【应用】DFN 8X8封装的国产SiC二极管B2D10065Q助力200W PD快充,实现更小体积

2021-01-30 世强
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随着手机、笔记本电脑、平板、移动电源等移动电子设备在家庭、办公场合的普及,多口快充因可满足大多数的移动电子设备充电而受到广大消费者的喜爱,目前市场上有做到100W~200W功率的PD多口快充,主要采用碳化硅二极管+氮化镓MOS管(SiC+GaN)方案,既满足为多种电子产品充电需求,也在充电效率、小体积方面有优异的性能。 

     

如图1是200W PD多口快充电源PFC电路示意图, 快充电路电路前级采用PFC电路改善AC输入的功率因数,使其满足法规要求,主要采用功率电感L、氮化镓MOS管+碳化硅二极管组成。

图1:200W  PD多口快充电源PFC电路示意图


这里主要介绍国产基本半导体的碳化硅二极管B2D10065Q应用于200W PD多口快充电源PFC电路的优势:

1、B2D10065Q的反向耐压650V,220VAC整流+氮化镓MOS管开关电压应力一般达350v~450V电压范围,反向耐压满足使用需求;

2、B2D10065Q的连续正向电流为10A@Tc=155℃,满载下快充的原边最大电流约2至3A,考虑到发热、瞬态负载突变等工况需要保留较高电流余量;其非重复正向浪涌电流为80A,在频繁给电子设备充电、热插拔等工况下具有高抵抗浪涌电流冲击能力。

3、B2D10065Q的正向压降为1.29V@Tj=25℃,低的正向压降有利于减少导通损耗,同时SiC二极管的特性是无反向恢复电流,故可提供充电效率,降低电能损耗;

4、B2D10065Q采用DFN8*8贴片封装,具有优异的散热性能,同常用的TO-252封装面积相比,两者占用电路板面积差不多,但底部散热焊盘面积DFN8*8的约为34 mm²,而TO-252封装约为23 mm²,故DFN8*8封装的散热效果更佳,可减少对散热材料的使用,降低设计成本;DFN8*8封装厚度为1mm,在布局时占用空间小,可有效减小PD多口快充体积,便于用户携带;

5、该碳化硅二极管工作结温为-55℃~175℃,耐高温特性强,有助于减少外部散热材料的使用,帮助减少设计成本。


 图2:B2D10065Q封装以及管脚定义


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产品型号
品类
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IF
IFSM
VF
Ptot
QC
B1D02065K
碳化硅肖特基二极管
650V
2A
16A
1.4V
39W
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B2D10065Q PCBLIB&SCHLIB&INTLIB

型号- B2D10065Q

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