中电国基南方率先实现碳化硅产品批量应用，赢得电力电子器件发展先机
近年来，中电国基南方（以下简称国基南方）积极融入数字经济建设，发挥第三代半导体技术优势，瞄准重点数字产业，增强产业链关键环节竞争力，氮化镓技术产品保障新型装备、5Ｇ通信需求，2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展，SiC MOSFET首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单，为保障国产新能源汽车用功率器件供应链安全发挥了重要作用。在激烈的市场竞争中，赢得碳化硅领域发展先机。
国基南方在国内率先建立起第三代半导体碳化硅自主体系，形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局，已经成为功率电子器件领域知名企业。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域规模应用，数千万只配套量有力保障了产业自主可控。形成了一流创新平台，宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室高水平运行，作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心（南京）正快速推进实体化运行，2021年SiC MOSFET产品入选国资委十大国有企业数字技术成果。打造了一流人才团队，多次荣获国防科技进步奖等重大奖项。国基南方将面向广阔市场前景继续加快碳化硅领域进步。
率先进军布局 不断实现碳化硅技术创新突破
国基南方始终紧盯国际技术前沿，瞄准碳化硅器件的高击穿电压、高功率密度、高效率、高工作温度等特殊优势和应用前景，以打造碳化硅原创技术“策源地”为目标，在国内率先开展研究工作。坚持对标世界一流技术水平，紧密对接国家及上级战略规划，近年来得到了国家科技部、工信部以及中国电科等大力支持，“新能源汽车用SiC MOSFET 芯片和模块关键技术攻关及产业化项目”入围2022年江苏省工业和信息产业转型升级专项支持，研究成果获得多项省部级奖项，保持了该领域的技术领先地位。
率先实现批量应用 在满足装备建设及国民经济急需中发挥积极作用
碳化硅器件是新型国防装备、新能源汽车、高速列车、能源互联网等急需的关键器件。为了实现器件尽快量产，2018年国基南方在国内率先建立6英寸碳化硅器件工艺平台，同时发挥牵引作用，带动了国内碳化硅行业上下游产业链的进步。
基于自主可控的工艺平台，近年来，国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品，在国内首次实现工程化应用，在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产，同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用，6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产，新产品优异的性能得到了用户的肯定，满足60万辆车载应用需求。碳化硅系列产品在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域实现规模应用，已发展成为国基南方新的业务增长极。
在服务国民经济的同时，国基南方始终牢记强军兴军责任，聚焦雷达电源、船舶动力、机载电源、特种车辆控制器、辐射探测等领域，与重点军工单位深化合作，SiC MOSFET和SBD完成验证，有力保障重点装备配套需求。
率先建成一流创新平台 集聚创新资源发挥牵引作用
为了更好集聚创新资源，作为依托单位，2015年宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室获批成立，这是国内该领域唯一的国家级重点实验室。作为建设主体，2021年国家第三代半导体技术创新中心（南京）挂牌成立，为该领域更好推动该领域技术发展提供了有力支撑。
国家第三代半导体技术创新中心（南京）正加快建设。目前，厂房改造、工艺设备等各项工作均按期推进，将进一步提升创新中心的核心竞争力，目标建成一流的研发中试平台和科技服务共享平台，实现综合性创新产业技术输出。
率先打造一流人才团队 建成国内行业人才中心
科技竞争的本质是人才竞争。国基南方碳化硅技术产品快速发展过程中，打造了一支由中国电科首席专家挂帅，高学历、年轻化，能打敢拼、富有创新精神的人才团队。团队骨干获得江苏省“333”高层次人才计划、集团公司杰出青年等荣誉。
近年来，随着低碳经济、高效能源发展，国家出台新基建、双碳等宏观战略，积极推进绿色经济发展，新能源发电、电动汽车，轨道交通，智能电网等新兴市场蓬勃发展，碳化硅器件有很大的市场前景。国基南方将把握市场机遇，坚持创新驱动、规模发展、产融结合的道路，进一步提升碳化硅器件核心制造能力，构建碳化硅领域自主可控产业生态。
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碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？
为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。总的来说，因制备成本太高，且性能过剩，因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。
瑞之辰授权世强硬创，代理SiC MOSFET/IPM/PIM模块等产品
产品应用涉及储能、白电、充电桩、逆变器、光伏、锂电池保护、新能源汽车、音频功放、小功率适配器、手机充电器、LED驱动等领域。
【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）
目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD
型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K
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扬杰科技（YANGJIE）碳化硅产品选型指南
目录- 公司简介 命名规则及包装形态 SiC MOSFET SiC肖特基二极管 SiC SBD模块 SiC MOSFET模块 应用+产品推介 公司实验室平台 长期可II性试验测试参考表
型号- YJD2065100NCTGHQ,YJD106520BQG2,YJD212060B7GH,YJD206560B7GH,YJD212060NCTGH,YJD106520FQG2Q,YJD2065200BGH,MB480U065F2,YJD212040T2GH,YJD112020NCTQG2,YJD2120160NCFG1Q,YJD106508PQG2,YJD2120120NCTGHQ,YJD112002DG1,YJD2120120BGH,YJD217045NCFGH,MB60DU12ST,MB80DU12ST,YJD212080NCFG1,YJD206560NCTGH,YJD2120120NCTGH,YJD2120240NCFGH,YJD2120120NCFGHQ,YJD21701K0B7GH,YJD106520DQG2Q,YJD212030NCFGHQ,YJD106506BQG2,YJD212060T2GH,YJD106520PQG2,YJD212040NCTG2,YJD112020BXGG2,YJD212040NCTG1,YJD106502DQG3,MB60DU12STN,YJD21701K0NCTGH,YJD106504PG1,YJD112015PGG2,YJD212040T2GHQ,YJD212030NCTGH,YJD106520NCTQG2,YJD212030T2GH,YJD106540NCTQG2,YJD106510BQG2,YJD106510PQG2Q,YJD112010BQG2,YJD206525NCTGHQ,YJD106502PQG3,YJD106508BQG2,YJD2120240NCTGHQ,YJD212040NCTGH,YJD106510PQG2,MC16UZ12STN,YJD112040NGG2,YJD206550NCFGHQ,YJD106504DG1,YJD212040NCTGHQ,YJD212080NCTGHQ,YJD206560NCFGHQ,YJD106520DQG2,YJD106550BQG3,YJD212080NCFG1Q,YJD112040NCTG1,YJD2120120B7GH,YJD2120160NCFG1,YJD112005PG1,YJD112030NGG2,YJD2065200NCFGH,YJD112030NGG3,YJD2065100NCTGH,YJD112015NG1,YJD212030T2GHQ,YJD106520NCTQG2Q,YJD2120240BGHQ,YJD212080NCFGH,YJD212040NCFGHQ,YJD206520NCTGH,YJD206550NCFGH,YJD2065100B7GHQ,YJD206525NCFGH,YJD206530NCTG1,YJD2120240B7GHQ,YJD212080NCFGHQ,YJD112002PG1,YJD112005DG1,YJD2120240NCTGH,YJD2065100NCFGHQ,YJD206550B7GH,YJD2120120B7GHQ,YJD206560NCTGHQ,YJD206530NCTG1Q,YJD2065200B7GH,YJD112020BGG2,MB120DU12FJ,YJD206525T2GHQ,YJD112015NGG2,YJD106506PQG2,YJD206520NCTGHQ,YJD112030NCTG1,YJD206560NCFG1,YJD112010DQG2,YJD106508DQG2,YJD206530NCFG1Q,YJD212040NCTG1Q,YJD206560NCFG1Q,YJD206560NCFGH,YJD217045NCTGH,YJD112010NQG2,YJD212080NCTG1Q,YJD2120240B7GH,YJD106520PQG2Q,YJD212040NCFG2Q,MB120DU12ST,YJD2120120BGHQ,YJD106520FQG2,YJD2065100B7GH,YJD212080B7G1Q,YJD212060NCFGH,YJD2120240NCFGHQ,YJD212080T2GHQ,YJD212060B7GHQ,YJD112030NCTGG2,YJD112040NCTGG2,YJD112040NCTGG1,YJD212040NCFG2,YJD21701K0NCFGH,YJD106520NQG2Q,YJD212040NCFG1Q,YJD2120120NCFGH,YJD206560B7GHQ,YJD212030NCFGH,YJD106510FQG2,YJD112010FQG2,MB60DU12FJ,YJD206520NCFGHQ,YJD206525T2GH,YJD206550NCTGHQ,MB80DU12FJ,YJD206560NCTG1Q,YJD106506FQG2,MB200DU12FJ,YJD212040NCFG1,YJD112040NQG2,YJD212060T2GHQ,YJD106520BQG2Q,YJD2120240BGH,YJD206550B7GHQ,YJD112010PQG2,YJD212060NCTGHQ,MB480U12F2,YJD2120160NCTG1Q,YJD106510DQG2Q,YJD212080B7GH,YJD212080B7GHQ,YJD212030NCTGHQ,YJD206525NCTGH,YJD112030NG1,YJD106510FQG2Q,YJD212040NCFGH,YJD212080B7G1,YJD2065100NCFGH,YJD112030NQG2,MB200DU12ST,YJD2065200NCTGH,YJD2120160NCTG1,MB180DU065FJ,YJD106508FQG2,YJD212080T2GH,YJD21701K0BGH,YJD106510BQG2Q,YJD212040NCTG2Q,YJD212060NCFGHQ,MB180DU12FJ,YJD212080NCTG1,YJD112005FG1,YJD206525NCFGHQ,YJD112010BXQG2,YJD106520NQG2,YJD212080NCTGH,YJD206550NCTGH,YJD206560NCTG1,YJD106550NQG3,YJD206520NCFGH,YJD206530NCFG1,YJD106506DQG2,YJD112020NGG2,YJD106510DQG2
【视频】扬杰高效SiC，提供多样化产品和应用，助力新能源汽车
型号- YJD106502DQG3,YJD106502PQG3,YJD106504PG1,YJD106504FQG3,YJD106504DG1,YJD106504FG1,YJD106504PQG3
无锡市委常委、江阴市委书记赴昕感科技视察指导，合力推动功率半导体芯片项目建设
2024年6月14日上午，无锡市委常委、江阴市委书记许峰以市人大代表的身份，深入一线、现场视察，听取民意、汇集民智，不断开创江阴高质量发展新局面。昕感科技作为代表企业受到许峰书记一行视察指导。江苏昕感科技有限责任公司专注于功率半导体芯片的研发及产业化，产品广泛应用于新能源汽车、光伏发电等领域。
中电国基南方可提供650-6500V/17-1000毫欧的SiC MOSFET，适用于辅助电源/电驱
中电国基南方是国内最早实现6英寸SiC MOSFET批产定性的IDM企业，目前可稳定批量生产650V-6500V，导通电阻17-1000毫欧的SiC MOSFET器件，打破国内SiC MOSFET市场长期被进口器件垄断的格局，同时在价格和交期上相较于进口器件更具优势。
国内新能源汽车未来发展，最核心的技术是什么？
近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
最小起订量： 1片 提交需求>
可根据用户的MOSFET管进行参数检测出具报告，静态参数最大电压:7500V、检测最大电流6000A；动态参数最大电压:3300V、检测最大电流:4500A。该测试标准满足GB、IEC及行业标准等，具备可靠性评估及老化实验能力。
实验室地址： 西安 提交需求>
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