【产品】EPC新推200V eGaN FET EPC2215和EPC2207，性能提升一倍
新一代200V 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）是48 VOUT同步整流、D类音频放大器、太阳能微型逆变器和功率优化器，以及多电平、高压AC/DC转换器的理想功率器件。
增强型硅基氮化镓（eGaN）功率场效应晶体管和集成电路的全球领导厂商宜普电源转换公司（EPC）最新推出的两款200 V eGaN FET（EPC2215和EPC2207），性能更高而同时成本更低，目前已有供货。采用这些领先氮化镓器件的应用十分广阔，包括D类音频放大器、同步整流器、太阳能最大功率点跟踪器（MPPT）、DC/DC转换器（硬开关和谐振式），以及多电平高压转换器。
EPC2215（8 mΩ、162 Apulsed）和EPC2207（22 mΩ、54 Apulsed）的尺寸比前代200 V eGaN器件大约缩小50%，而性能却倍增。 与基准硅器件相比，这两款氮化镓器件的性能更高。 EPC2215的导通阻抗降低了33％，但尺寸却缩小了15倍。 其栅极电荷（QG）较基准硅MOSFET器件小十倍，并且与所有eGaN FET一样，没有反向恢复电荷（QRR），从而使得D类音频放大器可以实现更低的失真，以及实现更高效的同步整流器和电机驱动器。
EPC首席执行官兼共同创办人Alex Lidow表示：“最新一代的eGaN FET在具备更高效散热的更小型尺寸内，实现更高的性能，而且其成本与传统MOSFET器件相若。氮化镓器件必然可替代逐渐老化的功率MOSFET器件的趋势日益明显。”
EPC公司与得克萨斯大学奥斯汀分校的半导体功率电子中心（SPEC）合作开发了的400 V、2.5 kW、基于eGaN FET、四电平飞跨电容（FCML）图腾柱无桥整流器，适用于数据中心，它使用了最新的200V 氮化镓场效应晶体管（EPC2215）。 得克萨斯大学奥斯汀分校的Alex Huang教授说：“ 氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）的优越特性使得转换器能够实现高功率密度、超高效率和低谐波失真。”
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本文由天安云谷门面担当转载自EPC，原文标题为:宜普电源转换公司（EPC）的200 V 氮化镓产品系列（eGaN®FET）的性能提升了一倍，本站所有转载文章系出于传递更多信息之目的，且明确注明来源，不希望被转载的媒体或个人可与我们联系，我们将立即进行删除处理。
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产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
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QGS typ (nC)
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QGD typ (nC)
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QOSS typ (nC)
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QRR(nC)
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CISS (pF)
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COSS (pF)
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CRSS (pF)
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ID(A)
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Pulsed ID (A)
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Max TJ (°C)
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Package(mm)
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Launch Date
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EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
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Single
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15
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6
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30
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0.745
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0.23
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0.14
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0.42
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0
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86
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67
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20
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3.4
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28
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150
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BGA 0.85 x 1.2
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Apr, 2017
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选型表 - EPC 立即选型
成长中的氮化镓FET功率转换生态系统
描述- 本文介绍了基于eGaN®技术的功率转换系统，该系统相较于基于硅的替代品，具有更高的效率、更高的功率密度和更低的总体系统成本。文章详细阐述了eGaN FET生态系统，包括门驱动器、控制器和被动组件，并提供了相关产品的示例。此外，文章还讨论了eGaN FET在提高功率密度和效率方面的优势，以及如何选择合适的被动组件来优化性能。
型号- TEA1998TS,TEA1993TS,UP1966E,TEA1995T,MPQ1918,NCP81111,LM5113-Q1,EPC9165,NCP4306A,DSPIC33CK32MP102,TPS53632G,ISL8117A,LMG1210,NCP51820,FBS-GAM01P-C-PSE,FBS-GAM02P-C-PSE,FBS-GAM02-P-R50,LMG5200EVM-02,LTC7800,MIC2103/4,NCP4308A,UCD7138,TPS40400,EPC9078,SI8275GB-IM,LMG1205,SI8274GB1-IM,LM5140-Q1,EPC90120,ISL81807,ISL81806,NCP4305A,ISL70040SEH,MIC2127A
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