【选型】国产双通道高速低侧栅极驱动器IVCR2404DR用于电源模块,峰值拉、灌电流高达4A
某客户在做一款1.5KW高压转低压DC/DC电源模块产品,需要一款高速低侧栅极驱动器驱动MOSFET,拉、灌电流要求达4A,双路非反向输入的性能对标UCC27324;为此瞻芯电子推出双通道4A的高速低侧栅极驱动器IVCR2404DR,可以高效安全地驱动MOSFET以及IGBT,可满足此类产品的应用需求。
以下为瞻芯电子IVCR2404DR的部分原理框图:
瞻芯电子的IVCR2404DR芯片应用于电源模块中具有以下优势特点:
1、驱动能力强,高达4A峰值拉、灌电流,可以高效安全地驱动MOSFET。
2、高达24V宽范围VDD供电,满足宽压输入设计需求。
3、-40℃~125℃的工作温度范围,满足更高温的应用场景。
4、采用行业标准SOIC-8引脚输出,可兼容UCC27324,便于节省研发测试时间。
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文由大头企鹅巴巴提供,版权归世强硬创平台所有,非经授权,任何媒体、网站或个人不得转载,授权转载时须注明“来源:世强硬创平台”。
相关推荐
【选型】瞻芯电子MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI UCC27533功能对比,多个参数一致
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与TI公司UCC27533功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师选型。
【选型】国产低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代UCC27524用于LLC全桥驱动,延时匹配低至1ns
20KW充电模块DCDC部分电路中采用的全桥LLC拓扑方案,使用TI的UCC23513双5A高低低侧驱动器。本文推荐国产瞻芯电子低边4A双通道高速栅极驱动器IVCR2404DR替代,两通道延时匹配低至1ns,非常适合于服务器和电信电源的同步整流驱动。
【选型】MOSFET/IGBT驱动芯片IVCR1407S与FAN3100T功能对比,工作电压更宽为4.5~20V
上海瞻芯电子科技有限公司推出NextDrive®系列Low Side Driver,提供系列非隔离低边驱动IC。本文将IVCR1407S与ON公司FAN3100T功能和参数进行对比,以方便有需要研发工程师选型。
Product Brochure SiC Power Semiconductor and IC Solution
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/驱动与控制芯片选型指南
目录- 公司介绍 产品应用 产品概览 SiC Devices 产品概览 驱动与控制芯片 碳化硅(SiC)MOSFET 产品目录 碳化硅金属氧化物场效应晶体管系列产品 碳化硅(SiC)肖特基二极管产品目录 碳化硅肖特基二极管系列产品 碳化硅功率模块系列产品 栅极驱动芯片系列产品 图腾柱 PFC 控制芯片系列产品 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
【应用】超小体积MOS驱动芯片IVCR1801SR助力激光测距雷达设计,低传播延迟≤20ns
本文重点介绍瞻芯电子IVCR1801SR,它是单通道4A峰值拉电流和8A峰值灌电流的高速低侧栅极驱动器,可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及GaN等功率器件,单通道大电流,高达4A峰值拉电流和8A峰值灌电流,可以用于激光测距雷达的设计。
瞻芯电子(InventChip)碳化硅(SiC)功率器件/栅极驱动芯片/模拟控制芯片选型指南
目录- 公司简介 产品应用 碳化硅产品概览 碳化硅(SiC)MOSFET 碳化硅(SiC)肖特基二极管 碳化硅功率模块 栅极驱动芯片 图腾柱 PFC 控制芯片 产品可靠性测试规范
型号- IV2Q12040BD,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV1Q12017T4ZG,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IVCO1412DDWQ,IVCO1A0XD,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV1D06020T2,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IVST12020DB1L,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV1Q06060T4ZG,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IV1Q07015T3G,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q07015T4G,IVCO1A0XDW,IV1Q12160T3,IVCO1411DDWQ,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IVCR1412,IV2D12020T2,IV1Q07015BAG,IVCR2504,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IVCR1801,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IVCR1401,IVCR1402,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q07015BDG,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVCC1104D,IVSM12160HA2Z,IVCC1104F,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1
【应用】国产高速低侧栅极驱动器IVCR1801SR助力家用手持射频美容仪设计,传播延迟低,实现5M射频输出
某个客户要设计一款家用手持射频美容仪,想通过改变推挽电路的设计来提高工作功率,经推荐,客户选择使用了英洛赛科的INN650D150A,配合瞻芯电子的IVCR1801SR驱动芯片,能够实现5M以上的射频输出,大大提高射频美容仪的美容效果。
瞻芯电子通用栅极驱动芯片(Gate Driver)选型表
SiC 专用 ● 栅极驱动芯片:比邻驱动,瞻芯电子提供以下参数选型:Power Switch:Si/IGBT/GaN/SiC、Channels:1~2等
产品型号
|
品类
|
Qualification
|
Power Switch
|
Channels
|
Vcc(V)
|
Iout(Source/Sink)
|
Prop. Delay(ns)
|
Package
|
IVCR2402DR
|
通用栅极驱动芯片
|
工业级
|
Si/IGBT
|
2
|
24
|
4 / 4
|
16
|
SOIC-8
|
选型表 - 瞻芯电子 立即选型
IVCR2403/4/5 24V 4A 拉、灌电流 双通道驱动器
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
【应用】瞻芯电子IVCR1801驱动器用于模块电源,工温范围-40到125℃,可提供4A峰值拉/灌电流
本文推荐用瞻芯电子推出的驱动器IVCR1801用于模块电源产品中。该驱动可以高效安全地驱动MOSFET、IGBT以及新兴的宽带隙功率器件,具有低传播延迟以及紧凑的SOT-23封装等特点,温度范围宽达-40℃到125℃,能提供4A峰值拉电流和8A峰值灌电流。
IVCR2403/4/5 24V 4A Peak Source and Sink Dual-Channel Driver
型号- IVCR2405DR,IVCR2404DR,IVCR2405D,IVCR2404D,IVCR2403D,IVCR2403,IVCR2405,IVCR2403DR,IVCR2404
电子商城
现货市场
服务
可定制均温板VC最薄0.4mm,有效导热系数超5,000 W / m·K(纯铜(401 W/m·K ,石墨烯1,200 W/m·K)。工作温度范围同时满足低于-250℃和高于2000℃的应用,定制最低要求,项目年采购额大于10万人民币,或采购台套数大于2000套。
提交需求>
支持铲齿散热器鳍片最大加工厚度0.1-10mm,最大宽度600mm,铝挤散热器鳍片最小铝挤厚度5mm,最小鳍片间距1cm;定制散热器产品工艺有热管焊接,穿片,打磨,铲齿,铝挤及CNC加工修边飞面等。
最小起订量: 2pcs 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论