中电国基南方率先实现碳化硅产品批量应用，赢得电力电子器件发展先机

时间： 2022-07-06 来源：中电国基南方

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近年来，中电国基南方（以下简称国基南方）积极融入数字经济建设，发挥第三代半导体技术优势，瞄准重点数字产业，增强产业链关键环节竞争力，氮化镓技术产品保障新型装备、5Ｇ通信需求，2022年再次率先在碳化硅领域取得突破性进展，SiC MOSFET首次获得新能源汽车龙头企业大批量订单，为保障国产新能源汽车用功率器件供应链安全发挥了重要作用。在激烈的市场竞争中，赢得碳化硅领域发展先机。

国基南方在国内率先建立起第三代半导体碳化硅自主体系，形成了覆盖碳化硅材料、设计、制造、封测的完整技术布局，已经成为功率电子器件领域知名企业。碳化硅MOSFET在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域规模应用，数千万只配套量有力保障了产业自主可控。形成了一流创新平台，宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室高水平运行，作为依托单位建设的国家第三代半导体技术创新中心（南京）正快速推进实体化运行，2021年SiC MOSFET产品入选国资委十大国有企业数字技术成果。打造了一流人才团队，多次荣获国防科技进步奖等重大奖项。国基南方将面向广阔市场前景继续加快碳化硅领域进步。

率先进军布局不断实现碳化硅技术创新突破

国基南方始终紧盯国际技术前沿，瞄准碳化硅器件的高击穿电压、高功率密度、高效率、高工作温度等特殊优势和应用前景，以打造碳化硅原创技术“策源地”为目标，在国内率先开展研究工作。坚持对标世界一流技术水平，紧密对接国家及上级战略规划，近年来得到了国家科技部、工信部以及中国电科等大力支持，“新能源汽车用SiC MOSFET 芯片和模块关键技术攻关及产业化项目”入围2022年江苏省工业和信息产业转型升级专项支持，研究成果获得多项省部级奖项，保持了该领域的技术领先地位。

率先实现批量应用在满足装备建设及国民经济急需中发挥积极作用

碳化硅器件是新型国防装备、新能源汽车、高速列车、能源互联网等急需的关键器件。为了实现器件尽快量产，2018年国基南方在国内率先建立6英寸碳化硅器件工艺平台，同时发挥牵引作用，带动了国内碳化硅行业上下游产业链的进步。

基于自主可控的工艺平台，近年来，国基南方陆续发布650V-1700V SiC SBD产品，在国内首次实现工程化应用，在充电桩、服务器电源等领域获得大批量使用。2020年国内率先实现6英寸650V-1700V SiC MOSFET量产，同年国内首次实现国产1200V SiC MOSFET批量上车应用，6.5kV-20kV高压SiC MOSFET和 SiC IGBT研制水平国际先进。2022年650V-1200V SiC MOSFET量产，新产品优异的性能得到了用户的肯定，满足60万辆车载应用需求。碳化硅系列产品在新能源汽车、新能源发电、服务器电源、电网输变电等领域实现规模应用，已发展成为国基南方新的业务增长极。

在服务国民经济的同时，国基南方始终牢记强军兴军责任，聚焦雷达电源、船舶动力、机载电源、特种车辆控制器、辐射探测等领域，与重点军工单位深化合作，SiC MOSFET和SBD完成验证，有力保障重点装备配套需求。

率先建成一流创新平台集聚创新资源发挥牵引作用

为了更好集聚创新资源，作为依托单位，2015年宽禁带半导体电力电子器件国家重点实验室获批成立，这是国内该领域唯一的国家级重点实验室。作为建设主体，2021年国家第三代半导体技术创新中心（南京）挂牌成立，为该领域更好推动该领域技术发展提供了有力支撑。

国家第三代半导体技术创新中心（南京）正加快建设。目前，厂房改造、工艺设备等各项工作均按期推进，将进一步提升创新中心的核心竞争力，目标建成一流的研发中试平台和科技服务共享平台，实现综合性创新产业技术输出。

率先打造一流人才团队建成国内行业人才中心

科技竞争的本质是人才竞争。国基南方碳化硅技术产品快速发展过程中，打造了一支由中国电科首席专家挂帅，高学历、年轻化，能打敢拼、富有创新精神的人才团队。团队骨干获得江苏省“333”高层次人才计划、集团公司杰出青年等荣誉。

近年来，随着低碳经济、高效能源发展，国家出台新基建、双碳等宏观战略，积极推进绿色经济发展，新能源发电、电动汽车，轨道交通，智能电网等新兴市场蓬勃发展，碳化硅器件有很大的市场前景。国基南方将把握市场机遇，坚持创新驱动、规模发展、产融结合的道路，进一步提升碳化硅器件核心制造能力，构建碳化硅领域自主可控产业生态。

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2024/7/30 - 中电国基南方 - 选型指南代理服务技术支持现货查询批量订货

【选型】中电国基南方SiC电力电子器件（SiC MOSFET/SiC SBD）选型指南（英文）

目录- Company profile SIC MOSFET/SIC SBD Introduction SIC MOSFET SIC SBD

型号- WM1A280120B,WM1A030065K,WS4A004065WB,WM2A017065B,WM1A030065L,WS3A003065E,WM1A080170B,WS3A003065A,WS3A050120D,WM1A160065B,WS3A015065F,WM1A01K170B,WS3A015065J,WS3A010170A,WM1A080170K,WS3A003065J,WM1A080170L,WS3A008120E,WS4A002065WB,WM1A280120N,WS3A008120A,WM1A280120K,WS3A030120K,WS4A008065A,WS3A030120D,WM1A025120K,WM1A025120L,WS3A008120J,WS3A060120K,WS4A008065E,WSXAXXXXXX0,WS4A012065A,WS4A004065E,WS3A005120J,WS3A003120A,WS3A005120E,WS3A003120E,WS3A020120J,WM1A045170K,WM1A045170L,WM1A080120K,WS3A020120D,WS3A020120A,WS3A010065J,WM1A045170B,WS4A002065A,WS4A006065E,WM1A080120B,WS3A002330D,WS4A006065A,WS4A010065E,WS4A010065A,WS3A016120K,WM1A080120N,WS3A020120K,WS3A005120A,WS3A008065E,WS3A008065F,WS3A003120J,WS3A012065J,WS3A012065K,WS3A008065A,WM2A025120B,WS3A008065J,WS4A004065A,WS3A004065A,WS3A012065F,WS3A012065D,WS3A012065E,WS3A005170A,WS3A012065A,WS3A020065J,WM1A120065K,WS3A020065F,WS3A020065D,WS3A006065E,WS4A012065WB,WS3A006065F,WS3A020065A,WS3A010120J,WS3A002065A,WS3A010120K,WM1A120065N,WS3A006065J,WS3A015120A,WS3A002065F,WS3A015120D,WS3A002065E,WS3A010065D,WS3A010065E,WS3A002065J,WS3A025650B,WS3A006065A,WS3A010065F,WS3A040065K,WS3A016065K,WS4A008065WB,WS3A010065A,WS3A001330D,WS3A020065K,WS3A012120K,WS4A010065WB,WM1A017065L,WM1A017065K,WS3A004065J,WS3A030330K,WM2A030065B,WM2A060065B,NSD10220S,WS3A004065E,WS3A004065F,WM1A060065L,WM1A060065K,WM1A060065N,WMXAXXXXXX0,WM1A01K170N,WM1A040120L,WM1A040120K,WS3A002120A,WS3A006120E,WS3A002120E,WM1A01K170K,WS3A006120J,WS3A015065A,WS3A015065D,WM1A160120B,WS3A010120D,WS3A002120J,WS3A010120E,WS3A015120E,WM1A160120N,WS3A024065K,WS3A006120A,WS3A015120J,WM2A120065B,WM1A160120K,WS3A040120K,WS3A010120A,WM1A040120B,WS3A030065A,WS3A005330D,WS4A020065K,WS3A030065J,WS4A006065WB,WS3A030065K,WS4A016065K,WS3A030065D,WS3A030065F,WS3A060065K

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中瑞宏芯SiC MOSFET在1500V光伏逆变器中的应用与优势

为满足光伏、储能、电机驱动和电网等领域对高电压、大功率的应用需求，中瑞宏芯开发出2000V 40mΩ和1700V 25mΩ SiC MOSFET产品。采用TO247-4封装，具有开尔文源极，驱动电压15V~18V。导通电阻的温度系数只有1.5。

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【视频】蓉矽高可靠性SiC功率器件在光储充与新能源汽车上的应用

型号- NCD30S40TTD,NC1M120C12HT,NC1M120C12W,NC1D120C10AT,NCD30S20TTD,NC1D120C20KT,NC1D120C30KT,NC1M120C40HT,NC1M120C75HT

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1700V SiC MOSFET在大功率能源及工业领域的应用

1700V SiC MOSFET的低开关损耗可提高开关频率，且每个单元的总体尺寸大幅减小。同时，1700V的高阻断电压还可减少达到相同直流电压所需的单元数。在以上种种简化和优化后，终端应用的系统可靠性大大提升，而更少的有源开关和栅极驱动器也降低了整体成本。SMC桑德斯微电子根据客户的需求设计和生产半导体及相关产品。

2024-06-18 - 应用方案代理服务技术支持现货查询批量订货

【视频】扬杰高效SiC，提供多样化产品和应用，助力新能源汽车

型号- YJD106502DQG3,YJD106502PQG3,YJD106504PG1,YJD106504FQG3,YJD106504DG1,YJD106504FG1,YJD106504PQG3

扬杰科技 - 商品及供应商介绍代理服务技术支持现货查询批量订货

碳化硅很好，但为什么碳化硅IGBT很少见？

为什么市场上少有碳化硅IGBT？这和碳化硅的材料特性息息相关。与标准硅材料相比，碳化硅最大的优势是耐高温、耐高压、损耗低，这也使其成为目前高压大功率应用中的半导体材料首选。总的来说，因制备成本太高，且性能过剩，因此碳化硅IGBT在大多数应用场合都“毫无竞争力”。

2024-06-07 - 技术探讨代理服务技术支持现货查询批量订货

国内新能源汽车未来发展，最核心的技术是什么？

近年来，中国新能源汽车市场发展迅猛。根据中汽协数据显示，2023年，中国新能源汽车销量达到了949.5万辆，同比增长37.9%。预计2024年，中国新能源汽车销量可能将达到1200-1300万辆，并占据全球新能源汽车总销量的约60%。新能源汽车的迅猛发展，倒推车规级碳化硅SiC功率器件的需求也呈井喷式增长。

2024-11-18 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

碳化硅：第三代半导体材料的性能优势与应用前景

经过第一代硅基半导体、第二代的砷化镓半导体，半导体材料发展已经来到了属于碳化硅、氮化镓的第三代。碳化硅是第三代半导体产业发展的重要基础材料，碳化硅功率器件以其优异的耐高压、耐高温、低损耗等性能，能够有效满足电力电子系统的高效率、小型化和轻量化要求。在新能源汽车、光伏发电、轨道交通、智能电网等领域具有明显优势。

2024-11-11 - 行业资讯代理服务技术支持现货查询批量订货

阿基米德半导体携光储及车用IGBT模块亮相深圳国际电子展，共襄科技盛宴！

日前，阿基米德半导体参加了在深圳会展中心举办的elexcon2024深圳国家电子展。展示了SiC MOSFET/IGBT单管，半桥IGBT模块，三电平IGBT模块, SiC模块等众多产品。广泛应用于直流快充/超充，工业电源，感应加热，光伏逆变器，储能PCS，新能源汽车等领域。

2024-09-04 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

爱仕特1200V 12mΩ SiC MOSFET已量产并批量出货，兼具超低导通和超快开关特性

爱仕特自主研发的15V驱动的1200V 12mΩ SiC MOSFET和1700V 25mΩ SiC MOSFET芯片已量产并开始批量出货给国内客户，填补了国内该系列产品研发及应用的空白，引领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。

2022-12-05 - 原厂动态代理服务技术支持现货查询批量订货

碳化硅功率半导体在新能源汽车领域的应用

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