【产品】EPC新推200V eGaN FET EPC2215和EPC2207，性能提升一倍

时间： 2020-08-24 来源：EPC

技术问答

新一代200V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 V_OUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC/DC转换器的理想功率器件。

增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。

EPC2215（8 mΩ、162 A_pulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 A_pulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%，而性能却倍增。与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33％，但尺寸却缩小了15倍。其栅极电荷（Q_G）较基准硅MOSFET器件小十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（Q_RR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真，以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。

EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内，实现更高的性能，而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。”

EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）合作开发了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容（FCML）图腾柱无桥整流器，适用于数据中心，它使用了最新的200V 氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“ 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”

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余景 Lv7. 资深专家 2021-06-24

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人信者 Lv6. 高级专家 2020-12-01

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zdr69909057 Lv8. 研究员 2020-11-04

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Jerrfy Lv9. 科学家 2020-09-27

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薛雨 Lv8. 研究员 2020-09-27

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Paulwang Lv8. 研究员 2020-09-17

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哈哈7 Lv4. 资深工程师 2020-09-08

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桃梅 Lv7. 资深专家 2020-09-07

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鹏鹏 Lv7. 资深专家 2020-09-07

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