- GLMA1P5015AD
GHSD3P0040AT 40W，50V，DC-3GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GHSD3P0040AT型40W、50V、DC至3GHz的氮化镓射频晶体管。该器件是一款离散式GaN on SiC HEMT，具有宽频带工作范围和高功率输出能力。资料提供了详细的电气规格、操作条件、热阻信息以及负载拉偏性能。
型号- GHSD3P0040AT
GLSD6P0015AL 15W，28V，DC-6GHz，氮化镓RF非匹配晶体管
描述- 该资料介绍了GLSD6P0015AL这款15W功率、28V电压、工作频率范围为DC至6GHz的GaN射频无匹配晶体管。适用于基站、雷达和远程无线电台等应用，具有低热阻封装和高线性增益等特点。
型号- GLSD6P0015AL
GHSD6P0008AT 10W，50V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GHSD6P0008AT这款10W功率、50V工作电压的氮化镓(GaN)射频晶体管。它可在直流至6GHz频率范围内工作，具有高线性增益和低热阻封装等特点。资料提供了详细的电气性能参数、推荐的工作条件、脉冲特性测试数据以及应用领域。
型号- GHSD6P0008AT
GLSA4P0060AT 60W，28V，DC-4GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GLSA4P0060AT这款60W、28V、DC-4GHz GaN射频晶体管。它是一款匹配的离散SiC HEMT，适用于基站、雷达和远程无线头等应用，频率范围为DC至4GHz。
型号- GLSA4P0060AT-A1,GLSA4P0060AT
GHPS060050AT 50W，50V，DC-6GHz氮化镓射频晶体管
描述- 该资料介绍了GHPS060050AT是一款50W（P3dB）的离散GaN on SiC HEMT射频晶体管，工作频率范围为直流至6 GHz。它具有高功率输出、线性增益和低热阻封装等特点。
型号- GHPS060050AT
电子商城
服务
可定制PCB最高层数：32层；板材类型：罗杰斯高频板/泰康尼高频板/ZYF中英天线板/F4B高频板/高频电路板/高频混压板/高频纯压板等；最大加工尺寸：609*889mm。
最小起订量： 1 提交需求>
支持GSM / GPRS 等多种制式产品的射频测试，覆盖所有上行和下行的各项射频指标，包括频差、相差、调制、功率、功控、包络、邻道泄漏比、频谱、杂散、灵敏度、同道干扰、邻道干扰、互调、阻塞等等。满足CE / FCC / IC / TELEC等主流认证的射频测试需求。
实验室地址： 深圳 提交需求>
授权代理品牌：集成电路
授权代理品牌：分立元件
授权代理品牌：接插件及结构件
授权代理品牌：部件、组件及配件
授权代理品牌：电源及模块
授权代理品牌：电子材料
授权代理品牌：仪器仪表及测试配组件
授权代理品牌：电工工具及材料
授权代理品牌：机械电子元件
授权代理品牌：加工与定制
我要提问
登录 | 立即注册
提交评论